Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение стабильности и уменьшение искажений выходных импульсов тока. Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти содержит две группы нечетных и четных транзисторных ключей, двухполярный диодный коммутатор, элементы восстановления в виде диодов, формирователь тока, основной и дополнительный источники питания. В устройстве за интервал времени T=T<SB POS="POST">1</SB>+T<SB POS="POST">2</SB>+T<SB POS="POST">3</SB> в индуктивной катушке формируется положительный (прямой) импульс тока трапецеидальной формы. Аналогичо за интервал времени T=T<SB POS="POST">4</SB>+T<SB POS="POST">5</SB>+T<SB POS="POST">6</SB> в катушке формируется отрицательный (обратный) импульс тока трапецеидальной формы. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (!91 (И) 7 А1 (д)) 4 G ll С 1)/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTNPbfTHRM

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 ) ) 4258185/24-24 (22) 08 . 06 . 87 (46) 07,1 2.89. Бюл. ¹ 45 (72) В.П. Кузьмин и А.И, Васин (53) 68).327.66(088.8) (56) Патент США № 424791l,кл.365-6, опублик. 198).

Патент США № 4310898,кл.365-6, опублик.)982. (54) УСТРОЙСТВО ВОЗБУЖДЕНИЯ ВРАЩАЮщкгося иАгнитного поля для доюнной

ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминанщих устройств иа цилиндричесих магнитных доменах (Ц11Д), Цельн изобретения является повышение стабильноИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (Щ Д), Целью изобретения является повышение стабильности и уменьшение искажений выходных импульсов тока.

На фиг. 1 изображена блок-схема предлагаемого устройства, на фиг.2» принципиальная схема устройства,на фиг. 3 — временная диаграмма его работы.

Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти содержит две группы 1 и

2 нечетных и четных транзисторных ключей 3-10, базы 11 -18 которых являются группой управляющих вхости и уменьшение искажений выходных импульсов тока. Устройство возбуждения вращанчщегося магнитного поля для доменн и памяти содержит две группы нечетных и четных транзисторных ключ. й, двухполярный диодный коммутатор, элементы восстановления в виде диодов, формирователь тока, основной и дополнительный источни-. ки питания. В устройстве за интервал гремени t = t, + t + t в индуктивной катушке формируется лоложительный (прямой) импульс тока трапецеидальной формы. Аналогично эа интеРвал вРемени г. = t4 + t + Сь в катушке формируется отрицательный (обратный) импульс тока трапецеидальной формы. 3 ил. дов устройства, двухполярный диодный коммутатор 19, нечетные и четные входы 20-23 которого подключены соответственно к эмиттерам нечетных транзисторных ключей и коллекторам четных транзисторных ключей обеих групп, а выходы 24 и 25 коммутатора 19 являются выходами устройства, элементы восстановления в виде диодов 26-29, формирователь 30 то— ка с управляющим входом 31 и вых»дом 32, причем вход 31 является первым управляющим входом устройства, формирователь 33 напряжения с управляющим входом 34 и выходами 35 и

36, причем вход 34 является вторым управляющим входом устройства, c ñновной и дополнительный источ и п питания Е пi и Р яа ° причем Гп E t,z.!

527667

Коммутатор 19 содержит диоды 3752, резисторы 53-56 обратного смещения диодов коммутатора, катушки 5760 индуктивности доменной памяти.

Формирователь 30 тока содержит формирователь 61 управляющего напряжения -.Рапецеидальной формы, транзистор 62 и токозадающий резистор 63.

Формирователь 33 напряжения содержит транзистор 64, ограничительные диоды 65 и 66 и импульсный трансформатор 67.

Устройство работает следующим образом. 15

В исходном состоянии все диоды и транзисторы закрыты. Рассмотрим случай возбуждения катушки 57. Работа устройства начинается в момент времени t< при одновременном включении 20 ключей 3 и 8 и формирователей 30 и

33. Управляющие сигналы подаются соответственно на входы 11, 1 6,,31 и

34 (фиг.За-г). Выходные импульсы формирователя 30 тока имеют заданную 25 от формирователя 61 трапецеидальную форму, состоящую из четырех временных интервалов (фиг.Зи):времени нарастания тока t „(tр.), времени плоской вершины тока (Тз-), времени спада тока t> (t6), времени паузы между токами разной полярности С7(1 ), причем выполняются условия

= t4 = t, t = t и t, — Е <СЕ,, в частном случае t7 = Св-0.

