Способ получения интерференционного слоя

 

Изобретение относится к оптическому приборостроению, в частности к технологии изготовления оптических покрытий, и может быть использовано для создания таких покрытий, как просветляющие защитные, зеркальные, фильтрующие и другие. Изобретение позволяет повысить точность значения преломления и увеличить термическую стойкость слоя преимущественно для инфракрасной области спектра при использовании слоя в наклонных пучках лучей с углом падения Θ. Способ заключается в нанесении на подложку пленкообразующих материалов с высоким n_в и низким n_н показателями преломления, причем n_н < n < n_в. Толщина слоев в долях , где λ - рабочая длина волны при падении пучка под углом q, определяются из математических соотношений. Число пар слоев m ≥5.

Изобретение относится к области оптического приборостроения, в частности к технологии изготовления оптических покрытий, и может быть использовано для создания таких интерференционных покрытий как просветляющие, защитные, зеркальные, фильтрующие и другие. Целью изобретения является повышение точности значения показателя преломления n_з и увеличение термической стойкости слоя преимущественно для инфракрасной области спектра при использовании в наклонных пучках света. Полученный по данному способу интерференционный слой может являться составной частью более сложных интерференционных покрытий, однако даже в виде четвертьволнового слоя он может быть применен в качестве эффективных инфракрасных просветляющих покрытий или в качестве широкополосных защитных покрытий для водораствоpимых щелочно-галлоидных кристаллов, что вытекает непосредственно из условия получения слоя показателем преломления n_з, равным показателю преломления подложки. Указанным способом может быть изготовлено просветляющее покрытие для оптических деталей из ZnSe на длину волны 10,6 мкм для угла Θ 0. Эффективный показатель преломления слоя задается n_з 1,55. С учетом приемлемых оптических и эксплуатационных свойств выбираются пленкообразующие материалы BaF₂ и PbF₂. С учетом экспериментальных данных, свидетельствующих о лучшей адгезии BaF₂ к ZnSe был выбран вид слоя (h_нh_в)^m, где m принимается равным 10, в связи с удобством фотометрического контроля толщин единичных слоев на пропускание на контрольных длинах волн около 0,5 мкм. Затем определяются толщины слоев h_н и h_в, которые составили 0,044 для слоя с низким показателем преломления и 0,056 с высоким. Пленкообразующие материалы загружаются в резистивные испарители вакуумной установки ВУ-1А, после чего четвертьволновый слой наносится термическим испарением в вакууме с использованием штатных систем управления испарителями и фотометрического контроля толщин слоев. Значение коэффициента отражения полученного покрытия на рабочей длине волны не превышали 0,05% (с точностью измерительного прибора). По критерию возникновения микротрещин покрытие имеет порог разрушения около 400^oC. Широкополосное защитное покрытие может быть изготовлено предложенным способом, например, для кристалла KCl с показателем преломления h 1,46. При этом покрытие может быть выполнено десятислойным из материалов BaF₂ и PbF₂ с толщинами слоев h_в 0,0768, и h_н 0,0232, или из материалов BaF₂ и As₂S₃ с толщинами h_н 0,091 и h_в 0,0086. Предложенное покрытие имеет неравномерность отражения не более 0,25% в широком спектральном интервале.

Формула изобретения

Способ получения интерференционного слоя с заданным значением показателя преломления n_з, заключающийся в нанесении на заготовку пленкообразующих материалов с высоким n_в и низким n_н показателями преломления, причем n_н < n_з < n_в, отличающийся тем, что, с целью повышения точности значения показателя преломления n_з и увеличения термической стойкости слоя преимущественно для инфракрасной области спектра при использовании слоя в наклонных пучках лучей с узлом падения Θ последовательно наносят m пар чередующихся слоев пленкообразующих материалов с показателями преломления n_в и n_н, причем оптические толщины слоев h_в с высоким показателем преломления и h_н с низким показателем преломления, выраженные в долях где λ рабочая длина волны, равны при этом m ≥ 5.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000        

---