Способ изготовления бриллианта

 

Изобретение относится к обработке драгоценных камней и обеспечивает повышение эффективности изготовления круглого бриллианта полной огранки из монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра за счет шлифования ребер монокристалла до образования шестигранной пирамиды, охватывающей нижнюю часть будущего бриллианта, и осуществления огранки нижней части бриллианта при расположении первой обрабатываемой грани бриллианта под углом 9-13 относительно одной из естественных граней шестигранной пирамиды, при этом площадку бриллианта располагают в плоской сетке октаэдра алмаза, 14 ил.

Изобретение относится к обработке кристаллов алмаза в бриллианты. Цель изобретения повышение эффективности изготовления круглого бриллианта полной огранки из монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра. На фиг. 1 показан бриллиант круглый Кр-17; на фиг. 2 то же, вид сверху; на фиг. 3 то же, вид снизу; на фиг. 4 бриллиант Кр-57, профиль; на фиг. 5 то же, вид сверху; на фиг. 6 то же, вид снизу; на фиг. 7 кристалл алмаза ПВ, вид сверху; на фиг. 8 то же, профиль; на фиг. 9 шлифуемая площадка; на фиг. 10 шлифуемые угловые грани нижней части, вид снизу; на фиг. 11 - полуфабрикат алмаза ПВ с обработанными угловыми гранями; на фиг. 12 - обтачиваемый полуфабрикат после подшлифовки; на фиг. 13 обточенный полуфабрикат; на фиг. 14 смещение угловых граней нижней части полуфабриката при шлифовании шестигранника в восьмигранник, вид снизу. Способ осуществляется следующим образом. Для изготовления бриллиантов круглой формы Кр-57 используют кристалл алмаза формы ПВ, имеющего оси симметрии, расположенные в следующем порядке: L2 через середину ребра (шва срастания) и противоположную вершину; L3 через центры противоположных граней октаэдра; L4 через противоположные грани куба. Обработку осуществляют следующим образом. На одной из граней октаэдра шлифуют площадку Р с двойным противоположным переносом под углом 5o к плоскости ограночного диска (фиг. 9). Затем производят подшлифовку трех угловых граней кристалла (фиг. 10 и 11) под углом 45o по отношению к площадке Р с образованием шестиугольника (фиг. 12) после чего обтачивают полуфабрикат с расположением плоских сеток кристаллов алмаза следующим образом. Ромбододекаэдра перпендикулярно площадке, октаэдра параллельно площадке, куба параллельно граням нижней и верхней частей будущего бриллианта. Далее производят огранку шестиугольной нижней части, получая восьмигранник (фиг. 14) со смещением угловой грани шестиугольника на угол 11o к плоскости ограночного диска; после чего производят окончательную обработку площадки и огранку верхней части с углами наклона граней низа 42o, граней верха a 35o, высотой рундиста h 3% размером площадки d 60% от диаметра бриллианта. 2 4 6 8 10 12

Формула изобретения

Способ изготовления бриллианта, включающий ориентацию будущего бриллианта площадкой в плоской сетке октаэдра алмаза, шлифование площадки, обработку рундиста и огранку нижней и верхней частей бриллианта, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности изготовления круглого бриллианта полной огранки из монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра, после шлифования площадки производят шлифование ребер монокристалла до образования шестигранной пирамиды, охватывающей нижнюю часть будущего бриллианта, а огранку нижней части бриллианта осуществляют при расположении первой обрабатываемой грани бриллианта под углом 9 13° относительно одной из естественных граней шестигранной пирамиды.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к резке полупроводников и других твердых кристаллов, в частности к алмазным отрезным кругам Цель изобретения - снижение себестоимости обработки путем сокращения расхода материалов

Изобретение относится к обработке драгоценных камней и обеспечивает повышение эффективности обработки монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра за счет обработки рундиста последовательной обточкой равными радиусами вокруг трех осей, каждая из которых расположена в плоскости, проходящей через вершину монокристалла перпендикулярно противолежащему ей ребру, и осуществления огранки симметрично оси третьегo порядка монокристалла с образованием нечетного количества граней, при этом площадку бриллианта располагают в плоской сетке октаэдра алмаза

Изобретение относится к механической обработке монокристаллов, преимущественно полупроводниковых

Изобретение относится к машиностроению , в частности может быть использовано в конструкциях металлорежущих станков, манипуляторов и другого технологического оборудования

Изобретение относится к области механической обработки твердых и хрупких материалов и может быть использовано при сверлении отверстий в изделиях из керамики и стекла
Изобретение относится к обработке алмазов, а именно к нанесению несмываемой линии на алмаз
Изобретение относится к обработке алмазов, а точнее к способу изготовления алмазных украшений с использованием метода нанесения несмываемых линий (гравировки) на алмазе

Изобретение относится к области технологии обработки поверхности геолого-минералогических аншлифов в лабораторной практике, а также к технологии шлифовки и огранки поделочного и ювелирного камня

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к производству бриллиантов, а также может быть применено при распиливании драгоценных камней

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых подложек и предназначено для использования на операциях резки монокристаллов кремния на пластины в электронной промышленности

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к способам обработки янтарного сырья преимущественно мелких фракций и получения янтарных изделий, а также различных композиций, в состав которых входит янтарь
Наверх