Фоточувствительная структура с переносом заряда

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К Д BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

MPH П(НТ СССР (46) 30. 04. 9! . Вюл. !! - 6 (21) 4322959/25 (22) 30,10,87 (72) Л,М,Василевская, В,П,Кива, В,А.Фролов и А.И.Хатунцев (53) 621.382 (088,8) (56) Костюков Е,В. и др. Линейные фоточувствительные микросхемы с зарядовой связью K1200ЦЛ5 и К1200ЦЛ6, Электронная промышленность, !987, И 3, с, 19-22, Василевская Л,М, и др. Линейная фоточувствительная ., микросхема с зарядовой связью типа K1200ЦЛ2, Электронная промышленность, i!i 7, 1982, с, 10-13, (54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА

С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в формирователях сигнала иэображения на приборах с зарядовой связью, Цель изобретения — сокращение времени и упрощение процесса измерения коэффициента передачи модуляции °

На чертеже представлена предлагаемая фоточувствительная структура, вид в плане.

Фоточувствительная структура с переносом заряда содержит секцию i с фоточувствительными ячейками 2, транспортный регистр 3, светоэащитный экран 4, расположенный над фоточувствительными ячейками 2, окна 5 в светозащитном экране 4, которые образуют периодическую последователь„„SU„„1515969 A1 (51)5 Н 01 Ь 27/!4, G 01 Н 31/26 (57) Изобрел ение относится к полупроводникoвoи технике, llелью изобретения явля ется сокраще»в»е времени и упрощение процесса и амер <п»я коэффициента передачи модуляции, Фоточувствительная структура с переносом зарядаа, содержащая фоточувствительную секцию, транспортный регистр и светоэащитный экран, расположенный иад ячейками фоточувстяительиой секции> часть светозащитного экрана, расположенного над фоточувствительными ячейками, снабжена окнами, которые образуют периодическую структуру чередующихся закрытых и раиного нм числа открытых фоточувствительных ячеек. 1 ил. ность чередующихся эакрытых и равного им числа открытых фоточувствительных ячеек 6 и 7, При освещении фоточувствительной структуры равномерным потоком оптического излучения в открытых фоточувствительных ячейках структуры ир<исходит накопление фотогенерируемых носителей заряда, По окончании ïð<çцесса накопления сформированиюe зарядовые пакеты переносятся в г< ответствующие ячейки трансиорти>г< регистра, который осуществляет их иерен«с к выходному устройству ирн«»ра, Сформированная так и образом и< сэ<едонательность зарядовых пакетов ирод<.тавляет =обой аналог сигнала, к«т<ня,<й формируется при подаче на фоточувствительную поверхность структуры иэобвого автомата, уменьшается трудоемкость процесса измерения коэффициента передачи модуляции.

Формул а и з о б р е т ения

Составитель А.Забиякнн

Техред Л.Олийнык

Редактор В,Фельдман

Корректор М. Васильева

Заказ 2145 Тираж 379 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,!01

3 1515969 ражения штриховой миры со IOOX контрастом иэображения. По выходному сигналу определяют коэффициент передачи модуляции, Изобретение позволяет сократить время и упростить процесс измерения коэффициента передачи модуляции, Сокращение времени и упрощение процесса измерения коэффициента передачи модуляции осуществляется за счет исключения операции фокусировки иэображения чередующихся светлых и темных.полос штриховой миры структуры, проецируемых диапроектором на фото- 15 чувствительную секцию, Hs обретение позволяет испольэ овать равномерную засветку фоточувствительной секции устройства. При этом 20 упрощается оптическая система эондоФоточувствительная структура с переносом заряда, содержащая секцию с фоточувствительными ячейками, транспортный регистр и светоэащитный экран, расположенный над фоточувствительными ячейками, о т л и ч а ю— щ а я с я тем, что, с целью обеспечения возможности контроля в процессе изГотовления структуры, часть светозащитного экрана содержит окна, которые образуют периодическую последовательность чередующихся закрытых и равного им числа открытых фоточувствительных ячеек,

Фоточувствительная структура с переносом заряда Фоточувствительная структура с переносом заряда 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано в устройствах приема и обработки оптической информации, в голографШ1еских запоминающих устройствах, в устройствах ввода изображений в ЭВМ

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к твердотельным формирователям сигналов изображения и может быть использовано в телевизионных системах, приборах для научных исследований и системах специального назначения

Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам

Изобретение относится к полупроводниковой технике

Изобретение относится к области интегральной мирокэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано для измерения коэффициентов усиления высоковольтных транзисторов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и направлено на контроль качества сборки силового полупроводникового прибора и охладителя

Изобретение относится к энергетической фотометрии и предназначено для повышения точности измерения потока излучения полупроводниковых излучателей

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано как для контроля монтажа изделий радиоэлектронной аппаратуры, так и для проверки отдельных радиоэлементов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для ускоренного контроля полупроводниковых р-п-переходов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх