Способ изготовления силового полупроводникового прибора
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов. Цель изобретения - снижение трудоемкости изготовления и повышение процента выхода годных приборов. Способ включает следующие операции. В полупроводнике формируют дискретные эмиттерные участки, окруженные базовой областью. Формируют к эмиттерным участкам и базовой области контактную металлизацию. Выявляют непригодные эмиттерные участки. В общем электроде, предназначенном для контактирования всех эмиттерных участков, вырезают отверстия. Отверстия вырезают в местах, которых при контактировании электрода с полупроводником располагаются над непригодными эмиттерными участками. Отверстия вырезают с размерами по длине и ширине, превышающими размеры эмиттерных участков на величину от 0,02 до 0,03 мм. Способ позволяет автоматизировать приемы, исключающие контактирование общего электрода с непригодными эмиттерными участками. Способ позволяет исключить необходимость формирования специального защитного покрытия над непригодными эмиттерными участками.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов. Цель - снижение трудоемкости изготовления и повышение процента выхода годных приборов. П р и м е р реализации способа. В полупроводниковой подложке формируют 552 дискретных эмиттерных участка, окруженных базовой областью. Длина и ширина эмиттерных участков составляла 225 мкм. Травлением полупроводника выделяют базовую область и эмиттерные участки в отдельную меза-область. На эмиттерных участках и базовой области формируют контактную металлизацию. Выявляют непригодные эмиттерные участки. В качестве заготовки общего электрода используют молибденовый диск диаметром 76 мм и толщиной 0,2 мм. В нем вырезают отверстия, соответствующие местам контактирования электрода с выявленными непригодными эмиттерными участками. Для этого оператору лазерного станка передаются данные контроля по выявлению непригодных эмиттерных участков (координаты расположения непригодных эмиттерных участков), в соответствии с которыми оператор составляет программу перемещения стола лазерной установки для вырезания отверстий. Ширина и длина отверстий составляла 245 мм, что на 0,2 мм превышает длину и ширину эмиттерных участков. Общий электрод наносят на полупроводник. При этом вырезанные в общем электроде отверстия используют как pеперные знаки при совмещении электрода с рисунком эмиттерных участков полупроводника. Электрод на поверхности полупроводника фиксируют с помощью кремний-органического лака типа КЛТ по его периферии. (56) Заявка Японии N 60-957, кл. Н 01 L 29/74, 1985. Заявка Японии N 59-13372, кл. Н 01 L 29/74, 1984.
Формула изобретения
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий создание в полупроводнике базовой области, формирование окруженных базовой областью локальных эмиттерных участков, нанесение контактной металлизации на эмиттерные участки и базовую область, выявление непригодных эмиттерных участков, нанесение на полупроводник общего электрода, контактирующего с металлизацией пригодных эмиттерных участков, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения процента выхода годных приборов, перед нанесением на полупроводник общего электрода в последнем создают отверстия в тех его местах, которые при контактировании электрода с полупроводником располагаются над выявленными непригодными эмиттерными участками, с размерами по длине и ширине, превышающими размеры эмиттерных участков на величину от 0,02 до 0,3 мм.
