Способ определения знака гиромагнитного отношения в доменосодержащих пленках

 

Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для контроля параметров доменосодержащих пленок. Целью изобретения является упрощение определения знака гиромагнитного отношения. Предлагаемый способ включает подачу импульса тока в проводник 1, расположенный на поверхности пленки 2, и намагничивание локальной области пленки до насыщения. После окончания действия импульса тока происходит перемагничивание локальной области путем роста полосовых доменов 3 в обе стороны от проводника. Перемагничивание заканчивается формированием полосовой доменной структуры. По углу отклонения направления роста полосовых доменов от перпендикуляра к проводнику можно определить знак гиромагнитного отношения. Предлагаемый способ позволяет упростить определение знака гиромагнитного отношения, так как оно сводится к определению знака угла сноса полосовых доменов. 2 з.п.ф-лы, 5 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) А1 (51) 4 G 11 C 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4340502/24-24 (22) 04. 11. 87 (46) 15.08.89. Бюл. Р 30 (71) Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева (72) Н.А. Логинов, N.В. Логунов и В.В. Рандошкин (53) 681.327.66(088,8) (56) Тикадзуми С. Физика ферромагнетизма. М.: Мир, 1983.

Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках.

М.: Наука, 1973. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗНАКА ГИРОМАГНИТНОГО ОТНОНЕНИЯ В ДОМЕНОСОДЕРЖАЦИХ ПЛЕНКАХ (57) Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для контроля параметров доменосодержащих пленок. Целью изобретения является упрощение определения знака гидро— магнитного отношения. Предлагаемый способ включает подачу импульса тока в проводник 1, расположенный на поверхности пленки 2, и намагничивание локальной области пленки до насыщенияя. После окончания действия импульса тока происходит перемагничивание локальной области путем роста полосовых доменов 3 в обе стороны от проводника. Перемагничивание заканчивается формированием полосовой доменчой структуры. По углу отклонения направления роста полосовых доменов от перпендикуляра к проводнику можно определить знак гиромагнитного отношения. Предлагаемый способ позволяет упростить определение знака гидромагнитного отношения, так как оно сводится к определению знака угла сноса полосовых доменов.

2 з.п.ф-лы, 5 ил.

3 150115

Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для контроля параметров доменосодержащих пленок.

Цель изобретения — упрощение определения знака гиромагнитного отношения.

На фиг. 1 изображена доменная 10 структура доменосодержащей пленки в исходном состоянии; на фиг. 2 то же, после намагничивания локальной области пленки до насыщения;; на фиг. 3 — то же, в процессе роста 15 полосовых доменов после окончания действия импульсного поля; на фиг.4— то же, после окончания формирования полосовых доменов; на фиг. 5 — доменная структура для доменосодержащей 20 пленки с противоположным по отношению к фиг. 4 знаком гиромагнитного отношения.

Предлагаемый способ осуществляется следующим образом. 25

В проводник 1, расположенный на поверхности доменосодержащей пленки

2, подают импульс тока, намагничивающий локальную область пленки вокруг проводника до насыщения (на фиг.1-5 30 домены с противоположным направлением намагниченности показаны разным цветом). Области с разных сторон проводника имеют противоположное направление намагниченности, а граница 35 областей проходит под проводником (фиг. 2) . После окончания импульса тока намагничивающее поле исчезает и в результате изгибной неустойчивости доменной границы под проводником 40 начинается перемагничивание пленки путем роста полосовых доменов 3 в обе стороны от проводника (фиг.3).

Перемагничивание заканчивается формированием полосовой доменной структу45 ры со строго определенным углом сноса доменов f (фиг.4) относительно перпендикуляра к проводнику. Такая доменная структура может быть легко заРегистриРована известными магнитооптическими методами. Если знак гиромагнитного отношения доменосодержащей пленки противоположен пленке по фиг. 4, то угол сноса также изменит

9 4 свой знак (фиг. 5) . Угол сноса увеличивается при приложении постоянного магнитного поля перпендикулярно плоскости пленки.

Импульсное поле может быть создано также петлей или несколькими параллельными проводниками на поверхности пленки.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет упростить процесс определения знака гиромагнитного отношения в доменосодержащих пленках, так как это определение сводится к определению знака угла сноса полосовых доменов, которое легко осуществить, например, визуально с помощью поляризационного микроскопа.

Формула и з о б р е т е н и я

1. Способ определения знака гиромагнитного отношения в доменосодержащих пленках путем воздействия на доменосодержащую пленку магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса определения знака гиромагнитного отношения, воздействие магнитным полем на доменосодержащую пленку осуществляют импульсным полем, намагничивающим локальную область пленки до насьпцения, а затем регистрируют направление роста полосовых доменов после окончания действия импульсного поля и определяют знак гиромагнитного отношения доменосодержащей пленки по отклонению направления роста полосовых доменов от перпендикуляра к границе намагниченной локальной области.

2. Способ по п. l о т л и ч аю шийся тем, что импульсное поле создают путем пропускания импульса тока через проводники, расположенные на поверхности доменосодержащей пленки.

3. Способ по п. 1 о т л и ч аю шийся тем, что перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки прикладывают постоянное магнитное поле, напряженность которого составляет (О, 1-0,8) Н, где Н вЂ” поле коллапса доменосодержащей пленки.

1501159

Составитель Г, Аникеев

Редактор М. Недолуженко Техред . .0лийнык Корректор tl. Параши

Заказ 4878/50

Тираж 558

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям нри ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ определения знака гиромагнитного отношения в доменосодержащих пленках Способ определения знака гиромагнитного отношения в доменосодержащих пленках Способ определения знака гиромагнитного отношения в доменосодержащих пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле доменосодержащих пленок для запоминающих устройств цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств с накопителями на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к устройствам управления для памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) в кассетном исполнении и может быть использовано в составе внешних запоминающих устройств на ЦМД в устройствах с числовым программным управлением

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для внешней памяти ЭВМ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в устройствах контроля запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники и может быть использовано для неразрушающего контроля доменосодержащих эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок при изготовлении доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано прй разработке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх