Способ центрирования кристаллов алмаза

 

Изобретение касается обработки монокристаллов станкостроения и может быть использовано при обработке полуфабрикатов кристалла алмаза. Цель изобретения - повышение точности и производительности. Способ заключается в том, что кристалл устанавливают в оправки шпинделей станка. Измеряют значения локальных экстремумов расстояний четырех сторон его основания до оси вращения шпинделей за один оборот. Определяют координаты центра основания кристалла относительно упомянутой оси вращения: L<SB POS="POST">1</SB>=(R<SB POS="POST">1</SB>-R<SB POS="POST">3</SB>)/2

L<SB POS="POST">2</SB>=(R<SB POS="POST">2</SB>-R<SB POS="POST">4</SB>)/2, где L<SB POS="POST">1</SB>, L<SB POS="POST">2</SB> - значения смешений центра кристалла в двух взаимно перпендикулярных направлениях

R<SB POS="POST">1</SB>, R<SB POS="POST">2</SB>, R<SB POS="POST">3</SB>, R<SB POS="POST">4</SB> - локальные экстремумы противолежащих сторон основания. Поворачивают шпиндели в положение, соответствующее значению R<SB POS="POST">1</SB>, и смещают кристалл на величину L<SB POS="POST">1</SB>. Поворачивают шпиндели на угол 90° и смещают кристалл на величину L<SB POS="POST">2</SB>. 2 ил.

союз советсних социАлистичесних

РЕСПУБЛИН (51) 5 В 28 D 5/00

>. ::1},.",! з(! Ял

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTGPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ по изоБРетениям и отнРытиям пРи Гннт сссР (21) 4319!12/23-33 (22) 19. 10.87 (46) 15.04.90. Бюл..№ 14 (?!) Институт проблем надежности и долговечности машин АН БССР и Смоленское производственное объединение «Кристалл» (72) С. И. Черных, И. А. Кирпиченко, А. М. Бочаров, Н. И. Севостьянов, Ю. В. Скорынин и С. С. Корочкин (53) 679.89 (088.8) (56) Епифанов В. И. и др. Технология обработки алмазов в блиллианты. М.: Высшая школа, 1982, с. 150 — -! 51. (54) СПОСОБ ЦЕНТРИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ А.i 1ÌËÇÀ (57) Изобретение касается обработки монокристаллов ста нкострое ния и может быть использовано при обработке полуфабрикаИзобретение относится к обработке монокристаллов и может быть использовано при обработке полуфабрикатов кристалла алмаза.

Цель изобретения — повышение точности и производительности обработки.

На фиг. схематически изображено основание пирамиды кристалла алмаза; на фиг. 2 — график изменения радиусвектора основания в функции угла поворота.

Способ заключается в том, что кристалл алмаза устанавливают в оправки 1 шпинделей обточного станка. Измерительный наконечник 2 датчика перемещений (не показан) вводят в соприкосновение с кристаллом 3. Поворачивают шпиндели на один оборот. Регистрируют локальные экстремумы (фиг . 2) изменения радиус-вектора основания кристалла 3 (R„Rk, R1 и RM).

„„SU„„1556924 A 1

2 тов кристалла алмаза. Цель изобретения повышение точности и производительности.

Способ заключается в том, что кристалл устанавливают в оправки шпинделей станка.

Измеряют значения локальных экстремумов расстояний четырех сторон его основания до оси вращения шпинделей за один оборот. Определяют координаты центра основания кристалла относительно упомянутой оси вращения; (, = (К,--R; ), 2;(,.= (R, }, ), 2, где l1, 4 — значения смешений центра кристалла в:двух взаимно перпендикулярных направ. пениях; Я1, R2, К;1, R< -- локальные экстремумы противолежащих сторон основания. Поворачивают шпиндели в положение, соответствующее значению R1, H смещают кристалл на величину l1. Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл на величину 12. 2 ил.

После этого поворачивают шпиндели на угол qm, смещают кристалл по линии NP системы координат станка па вел ич и ну

Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл по линии ЫР на величину F .

Контроль величины смещения осуществляют с помощью датчика перемещений.

В результате измерений значений локальных экстремумов расстояний четырех сторон основания п0 0»и вра1цен11я шпинделей повышается точность;1 производит»льность

opHpнтир0вания к исталла. так как на р»зультаты измерений Hp влияюi морф0..10гические особенности распылен:1 1х крп»таллов и погрешности профиля рунди»та.

Пример. Кристалл г}з ппы РОП с размером основания 5,0х5,2 мм устанавл11вают г, оправки обточного станка -.1одели ПΠ— 2, на одном из шпинделей ННТор010 улановлена плавающая планшайба с возможностью радиального переме1цения. Г!ри повороте

1556924 кристалла в пла з ние полуфабРика абрикату алт егистрируют е сообщение ttoJ Y и нана один оборот и с- щем, патроне ение величины и шпинделя н т емумы изменения Радиу аза вращ и полу а ения определен ф брикалокальные экс Р У (см. диаграмму м ия Kpnñòaëëa авления нес овпадения ос н еля и пе рев ектора основан р и с-вектора ) . После этого пр с осью вр ащения шпи д о совпаден ия изменения радиуУгол, Равныи 5 та абриката д еля, т шпиндели на у мещение пол ения шпиндел, сталлы на величину что, с целью повыш аюи иися тем ительности, смещают кристалл на в ну l, ра енивают по т полу измерения соба оц о

n wM непрерывного способа цент- путе р ия предлагаемого с- ов контура п и полном о о еализация

«H st ш пи н e» пр

Р и иводит к повь оси вращени и в 7, ра те последн него и послед овательно реги ти ориентации ния радиус4 5 раза. ля ют минима льные знач нап авление од тельности в спользуют анал у логичные деистов, затем совмещают нап ных значений кристаллов ис и- из полученны а- с-вектора с точкои на го значения р у начиная с минимально оме то- изводят пе евая точка отсчета— не, на ао о ания кристалла. р равления нулева

М Ределяют собо" ева я на велич

Р к- в ащени имальных .го, точки б„иллианта маказности мини аправлеок жности пояска — его половине ра жащих в этом нап метр окруж льного размера, а точки Е и L — ег радиус-векторов, лежащи л абрикат по ворачи вают симальн в полу а ф брикате. нии, п осле чего полу т каза нные дейстположение б етения

90 и повторяю у Рму <3 Рег

Способ центрир ования кристаллов и закреплемаза, в включающии у ста новку

1556924

Составитель В. Моисеев

Редактор С. Лис ина Техред И. Верес Корректор О. Цнпле

Заказ 686 Тираж 507 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, !О1