Способ определения качества изготовления тиристора
Способ определения качества изготовления тиристора, включающий измерение времени выключения тиристора, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения достоверности способа, повторно выключают тиристор, регистрируют зависимость прямого тока через тиристор от времени, в момент снижения прямого тока через тиристор до нуля прикладывают положительное напряжение к металлизации катодной области тиристора относительно металлизации управляющего электрода, измеряют время выключения тиристора и считают годными тиристоры, у которых t1 = t2, где t1, t2 - время выключения тиристора при первом и втором измерениях соответственно.
Похожие патенты:
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для ускоренного контроля полупроводниковых р-п-переходов
Изобретение относится к измерительной технике
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушающего контроля полупроводниковых материалов
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для измерения характеристик МДП-структур в процессе их производства
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров
Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Устройство для контроля светодиодов // 2130617
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов
Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
