Способ определения порога вторичной электронной эмиссии металла

 

Изобретение относится к области электронного машиностроения и может быть использовано при конструировании и изготовлении устройств, в работе используется явление электронной эмиссии с металлических поверхностей. Цель изобретения - повышение точности определения порога вторичной электронной эмиссии. Для определения порога вторичной эмиссии на исследуемую мишень направляют сфокусированный пучок медленных электронов. Подавая на сетку прибора отрицательный по отношению к мишени потенциал, получают распределение вторичных электронов по энергиям. Для определения эффективного электронного сродства Х<SB POS="POST">эф</SB> из полученных вторичных электронов вычитают упругоотраженные и по электронам, энергии которых меньше энергии электронов в первичном пучке, находят значения Х<SB POS="POST">эф</SB>. На построенном графике зависимости Х<SB POS="POST">эф</SB> от энергии первичных электронов Е<SB POS="POST">р</SB> по излому на нем определяют величину порога вторичной эмиссии. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 G 01 N 23/22

Ц," гГ,Р У1ЩР э ".ii:!ДЯ -А

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4158213/31-25 (22) 05,12.86 (46) 30.10.89. Бюл. N - 40 (71) Восточно-Сибирский технологический институт (72) А.П.Кудряш, А.H.Броздниченко и И.И.Хинич (53) 537.533.37(088.8) (56) Бронштейн И.М., Фрайман Б.С.

Вторичная электронная эмиссия. M.

Наука, 1969, с. 58.

Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В.

Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966, с. 354. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРОГА ВТО

РИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ МЕТАЛЛА (57) Изобретение относится к области электронного машиностроения и может быгь использовано при конструировании и изготовлении устройств, в рабоИзобретение относигся к электронному машиностроению и может быгь использовано при конструировании и изготовлении различных устройств, в работе которых используешься явление электронной эмиссии с металлических поверхностей.

Целью изобретения является повьппение точности определения порога вторичной электронной эмиссии (ВЭЭ) металла.

В способе определения порога Е мегалла, предусматривающем бомбардировку помещенной в откачанный прибор исследуемой мишени сфокусированным

„„SU„„1518745 А 1

2 те которых используется явление электронной эмиссии с металлических поверхностей. Цель изобретения — повьппение точности определения порога вторичной электронной эмиссии. Для определения порога вторичной эмиссии на исследуемую мишень направляют сфокусированный пучок медленных электронов ° Подавая на сетку прибора отрицательный по огношению к мишени потенциал, получа"ог распределение вторичных электронов по энергиям. Для определения эффективного электронного сродства з из полученных aiоричных электронов вычитают упругоотраженные и по электронам, энергии которых меньше энергии электронов в первичном пучке, находят значения у,, kIa построенном графике зависимости Х от энергии первичных элек греков Е < по излому пе кем апре- С деляют величину порога в.горичной эмиссии. 1 ил. пучком медленных электронов, для нахождения величины Е получают распре- р

P деления вгоричных электронов d, по энергиям в области малых энергий первичных электронов и строят график зависимости эффективного электронного сродства < от энергии первичных электронов, причем величину х вычисляют по экспериментальным значениям коэффициенга вторичной электронной эмиссии и количества элекгронов, входящих в вакуум с энергиями, меньшими энергии первичных элек.гронов, по формуле

1518 74 5 х, 1 +

Г + «- э 4

1 — <

Г «- эр

3 эН и у „= 3,5 эВ методом линейной интерполяции определялось соогветствующee данной энергии Е р

6,2 эВ значение

Х эФ

E б у ф

Г уэф F, ., 1

А

1 (,К,;

S0 где Е . — средние значения энергий электронов в каждом из интервалов разбиения была несколько меньше, а другая — несколько больше эксперим н55 тального значения тока мишени 1

Ь = 0,775. По этим двум значениям где А — коэффициент вторичной электронной эмиссии; у — эффективное электронное сродзр ство 10

Е; — энергия вторичных электронов количество вторичных электронов, выходящих в вакуум с энергией Е 15

Способ осуществляют следующим образом.

Мишень, изготовленную из поликрис— таллической вольфрамовой фольги толщиной 0,1 мм, тщательно обезгаживают 20 в вакууме -10 Торр при темпераryре 2500 К. Измерения проводят в г1иборе типа квазисферического конденсатора с антидинатронной сеткой. Источником электронов служила электронная 25 пушка с прямонакальным вольфрамовым катодом. Распределение вторичных электронов по энергиям получали методом электрического дифференцирования кривых задержки вторичного тока и за- 30 писывали на двухкоординатном самописце. х вычислялась для энергии первичэp ных электронов Е 6,2 эВ ° Поскольку разброс по энергиям в первичном пучке составлял 0,5 эВ,вторичные электроны, начиная с энергии 5,7 эВ, считались упруго отраженными, и поэтому разбиение кривой распределения проводилоcb вплоть до этoH энергии. Шаr 40 разбиения составлял 0,5 эВ. После определения количества электронов принадлежащих различным интервалам энергий, подбирались два таких донольно близких значения х,э,р= 3 эВ и 1,д, = 45

