Способ распиловки кристаллов

 

Изобретение относится к обработке криааллов , применяемых, в частности: при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИКлазеров , сцинтилляционных детекторов, акустичесKV1X звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической , ядерной и оптико-механической промышленности . Целью изобретения является повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь криаалла при его раскрое. Цель достигается тем, что в способе, вкпючающем направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, нити придают колебательные движения в плоскости распиловки с регулируемыми амплитудой и частотой При этом амплитуду выбирают от 0,5 до 4 мм, а частоту - от 0,5 до 4,5 Гц. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4317688/23 (22) 19.10.87 . (46) 30.12.93 Бюл Иа 47-48 (72) Горилецкий В.и„ Радкевич АВ„Федько ВФ„

Эйдельман йГ. (54) СПОСОЬ РАСПИЛОВКИ КРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении . активных и пассивных оптических элементов ИКлазеров, сцинтилляционных детекторов, акустических звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электро(в) 3Ц (и) 1511979 А1 (51) 5 В2805 00 технической, ядерной и оптико-механической промышленности. Целью изобретения является повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое. Цель достигается тем, что в способе, включающем направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, нити придают колебательные движения в плоскости распиловки с регулируемыми амплитудой и частотой При этом амплитуду выбирают or 05 до 4 мм, а частоту — от

0,5 до 4,5 Гц. 1 табл..

1511979

«Амплиту частота, R

Составитель Г.Афиногенова

Редактор Е,Зубиетова Техред M.Моргентал Корректор В.Петраш

Зака" 3468

Тираж Подписное

НПО "Поиск" Роспатента

113035, Москва. Ж 35. Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина 101

Предлагаемое изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИК-лазеров, сцинтилля цион н ых детекторов, акустических звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической, ядерной и оптико.-механической промышленности. . Целью предлагаемого изобретения являегся повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое..

Способ осуществляется следующим образом. Приводят в движение нить против часовой стрелки, подают воду на вращающуюся нить, сообщают нити колебательные движения с определенной амплитудой и частотой в зависимости от высоты контакта нити с кристаллом, определяемые из таблицы.

Осуществляют процесс распиловки кристалла.

При амплитудах колебательных движений менее 0,5 мм с любой частотой эффект равномерного смачивания нити не наблюдается. При амплитудах больших 4,0 мм наблюдается понижение производительности процесса распиловки тем больше, чем меньше частота. Для реального использования нецелесообразно L пользовать амплитуды

Формула изобретения

СПОСОБ РАСПИЛОВКИ КРИСТАЛЛОВ, включающий направленное растворение кристалла смоченной в воде вращающейся бесконечной нитью, отличающийся тем, что, с целью повышения променее 0,5 мм и более 4 мм, а частоты менее

0,5 Гц и более 4,5 Гц.

Пример. Резка кристаллов диаметром до 500 мм проводилась на серийной автоматизированной нитяной пиле, оснащенной датчиком положения нити. При отсутствии контакта нити с кристаллом датчик подает команду, по которой нить подается вперед до соприкосновения с кристаллом, при этом

10 меняется ее геометрическое положение: отклонение от вертикали. Изменение положения нити фиксируется датчиком, который подает на исполнительный орган команду

"Назад", и как только нить выпрямляется, 15 вновь поступает команда "Вперед" и т.д.

Таким образом, за счет растворения кристалла нить непрерывно продвигается вперед, совершая колебательные движения в плоскости распиловки, удерживая нить в по20 ложении, близком к вертикальному.

При распиловке кристалла хлорида калия диаметром 500 мм достигнута производительность процесса распиловки 950 см /ч, а локальные отклонения от проект2

25 ной плоскости не превышали 2-3 мм. В сравнении с нормальным, без колебательных движений нити, режимом производительность реза увеличилась в 1,5 раза при снижении потерь на 40 .

З0 (56) Авторское свидетельство СССР

М 1248824, кл. В 28 D 5/04, 1986. изводительности процесса распиловки и снижения потерь кристалла, нити дополнительно придают колебательное движение в плоскости распиловки с амплитудой 0,5 - 4 мм и частотой 0,5 - 4,5 Гц.

Способ распиловки кристаллов Способ распиловки кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к механической обработке твердых хрупких неметаллических материалов, а именно для разделения полупроводниковых материалов на пластины на станках многолезвийной резки, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к обработке монокристаллов и может быть использовано на операциях распиливания

Изобретение относится к области обработки мат ериалов для художественных изделий типа янтаря, органического стекла, дерева, кости и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к обработке хрустальных подвесок и драгоценных камней и может быть использовано нри производстве светотехнических и ювелирных изделий

Изобретение относится к обработке алмазов в бриллианты и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к обработке кристаллов и может быть использовано при обточке рундиста бриллианта в ювелирной промьшшенности

Изобретение относится к области обработки монокристаллов, а именно к резке водорастворимых кристаллов смоченной нитью, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к обработке драгоценных камней и обеспечивает повышение эффективности изготовления круглого бриллианта полной огранки из монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра за счет шлифования ребер монокристалла до образования шестигранной пирамиды, охватывающей нижнюю часть будущего бриллианта, и осуществления огранки нижней части бриллианта при расположении первой обрабатываемой грани бриллианта под углом 9-13 относительно одной из естественных граней шестигранной пирамиды, при этом площадку бриллианта располагают в плоской сетке октаэдра алмаза, 14 ил. Изобретение относится к обработке кристаллов алмаза в бриллианты

Изобретение относится к резке полупроводников и других твердых кристаллов, в частности к алмазным отрезным кругам Цель изобретения - снижение себестоимости обработки путем сокращения расхода материалов
Изобретение относится к обработке алмазов, а именно к нанесению несмываемой линии на алмаз
Изобретение относится к обработке алмазов, а точнее к способу изготовления алмазных украшений с использованием метода нанесения несмываемых линий (гравировки) на алмазе

Изобретение относится к области технологии обработки поверхности геолого-минералогических аншлифов в лабораторной практике, а также к технологии шлифовки и огранки поделочного и ювелирного камня

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к производству бриллиантов, а также может быть применено при распиливании драгоценных камней

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых подложек и предназначено для использования на операциях резки монокристаллов кремния на пластины в электронной промышленности

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к способам обработки янтарного сырья преимущественно мелких фракций и получения янтарных изделий, а также различных композиций, в состав которых входит янтарь
Наверх