Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспортеров. Целью изобретения является повышение точности измерения путем определения распределения намагниченности насыщения по площади ячеек. Локальный диффузионный отжиг пленок феррит-гранатов в присутствии восстанавливающего агента приводит к перераспределению немагнитных ионов, замещающих железо, между тетраэдрической и октаэдрической подрешетками в структуре граната, при этом значительно изменяется намагниченность насыщения 4φМ, а константа одноосной анизотропии К и удельное фарадеевское вращение Θ<SB POS="POST">F</SB> практически не изменяются. Как следствие, изменяется эффективное поле одноосной анизотропии H<SB POS="POST">K</SB>=2K/M. Поскольку диффузионный отжиг является локальным, то распределение намагниченности является неоднородным как по толщине пленки, так и по диаметру ячейки.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1513515

А1 (51) 4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHO|VlV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4286681/24-24 (22) 20.07.87 (46) 07.10.89. Бюл. № 37 (75) В.В.Рандошкин (53) 681.327.66 (56) Физика магнитных пленок. Сборник. — Саранск, 1979, с.102-104 °

Авторское свидетельство СССР № 1300560, кл. G 11 С 11/14, 1985. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НЕОДНОРОДНОСТИ

ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспортеров. Целью изорретения является повьппение точ.ности измерения путем определения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть:использовано при разработке магнитооптических управляемых транспортеров.

Целью .изобретения является повыше-. ние точности измерения путем определения распределения намагниченности насыщения по площади ячеек.

В соответствии с предложенным способом измерение неоднородности доменосодержащей пленки с ячеистой структурой, полученной локальным диффузионным отжигом в присутствии восстанавливающего агента, осуществляют следующим образом.

Намагничивают доменосодержащую пленку до насыщения и воздействуют распределения намагниченности насыще- ния по площади ячеек. Локальный диффузионный отжиг пленок феррит-гранатов в присутствии восстанавливающего агента приводит к перераспределению немагнитных ионов, замещающих железо, между тетраэдрической и октаэдрической подрешетками в структуре граната, при этом значительно изменяется намагниченность насыщения 4пМ, а константа одноосной анизотропии К и удельное фарадеевское вращение 8 F практически не изменяются. Как следствие, изменяется эффективное поле одноосной анизотропии Н „=2К/М. Поскольку диффузионныи отжиг является локальным, д то распределение намагниченности является неоднородным как по толщине " пленки, так и по диаметру ячейки. на нее импульсным магнитным полем обратной полярности с переменной амплитудой, направленным перпендикулярно пЛоскости пленки, к плоскополязированным светом, регистрируют начало процесса импульсного перемагничивания ячеек вращением намагниченности и по распределению угла доворота плоскости поляризации проходящего через доменосодержащую пленку света по площади ячеек и местоположению границы перемагниченной области в начале процесса импульсного перемагничивания ячеек вращением намагниченности при разной амплитуде импульсного магнитного поля судят о распределении намагниченности насыщения по площади ячеек.

Суть изобретения заключается в следуюшем. Локальный диффузионный отжиг пленок феррит-гранатов в присутствии восстанавливающего агента приводит к перераспределению пемагнитных ионов, замещающих железо, между тетраэдрической и октаэдрической подрешетками в структуре граната, при этом значительно изменяется намагниченность насьпцения 4ГМ, а константа одноосной анизотропии К и удельное фарадеевское вращение Ор практически не изменяется. Как следствие, изменяется эффективное поле 15 одноосной анизотропии H,=2К/М. Поскольку диффузионный отжиг является локальным, то распределение намагниченности является неоднородным как по толщине пленки, так и по диа- 20 метру ячейки.

Как показывает опыт, при импульсном перемагничивании пленок ферритгранатов из насьпценного состояния при превышении действующим полем

Н=Н,-Н, эффективного поля одноосной анизотропии реализуется механизм перемагничивания вращением намагниченности, причем этот механизм явля- 30 ется наиболее "быстрым". Перемагничиваются области в доменосодержащей пленке, для которых Н (H а области с Н Н остаются неперемагниченными, Следовательно, местоположение границы перемагниченной области в начале процесса импульсного перемагничивания вращением намагниченности соответствует поверхности, на которой локальное значение Н равно дейст- .щ вующему полю Н. Глубину залегания этой поверхности в ячейке можно определить, измеряя угол поворота плоскости поляризации прошедшего через доменосодержащую пленку света в различных точках по площади ячейки. Изменяя Н, можно определить местоположение поверхностей, соответствующих различным значениям Н „. Поскольку

К и В не зависят от характера распределения немагнитных ионов между подрешетками граната, то предложенный способ позволяет определить распределение намагниченности насьпцения

go площади ячеек доменосодержащей пленки.

Пример. Предложенный способ был реализован на известной установке высокоскоростной фотографии. Источником плоскополяризованного света служил импульсный лазер на красителе, накачиваемый импульсным азотным лазером, синхронизированным с источником импульсного магнитного поля. Перемагничивание ячеек регистрировали известным способом. Импульсное магнитное поле имело время нарастания 10 нс и максимальную амплитуду 5„Ý. Была исследована пленка феррит-граната (Li, В1)з (Ре, Са),О « . Ячейки имели диаметр --150 мкм. Опыт показал, что значение 4пМ по толщине пленки изменяется на 30 Гс, а по диаметру — на

-.120 Гс, причем наиболее резкое изменение 4iiM имеет место в области шириной 5 — 15 мкм, а "граница" ячеек несколько наклонена по отношению к нормали к плоскости пленки.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки с ячеистой структурой, полученной локальным диффузионным отжигом в присутствии восстанавливающего агента, основанный на намагничивании доменосодержащей пленки до насыщения и воздействия на нее импульсным магнитным полем обратной полярности с переменной амплитудой, направленным перпендикулярно плоскости пленки, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения путем определения распределения намагниченности насьпцения по площади ячеек, во время действия импульсного магнитного поля воздействуют на доменосодержащую пленку плоскополяризованным светом, регистрируют начало процесса импульсного перемагничивания ячеек вращением намагниченности и по распределению угла поворота плоскости поляризации проходящего через доменосодержащую пленку света по площади ячеек и местоположению границы переиагниченной области в начале процесса импульсного перемагничивания ячеек вращением намагниченности при разной амплитуде импульсного магнитного поля судят о распределении намагниченности насьпцения по площади ячеек.

Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств.Целью изобретения является увеличение отношения сигнал/шум при считывании информации

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля и испытаний на надежность запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано для контроля параметров доменосодержащих пленок

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле доменосодержащих пленок для запоминающих устройств цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств с накопителями на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к устройствам управления для памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) в кассетном исполнении и может быть использовано в составе внешних запоминающих устройств на ЦМД в устройствах с числовым программным управлением

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх