Патент ссср 159202

 

№ 159202

Класс Н 03d; 21, 11...

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ я ..;1

i ,\

„Ф

Подписная группа J8 97 с

«1 1 .- . 1 Е

1 .ч .М

В. А. Александров и Л. С. Либерман

КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИОД

Заявлено 10 мая 1961 г. за № 730013126-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» № 24 за 1963 г.

Известны кристаллические диоды СВЧ-диапазона.

Предлагаемый кристаллический диод отличается от известных тем, что в качестве материала опорной шайбы в нем использовано пеностекло. Эта особенность позволяет значительно улучшить эксплуатационные качества диодов в условиях повышенных температуры и влажности без ухудшения рабочих параметров.

На чертеже изображена конструкция предлагаемого кристаллического диода, представляющего собой коаксизльный прибор диапазона

СВЧ.

Диод состоит из цил1Н1дрического корпуса 1, опорной изолирующей шайбы 2, внутреннего проводника 3 с контактно". пружиной 4 и полупроводникового элемента 5, укрепленного в кристаллодержателе о.

Опорная шайба выполнена из пеностекла, имеет спаи с посеребренным внутренним проводником 8 и втулкой, сделанными из ковара.

Закрепление опор1ой ш;1йбы в корпусе 1 произво И1тся путем пайки мяггим припоем, что обеспечивает полную герметичность диода со стороны вывода. Герметизация со стороны криста:члодержателя производится впайкой посеребренного лат 11НОГÎ диска 7 также мягким припоеы.

В качестве контактной пары в диоде применены металлургический кремний р- типа, легировсии1ый алюминием, и вольфрамовая контактная пружина 4.

Опорная шайба из пеносте ла, обладая малым коэффициентом .1ннейного расширения. aa cnl(oi х1еханической про kffocTbfo lf герметичность10, ОоеспечиВает устойчивость диода к меха!:ичсским II климатическим ВоздейстВиям, а ма.1ая Величина диэ,lектрпческой постоянной шайбы допускает ВОзмОжнОсть согласОВанпя ес В широком диапазоне частот, М 159202

Предмет изобретения

Кристаллический диод диапазона СВЧ, состоящий из полупровод)(икового элемента на кристаллодерхкателе и опорной изолирующей шайбы, спаянной с внутренним проводником и втулкой, о т ") и ч а ющи и ся тем, что, с целью обеспечения работы диода в условиях повышенных температуры и влажности, опорная шайба выполнена пз пеностекла.

Состав)((с, )ь J!. Pyo)c)) ))))

)". (iI С) ()!) С. Л. ho (T))) .);l. 1 ., )c :) А. A. .k!, . (()«) ):)I Kc))l Е()()((. (i) fi Р. T. ((C..IC, )а))т

I 1;:, I I к (1 (." .(. 2 !), 1 - - ((! 1.. <()0(),((и ы1,) ., ; !).)()(,,)tl;,(: I)!М | з,;. ).

UllI(I111И Гс(уд)()ст.)е)).!в.о ))ч:.()))с:() (и;; i: а:.. (..:))(((т())()й,) ((г.:((..г), : СССР

);>,(, тп, (ь

Патент ссср 159202 Патент ссср 159202 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к термореактивным композициям смол, предназначенным для использования в качестве термореактивных композиций герметиков, быстро заполняющих пустоты в полупроводниковом устройстве, таком, как блок перевернутых чипов, который включает полупроводниковый чип, укрепленный на подложке носителя, обеспечивающий надежное соединение полупроводника с монтажной платой при кратком термическом отверждении

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано при создании новых приборов силовой полупроводниковой электроники

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем

Изобретение относится к электронной техники, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании планарных металлокерамических корпусов

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем типа «Package SOJ"

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке керамических корпусов интегральных схем с устройствами для съема тепла
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторов

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к матричным тактильным датчикам (МТД), и может использоваться как в интегральных МТД, так и в МТД, изготовленных на основе гибридной технологии
Наверх