Преобразователь уровня для усилителя считывания

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем. Целью изобретения является повышение быстродействия преобразователя уровня. Преобразователь уровня для усилителя считывания содержит элементы задания режима на резисторах 1, 2, 3, нагрузочные элементы на транзисторах 6, 7, токозадающие элементы на транзисторах 8,9, информационные входы 10,11, информационные выходы 12, 13, шину 14 питания, шину 15 нулевого потенциала. Оптимальное перераспределение паразитных емкостей токозадающих транзисторов позволяет уменьшить паразитные емкости на выходах преобразователя с одновременным форсированием перезаряда этих узлов, что существенно увеличивает его быстродействие. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

PECllYEif1 VIH (19) 3 (11) 2 О (so 4 С 11 С 7 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЬ1Й НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ОРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4351777/24-24 (22) 24.11 ° 87 (46) 15,09,89-. Бюл. ¹ 34 (72) М.П.Сахаров и М.О.Ботвиник (53) 681,327.6 (088.8) (56) Полупроводниковые БИС запоминающих устройств. Справочник/ Под ред.

А,ЮьГордонова и Ю.Н.Дьякова. M.: Радио и связь, 1986, с. 103, схема

К155РУ7.

Авторское свидетельство СССР № 1244716, кл, G 11 С 7/00, 1986, (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЯ ДПЯ

УСИЛИТЕЛЯ СЧИТЫВАНИЯ (57) Изобретение относятся к вычислительной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем. Целью

2 изобретения является повышение быстродействия преобразователя уровня.

Преобразователь уровня для усилителя считывания содержит элементы задания режима на рeçèñòîðàõ l 2, 3, нагрузочные элементы на транзисторах 4, 5, усилительные элементы на транзисторах

6, 7, токозадающие элементы на транзисторах 8, 9, информационные входы

10, 11, информационные выходы 12, 13, шину 14 питания, шину 15 нулевого потенциала. Оптимальное перераспределение паразитных емкостей токозадающих транзисторов позволяет уменьшить паразитные емкости на выходах преобразователя с одновременным а форсированием перезаряда этих узлов,,что существенно увеличивает его быст-. родействие. 1 ил.

8280 4

3 150

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем.

Целью изобретения является повышение быстродействия преобразователя уровня °

На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого преобразователя уровня.

Преобразователь уровня для усилителя считывания содержит элементы задания режима на резисторах 1-3

t, нагрузочные элементы на транзисторах

4, 5, усилительные элементы на транзисторах 6, 7, токозадающие элементы на транзисторах 8, 9, информационные йходы преобразователя уровня 10, 11 и информационные выходы 12, 13, лина

14 питания, шина 15 нулевого потенциала, Преобразователь уровня для усилителя считывания работает следующим образом, Когда на входе 10 уровень входного сигнала равен "1", а на входе

11 — "0", ток в обоих плечах преобразователя определяется током на транзисторах 4, 6, 8 в резисторе 1, в этом "случае транзистор 9 включен, что приводит к тому, .что напряжение на базе транзистора 6 задает аналогич ный ток н цепи транзистора 7, Так как нагрузка в коллекторах транзисторов 6.и 7 одинакова, на транзисторе 5,.резисторе 2 выделяется напряжение, аналогичное напряжению на транзисторе 4 и резисторе 1. Поэтому напряжение на выходе 13 меньme чем напряжение на выходе 12. на величину разности выходных ЭСЛуровней "O" и "1". В этом случае выходное напряжение на выходе 12 равно сумме напряжений на переходах база — эмиттер транзисторов би 8.

При смене входных напряжений включение транзистора 9 существенно ускоряется, т.е., во-первых, уменьшается емкость выхода 13 относительно шин 15 и 14, à so-вторых, процесс перезаряда выхода 13 ускоряется дополнительным током, током заряда паразитной емкости коллектор— база. Выключение же транзистора 8 аналогичным образом ускоряется., Транзисторы 8 и 9 — токоэадающие транзисторы, служащие для переключения плеч и выбора плеча, работаю-.

5 t0

55 щего в режиме источника опорного напряжения зеркала, а также для повышения точности поддержания симметрии плеч путем переключения основной части базового тока, ведомого плеча в шину питаний через нагрузочные транзисторы 4 и 5, минуя нагрузочный резистор плеча, работающего н режиме источника опорного напряжения, Резистор 3 служит для задания минимального рабочего тока транзисторов 8 и 9, необходимых для поддержания стабильного значения уровней

"1" на выходах преобразователя во всем диапазоне рабочих температур.

Таким образом, оптимальное перераспределение паразитных емкостей токозадающих транзисторон позволило уменьшить паразитные емкости на выходах преобразователя с одновременным форсированием перезаряда этих узлов, что существенно увеличивает его быстродействие, Формула и з о б р е т е н и я

Преобразователь уровня для усилителя считывания, содержащий три элемента заданиярежима на резисторах, два нагрузочных элемента на транзисторах, дна усилительных эле мента на транзисторах и два токозадающих элемента на транзисторах, базы транзисторов нагрузочных элементов являются информационными входами преобразоватйля уровня, коллекторы подключены к шине питания, а эмиттеры соединены соответственно с первыми выводами резисторов перного и второго элементов задания режима, другие выводы которых являются информационными выходами преобразователя уровня,. эмиттеры транзисторов усилительных элементов и один вывод резистора третьего элемента задания режима подключены к шине нулевого потенциала, второй вывод резистора третьего элемента задания режима, базы транзисторов усилительных элементов и эмиттеры транзисторов усилительных элементов объединены, коллекторы транзисторов усилительных элементов соединены с соответстнующими базами транзисторов токозадающих элементов и вторыми выводами резисторов первого и второго элементов задания режима, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения быстродействия преобразователя5 1508280 6 уровня, в нем коллектор транзистора - тор транзистора второго токозада опервого токозадающего элемента сое- щего элемента соединен с эмнттером динен с эмиттером транзистора перво- транзистора второго нагрузочного элего нагрузочного элемента, а коллек ента.

Составитель В.Гордоиова

Редактор М.Циткина Техред А. Кравчук Корректор . Л,Вескид

Заказ 5546/54 Тирам 558 Подписное .ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35 ° Рауаская иаб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.умгород, ул. Гагарина, 101