Способ контроля транзисторов

 

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для контроля транзисторов. Цель изобретения - повышение достоверности контроля путем сравнения напряжений между эмиттером и коллектором и между эмиттером и базой транзистора, эмиттер и коллектор которого подключены к общей шине через равные сопротивления. Способ включает снятие зависимости напряжения между эмиттером и коллектором U<SB POS="POST">эк</SB> от тока базы для эталонного транзистора, определение тока базы, соответствующего максимуму этой зависимости, определение напряжений между выводами исследуемого транзистора при этом токе базы. Транзисторы исправны при выполнении условия 0 *98 U<SB POS="POST">эк</SB> *98 0,9 U<SB POS="POST">бэ</SB>, где U<SB POS="POST">бэ</SB> - напряжение между эмиттером и базой этого транзистора. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1524017 (51)4 (: 01 Н 31 26..L

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4331793/24-21 (22) 04.11 .87 (46) 23.11..89..Бюл. .М 43 (75) В.И.Турченков (53) 621.382.2 (088 ° 8) (56) Радио, 1982, М 6, с 50.

Радио, 1 984, М 6, с.57. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для контроля транзисторов.

Цель изобретения — повышение достоверности контроля путем сравнения напряжений между эмиттером и коллекИзобретение относится к импульсной технике и предназначено для контроля исправности транзистора °

Цель изобретения — повьш ение достоверности контроля путем сравнения напряжений на базовых прямосмещенных переходах транзистора.

На фиг.l показана блок-схема устройства для контроля транзисторов; на фиг.2 — типичная зависимость разности напряжений между базовыми пе реходами транзистора типа КТ 605 от тока базы.

Устройство, реализующее способ контроля (фиг.l), содержит клеммы

1-3 подключения электродов транзистора, источник 4 тока, задаваемого в базу транзистора, резисторы 5 и 6, соединенные первыми выводами с общей шиной, а вторыми выводами соответственно с клеммами 2 и 3, элемент 7

2 тором и между эмиттером и базой тран— зистора, эмиттер и коллектор которо— го подключены к общей шине через равные сопротивления. Способ включает снятие зависимости напряжения между эмиттером и коллектором (U ) от тока базы для эталонного транзистора, определение тока базы, соответствую щего максимуму этой зависимости, опре-деление напряжений между выводами исследуемого транзистора при этом токе базы. Транзисторы исправны при выполнении условия 0 U 0,9 U< где 1! — напряже .ие между эмиттером

H базин этого транзистора. 2 ил. суждения, входы которого соединены с клеммами 2 и 3, а выход — с бло— ком 8 фиксации результатов сравнения с заданными величинами напряжений.

Экспериментально установлено, что при выборе резисторов 5 и 6 с рав— ными сопротивлениями зависимость напряжения между эмиттером и коллектором транзистора от величины тока через базу транзистора имеет вид, отраженный на фиг.2, Величина первого максимума обычно приходится на диапазон токов от 0,15 до 1,5 мА, при этом для кремниевых транзисторов падение напряжения на базовом переходе составляет не менее 0,4 В, а для германиевых транзисторов — не менее

0,2 В. Для надежности контроля рекомендуется следующий диапазон, применимый для всех типов транзисторов, 152401 7

Формула изобретения

Способ контроля транзисторов, включающий пропускание тока через базу контролируемого транзистора, у которого эмиттер и коллектор через резисторы подсоединены к одному потенциаС .<

Составитель В,Масловский

Редактор Л,Зайцева Техред M.xîäàíè÷

Корректор М.Шароши

Заказ 7039/48 Тираж 714 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

0,01 В U,„(0,18 В, при этом ток базы задают равным 0,9 мА (фиг. 2)

Так им образом, при подсоединении проверяемого транзистора к клеммам

1-3, задании тока базы в клемму 1, примерно равного 0,9 мА, и измерении напряжения между клеммами 2 и 3 производят сравн .ние волоком 7 результатов измерения с приведенным неравен— ством, при этом транзисторы исправны в том случае, если измеренное напряжение более 0,01 В, но менее

0,18 В. Об исправности транэистрра сигнализирует блок 8.

15 лу, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, предварительно для эталонного транзистора увеличивают ток базы, снимают зависимость напряжения между коллектором и эмиттером от тока базы при одинаковых сопротивлениях резисторов и фиксируют ток базы, соответствующий максимуму напряжения между базой и эмиттером, а затем для контролируемого транзистора ток че— рез базу пропускают той же фиксированной величины и при тех же одинаковых сопротивлениях резисторов, измеряют напряжение между базой и эмиттером и между коллектором и эмитте— ром, а об исправности транзистора судят при выполнении соотношения

0 (иэ. (0.9 Uð á где U „- напряжение между коллектором и эмиттером, — напряжение между базой и эмиттером.

Способ контроля транзисторов Способ контроля транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано для измерения коэффициентов усиления высоковольтных транзисторов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и направлено на контроль качества сборки силового полупроводникового прибора и охладителя

Изобретение относится к энергетической фотометрии и предназначено для повышения точности измерения потока излучения полупроводниковых излучателей

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано как для контроля монтажа изделий радиоэлектронной аппаратуры, так и для проверки отдельных радиоэлементов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для ускоренного контроля полупроводниковых р-п-переходов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх