Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов

 

Л 150937

Класс 21g 1|о

cc.cv

11 !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа М 97

В. А Кокошкин

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ГАЛЪВАНО- И

ТЕРМОМАГНИТНЪ|Х ИССЛЕДОВАНИЙ ОБРАЗЦОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х МАТЕРИАЛОВ

Заявлено 13 января 196! г. за ¹ 693369/26 в 1(огяитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 20 за 1962 г.

Известные устройства для проведения гальвано и термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов, выполненные в виде криостата, снабженного магнитной системой, в магнитном поле которой размещают исследуемый образец, не обеспечивают проведения исследований в широком диапазоне температур и напряженностей магнитного поля.

В предлагаемом устройстве расширение диапазона температур и напряженностей магнитного поля достигнуто установкой внутри криостата магнитного концентратора и размещением в зазоре криостата нагревателя, с которым контактирует исследуемый образец.

На фиг. 1,изображено описываемое устройство; на .фиг. 2 — магнитный концентратор.

Устройство выполнено в виде криостата, внутри которого установлен магнитный концентратор 1, состоящий из двух частей и имеющий форму, близкую к вытянутому эллипсоиду вращения, разрезанному по ссевой линии. Эллипсоид снабжен большой и малой полуосями, что позволяет уменьшить размагничивание концентратора. Концентратор 1 гомещен в кварцевую трубку 2 с пришлифованной трубкой 8 и с помощью металлических лапок 4, прикрепленных к стяжным стойкам 5 с шайбами б, служащими для соединения двух частей концентратора, подвешен к внутренней кварцевой трубке 7. Концентратор 1 снабжен зазором 8, в котором размещен нагреватель (не показан на чертеже), с которым контактирует исследуемый образец 9. Провода 10 от исследуемого образца и термопара 11 выведены через трубку 8. Величина зазора 8 регулируется вклеенными керамическими вкладышами 12. В верхней половине концентратора 1 размещена керамическая трубка И с термопарой медь — константан. Через штуцер 14 криостат соединен с № 150937 вакуумной системой, не изображенной на чертеже, дающей возможность с помощью форвакуумного насоса (не показан на чертеже) ссздавать в рабочем объеме давление до 1,5 10 — - мл рт.ст. или наполнять криостат инертным газом. Трубка 2, в которой помещен концентратор 1, опущена в стандартный сосуд Дюара 15 и на нее надет нагреватель 16. Для выравнивания температурного поля на шайбы б надевают медный экран 17, оклеенный изнутри стеклотканью. Изменение температуры от комнатной до 90 К и ее поддержание на заданном уровне осуществляют путем изменения положения сосуда Дюара 15, уровня жидкого азота в нем, а также степени разрежения в рабочем объеме. При нагревании криостата сосуд 15 служит дополнительным тепловым экраном, изолирующим рабочий объем от внешних колебаний температуры.

Внешнее магнитное поле устройства создается с помощью соленоида 18, гредставляющего собой медную катушку. Для уменьшения нагрева поверх обмотки соленоида навита медная трубка 19, служащая для про пускания проточной воды.

Описанное устройство для проведения гальвано- и термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов позволяет производить исследования напряженностей магнитного поля с точностью порядка 0,5О!о для низкотемпературной области и 2,5 lо — для высокотемпературной и расширить диапазон температур до 800 К при напряженности магнитного поля порядка 20 000 эрстед. Расширение диапазона температур может быть достигнуто путем применения жидкого водорода взамен жидкого азота и нагревания до более высоких температур, а расширение диапазона напряженностей магнитного поля — заменой материала концентратора на пермендюровый и увеличением мощности соленоида. Устройство может найти применение для комплексного исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов.

Ппедмет изобретения

Устройство для проведения гальвано- и термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов, выполненное в виде криостата, снасженного магнитной системой, в магнитном поле которой размещают исследуемый образец, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью проведения исследований в широком диапазоне температур и напряженностей магнитного поля, внутри криостата установлен магнитный концентратор, снабженный зазором в котором размещен нагреватель, контактирующий с исследуемым образцом подключенным к источнику регулируемого на пряжения.

77

Фиа. 2

Составитель описания P. С. Козлов

Редактор Б. В. Гурчев Техред А. А. Камышникова Корректор Г. Кудрявцева

Подп. к печ. 10.Х-62 г. Формат бум. 70Х108 /м Объем 0,35 изд. л.

Зак. 10048 Тираж 1150 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14,

Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов Устройство для проведения гальванои термомагнитных исследований образцов полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к подъемно-транспортной технике, в частности к стендам для испытания стропов

Изобретение относится к способу определения параметров настройки разбрасывателя удобрения, необходимых для обеспечения нужной ширины разбрасывания и нужного количества разбрасываемых удобрений, в зависимости от вида удобрения и к предназначенным для этих целей устройствам

Изобретение относится к сельскохозяйственному машиностроению, в частности, к стендам для ускоренных испытаний почвообрабатывающих рабочих органов, их энергооценки и износостойкости
Наверх