Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработку проводят при температуре от 577^oC до 0,95 температуры плавления силумина заэвтектического сстава.

Способ создания металлизации интегральных схем // 1389603

Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры // 1369598

Способ изготовления фотопреобразователей // 1356886

Способ никелирования мезаструктур, защищенных свинцово- силикатными стекловидными пленками // 1340484

Способ изготовления полупроводниковых приборов с барьером шоттки на фосфиде индия // 1335056

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1335055

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем // 1331364

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа // 1321313

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам, изготовленным на основе соединений A3B5 p-типа

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1294213

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении металлизации интегральных схем

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др