Транзистор 62 работает в активном режиме, который обеспечивается более положительным напряжением на коллекторе (выход 32) по отношению к напряжению на базе транзистора.

B интервале времени t 1(t ) транзистор 64 открыт, а высокое нанряжение питания Ещ поступает на выход 35 (фиг.Зж). В интервале времени t (t ) транзистор 64 закрыт и на выход 35 45 через диод 65 поступает низкое напряжение питания F (фиг.Зж). В интервале времени t (t ) линейный спад тока в к атушке 57 (фиг . Зк) происходит,, через трансформатор 67. Благодаря под-, 0 ключе нин вторичной обмотки трансформатора через диод 66 и источнику низкого напряжения питания Е р на выходе 36 образуется прямоугольный импульс отрицательной поляРности, амплитуда которого при коэффициенте трансформаиии 1:,1 примерно равна величи е ичине Е а длительность-времени спада t. > (фиг. Зз) .

В интервале времени t линейно на( растающий ток протекат по цепи источник напряжения питания Ер< - ключ

64 — ключ 3 — диод 37 - катушка 57 диод 46 — ключ 8 — транзистор 62.

В интервале времени t ток постоян2 ной амплитуды протекает от источника напряжения питания Е„ через диод 65 по той же цепи. В интервале времени ключ 8 включен, а ключ 3 выключен (фиг.Зв,r), Линейно спадающий ток протекает по цепи первичная обмотка трансформатора 67 — диод 26— диод 37 — катушка 57 — диод 46 ключ 8 — транзистор 62.

Таким образом, за интервал времеHH t = t < + t< + t з в индуктивной катушке 57 формируется положительный (прямой) импульс тока трапецеидальной формы (фиг. Зк) ° . Аналогичным образом за интервал времени

t = t + tz i tz в катушке 57 формируется отрицательный (обратный) импульс -ока трапецеидальной формы (фиг.Зк), при этом включены ключи

7,4 (фиг.Зд,е) и проводят ток диоды

45 и 36 и диод 28. Формирователи 30 и 33 работают так же, как и при формировании положительного импульса тока в катушке 57 (фиг.3a,б,ж,з).Аналогично устройство работает при выборе любой другой катушки 58, 59 ипи 60.

Формула из обре тения

Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти, содержащее две группы транзисторных клкчей, двухполярный дисдный коммутатор, выходы которого являются выходами устройства, нечетные информационные входы первой и второй групп двухполярного диодного коммутатора подключены к эмиттерам нечетных транзисторных ключей первой и второй групп соответственно, а четные информационные входы первой и второй групп двухполярного диодного коммутатора подключены к коллекторам четных транзисторных ключей первой и второй групп соответственно, базы транзисторных ключей обеих групп являются группой управляющих входов устройства, элементы восстановления в виде диодов, катоды которых соединены с эмиттерами соответствующих нечетных транзисторных ключей первой и второй групп, основ5 !52 ной источник питания, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения стабильности и уменьшения искажений выходных импульсов тока, оно содержит формирователь тока, формирователь напряжения и дополнительный источник питания, формирователь тока включен между эмиттерами четных транзисторных ключей обеих групп и шиной нулевого потенциала, а его управляю7667 6 щий вход является первым управляющим входом устройства, формировател напряжения подклкчен к обоим источ—

5 никам питания первый выход формироваВ теля напряжения подключен к коллекторам нечетных транэисторных ключей обеих групп, второй выход — к анодам диодов, а управляющий вход формировате— ля напряжения является вторым управляющим входом устройства.

1Еп1 Ела!

527667

rf i4ф

Составитель Ю. Розенталь

Техред M. Дидик Корректор Э.Лончаковэ

Редактор И. Шулла

Заказ 7515/54 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открьггиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

ПроизводствеHHQ-èçäàòåëüñêèé комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 н tl

Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти Устройство возбуждения вращающегося магнитного поля для доменной памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД ЗУ/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для ассоциативного поиска информации в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) и вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислителы1П11 технике и может бьт, использовано при иострпснии таноминлюших УСТрОЙСТП на ИИ-ЧЧПЛРИЧСГКИХ МШ ЧИТИЫХ домсплк, наксититпли которых содс ржат в Tpaine cMiiTi.inainiH рабочей и комненсацио11Н.П1 длтчяки

Изобретение относится к области вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к области функциональной электроники и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе магнитных пленок с плоскими магнитными доменами

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспортеров

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх