Элемент памяти ппзу

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании интегральных полупроводниковых ППЗУ. Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти. Поставленная цель достигается за счет того, что элемент памяти содержит слой композиционного материала, состоящего из полупроводниковой основы и расположенных в ней металлических волокон, перпендикулярных к плоскости слоя, причем слой из композиционного материала расположен на поверхности первого слоя металлического электрода, а на поверхности слоя из композиционного материала размещен слой диэлектрической пленки. 2 ил.

союз сОВетских.

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ГОсудАРстВенный нОмитет

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬПИЯМ

ПРИ ГНЧТ СССР (21) 4325445/24-24 (22) 06. 11. 87, (46) 15. 08. 89. Бюп. Р 30 (71) Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (72) Л.P. Битнер, Л.И. Буткевич, Л.С. Деревягина и P.Á. Лубсанов (53) 681.327.6(088.8) (56) Патент США h"- 4112507, кл. G 11 С 11/40, опублик. 1976.

Rept. Progr.Phys. 1970, ту 33р с. 1129. (54) ЭЛЕМЕНТ ПА?"ИТИ ППЗУ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании интегральных полупроводниковых ППЗУ.

Цель изобретения — повышение надежности элемента памяти.

На фиг. 1 приведена структура элемента памяти; на фиг. 2 — вольтамперная характеристика элемента памяти. .На поверхности слоя 1, состоящего из композиционного материала с металлическими волокнами 2, расположен слой диэлектрической пленки 3 с проформованными при изготовлении каналами повышенной проводимости (ПВ) 4. Элемент памяти включает первый и второй слои металлических электродов 5.

Элемент памяти работает следующим образом. (д 4 С 1 С 17/00, 11/40

2 пользовано при создании интегральных полупроводниковых ППЗУ. Целью изобретения является повьш ение надежности элемента памяти. Поставленная цель достигается за счет того, что элемент памяти содержит слой композиционного материала, состоящего из полупроводниковой основы и расположенных в ней металлических волокон, перпендикулярных к плоскости слоя, причем слой из композиционного материала расположен на поверхности первого слоя металлического электрода, а на поверхности слоя из композиционного материала размещен слой диэлектрической пленки. 2 ил.

Для определенности рассмотрим случай, когда полупроводниковая основа в композиционном материале обладает электронным типом проводимос- ти. Для переключения в состояния с высоким сопротивлением (ВС) или

ПВ к металлическим электродам прикладывается импульс напряжения с амплитудой соответственно 12 или 4 В и длительностью 10 с, причем полярность верхнего электрода положительная. Считывание импульсом напряжения той же полярности амплитудой 1 В и длительностью 1 мкс. При подаче импульса напряжения обратной полярности в приповерхностной области полупроводниковой основы слоя (формируется обедненный основными носителями участок, на котором падает большая часть прикладываемого напряжения и переключения соответственно метром 16 мм. Поперечный размер волокон составляет в среднем 1 мкм, расстояние между ними 5 мкм.

Формула изобретения

Составитель С. Подорский

Редактор М. Недолуженко Техред Л.Олийнык Корректор М. Пожо

Заказ 4S78/50 Тираж 558 Подписное .ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

3 1501165 не происходит. При прямой полярности— проводимость слоя композиционного материала определяется волокнами, удельное сопротивление которых мало (10 " Ом ° см). Наличие выпрямляющих свойств элемента памяти позволяет использовать его в ЗУ без дополнительных элементов развязки.

Пример. Состав диэлектрического слоя — оксинитрид кремния, нанесенный методом ионно-реактивного распыления кремниевой мишени сформированным пучком ионов азота в рабо- 15 чем газе, содержащем 107. кислорода и 907. азота. Первый и второй слои металлических электродов формируются термическим напылением алюминия.

Слой композиционного материала тол- 20 щиной 200 мкм состоит из кремниевой основы с электронным типом проводимости и волокон дисилицида ниобия.

Композиционный материал формируется вытягиванием из расплава со скоростью 25

1,2 мм/мин эвтектического сплава состава Si-NbSi в виде стержня диаЭлемент памяти ППЗУ на основе тонкопленочной структуры металл— диэлектрик — металл, содержащий первый слой металлического электрода, слой диэлектрической пленки, на котором размещен второй спой металли-. ческого электрода, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит слой из композиционного материала, состоящего из полупроводниковой основы и расположенных в ней металлических волокон, перпендикулярных к плоскости слоя, причем слой из композиционного материала расположен на поверхности первого слоя металлического электрода, а на поверхности слоя из композиционного материала размещен слой диэлектрической пленки.