Составной мдп-транзистор

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых интегральных схемах электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах. Целью изобретения является расширение области применения составного МДП-транзистора. Поставленная цель достигается за счет того, что затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком предыдущего однотипного МДП-транзистора. Изобретение позволяет повысить диапазон рабочего напряжения транзистора путем увеличения напряжения пробоя его стокового p - n-перехода. 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых интегральных схемах, электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах, а также в схемах коммутации напряжения. Целью изобретения является расширение области применения составного МДП-транзистора. На фиг. 1 приведена электрическая схема составного МДП-транзистора; на фиг. 2 - зависимость напряжения пробоя стока составного МДП-транзистора. Составной МДП-транзистор (фиг. 1) состоит, например, из четырех последовательно соединенных n-канальных МДП-транзисторов 1-4 с обедненным каналом, причем исток 5 и затвор 6 транзистора 1 являются соответственно истоком и затвором составного МДП-транзистора, исток каждого последующего МДП-транзистора соединен со стоком предыдущего МДП-транзистора, сток 7 транзистора 4 является стоком составного МДП-транзистора, затвор соединен с истоком предыдущего МДП-транзистора. Составной МДП-транзистор функционирует следующим образом. Сток 7 подключают к источнику коммутируемого высоковольтного напряжения с амплитудой, например, 25 В, а источник 5 подключают к нагрузке. Допустим, для определенности, пороговое напряжение каждого транзистора составляет минус 3 В. При нулевом потенциале на затворе 6, т. е. в закрытом состоянии транзистора, потенциал истока 5 составит примерно 3 В. Этот потенциал несколько приоткроет транзистор 2 и потенциал его истока составит уже 6 В. В свою очередь этот потенциал также приоткроет транзистор 3, потенциал истока которого достигнет 9 В. Этот потенциал, поступая на затвор транзистора 4, увеличит напряжение пробоя стокового p - n-перехода в его наиболее слабом месте - области перекрытия примерно на эти же 9 В (фиг. 2). В результате напряжение пробоя составного МДП-транзистора составит не менее 24 В, что и позволяет расширить область применения этого транзистора. Путем наращивания числа включенных последовательно МДП-транзисторов верхнюю границу диапазона рабочих напряжений можно увеличить до 35-50 В. Эта величина ограничена сверху напряжением пробоя стока вне области перекрытия. Таким образом, эта конструкция позволяет получить транзистор, способный коммутировать напряжение с амплитудой, большей напряжения пробоя стокового p - n-перехода. Это дает возможность на базе стандартной низковольтной n-канальной технологии разрабатывать и выпускать микросхемы с блоками коммутации высоковольтного напряжения. (56) С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. /Под ред. Р. А. Суриса. - М. : Мир, 1984, т. 2, с. 29-32. Конструкторская документация по ИС К 558 РРЗ, ЩИ 3.418.079 ЭЗ.

Формула изобретения

СОСТАВНОЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий последовательно включенные однотипные МДП-транзисторы с обедненным каналом, причем исток и затвор первого однотипного МДП-транзистора является соответственно истоком и затвором составного МДП-транзистора, исток каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен со стоком предыдущего однотипного МДП-транзистора, сток последнего однотипного МДП-транзистора является стоком составного МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения составного МДП-транзистора, затвор каждого последующего однотипного МДП-транзистора соединен с истоком предыдущего однотипного МДП-транзистора.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 11-2002

Извещение опубликовано: 20.04.2002        

---