= 3,5 эВ, чтобы одна из соответствующих им сумм

+ 0 0 775-ОА740

3,21 эВ

Аналогичные вычисления x проводились для всех остальных значений Е

Как следует из представленной на чертеже (кривая 1) зависимости у z4, (E р) значение порога ВЭЭ для вольфраM;l равное 4,4 эВ оказалось весьма близ к им к р е коме ндо ванному в справочнике значению работы выхода вольфрама

4,54 эВ.

Затем на мишень напыпяли массивный слой платины и определяли порог ВЭЭ э того слоя (кривая на чертеже) полученное значение 5,7 эВ отличается от значения работы выхода платины 5,32 эВ. Одновременно с измерением пороговых значений энергии определялась и величина контактной разности потенциалов между вольфрамовой подложкой и напыленным

=поем платины по методу Андерсона, которая составила 1,3 эВ, что точно соответствует разности пороговых значений энергии для вольфрама и платины.

Ф о р мула изобретения

Способ определения порога вторичной электронной эмиссии металла, заключающийся в бомбардировке в вакууме исследуемой мишени пучком сфокусированных медленных электронов и регистрации энергетических распределений вторичных электронов при различных энергиях первичного пучка, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повьппения точности определения порога вторичной электронной эмиссии, измеряют количество электронов 6;, выходящих в вакуум с энергиями Е;, меньшими энергии первичных электронов, и полный ток вторичных электронов, по ко" торому определяют коэффициент вторичной электронной эмиссии Ь, затем по найденным величинам рассчитывают величину эфФективного электронного сродства х э, строят график зависимости «, or энергии первичных электронов и по излому на графике определяюг порог вторичной электронной эмиссии.

Составитель М.Севостьянов

Редактор Ю.Середа Техред Л.Сердюкова Корректор T.Ïàëèé

Заказ 6601/49 Тираж 789 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Способ определения порога вторичной электронной эмиссии металла Способ определения порога вторичной электронной эмиссии металла Способ определения порога вторичной электронной эмиссии металла 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам ядерно-физических методов анализа вещества и может бьггь использовано для определения содержания элементов , трансформируемых в позитронные излучатели, в меаллах, сплавах , композиционньк материалах и других веществах

Изобретение относится к электронно-зондовому микроанализу твердых тел

Изобретение относится к ядерно-физическим методам анализа и , в частности, к способам изготовления стандартных образцов, используемых в ходе проведения анализа

Изобретение относится к анализу материалов с помощью рентгеновского излучения, а именно к области пробоподготовки образцов для рентгенофлуоресцентного анализа

Изобретение относится к области аналитической химии ,в частности, к анализу материалов рентгеноспектральными методами

Изобретение относится к анализу материалов ядерно-физическими методами ,в частности, к подготовке образцов для проведения рентгенофлуоресцентного анализа

Изобретение относится к области рентгеновского анализа элементного состава руд

Изобретение относится к аппаратуре для физических исследований твердых тел методами вторичной эмиссии и может применяться для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной эмиссии

Изобретение относится к рентгеноспектральным аппаратам количественного состава вещества, в частности к многоканальным кристалл-дифракционным рентгеновским флуоресцентным спектрометрам
Изобретение относится к методам анализа материалов радиационными способами и может быть использовано для определения тяжелых элементов, в том числе и благородных металлов при низких субфоновых их содержаниях в горных породах, рудах и минеральных при поиске, разведке и отработке рудных месторождений

Изобретение относится к неразрушающим методам анализа состава материалов с регистрацией флуоресцентного рентгеновского излучения и может быть использовано в любой области науки и техники, где требуется качественное и количественное определение содержания химических элементов

Изобретение относится к области исследований и анализа материалов путем определения их физических свойств, а именно для исследования параметров каналов нанометрических размеров в трековых мембранах, и может быть использовано при изготовлении объектов из трековых мембран для анализа с помощью просвечивающей электронной микроскопии

Изобретение относится к области неразрушающего контроля материалов и изделий, конкретнее к радиационной дефектоскопии, и может быть использовано для обнаружения малоконтрастных дефектов с помощью рентгеновских флюороскопов

Изобретение относится к области инструментального химического анализа, в частности к области аналитической химии

Изобретение относится к рентгеновским поляризационным спектрометрам (РПС) для рентгенофлуоресцентного анализа веществ

Изобретение относится к исследованию конструкций, содержащих делящееся вещество, например подкритических сборок и ТВЭЛов
Наверх