Силовой полупроводниковый прибор

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в выходных силовых каскадах усилительных и передающих устройств, а также во вторичных источниках питания, в мощных генераторах и инверторах, работающих в непрерывном режиме. Целью является повышение эффективности охлаждения и расширение эксплуатационных возможностей прибора. Для этого основание 2 выполнено в виде полого цилиндра и размещено в полости цилиндра камеры 7, заполненной теплоаккумулирующим веществом 8, которое поджато к дну камеры плунжером 9 через подвижную плату 10, и прибор снабжен подвижным контактным узлом. Подвижный контактный узел представляет собой подвижную плату 10, на одной стороне которой выполнены контактные пластины 11, имеющие электрическую связь через внутренние 13 и внешние 14 жесткие выводы с силовыми зонами кристалла 5. Устройство обеспечивает высокую эффективность охлаждения и стабильную рабочую температуру кристалла, а также расширение эксплуатационных возможностей и повышение КПД прибора. 2 з.п.ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5)) 5 Н 01 1 23/34 23/36

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (1

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4409011/24-21 (22) 12.04.88 (46) 23,05.90. Бюл. N.. 19 (72) А.А. Горячев, Г,М, Школьник, В.В, Майоров и С.В. Поляков (53) 621.396.67.7 (088.8) (56) Конструирование корпусов и тепловые свойства пlп приборов. Под ред. Н,И. Горюнова,— M„ Энергия, 1972, с. 115, рис. 72, (54) СИЛОВОЙ ПОЛ УП РОВОДН ИКОВ ЫЙ

ПРИБОР (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в выходных силовых каскадах усилительных и передающих устройств, а также во вторичных источниках питания, в мощных генераторах и инверторах, работающих в непрерывном режиме. Целью является повышение эффективности охлаждения и рас„„SU„„1566421 А 1

2 ширение эксплуатационных воэможностей прибора. Для этого основание 2 выполнено в виде полого цилиндра и размещено в полости цилиндра камеры 7, заполненной теплоаккумулирующим веществом 8, которое поджато к дну камеры плунжером 9 через подвижную плату 10, и прибор снабжен подвижным контактным узлом. Подвижный контактный узел представляет собой подвижную плату 10, на одной стороне которой выполнены контактные пластины 11, имеющие электрическую связь через внутренние 13 и внешние 14 жесткие выводы с силовыми зонами кристалла 5. Устройство обеспечивает высокую эффективность охлаждения и стабильную рабочую температуру кристалла, а также расширение эксплуатационных возможностей и повышение КПД прибора. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

1566421

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в выходных силовых каскадах усилительных и передающих устройств, а также во вторичных источниках питания, в мощных генераторах и инверторах, работающих в непрерывном режиме.

Целью изобретения является повышение эффективности охлаждения и расширение эксплуатационных возможностей.

На фиг. 1 изображен силовой полупроводниковый прибор: на фиг, 2 — электрическая схема прибора.

Силовой полупроводниковый прибор содержит корпус, состоящий из крышки 1 и основания 2, проходные изоляторы 3, вывод

4, электрически соединенный с управляющей зоной кристалла 5. Кристалл 5 расположен на прокладке 6 из теплопроводного электроизоляционного материала, закрепленной на внешней торцовой поверхности основания 2. Под кристаллом 5 на внутренней торцовой поверхности основания 2 расположена камера 7, заполненная теплоаккумулирующим веществом 8, Теплоаккумулирующее вещество 8 поджато к дну камеры 7 плунжером 9 через подвижную плату 10, на которой расположены контактные пластины 11, посредством пружины 12, Плата 10 перемещается внутри основания 2.

В исходном положении одна часть контактных пластин 11 электрически замыкает между собой соединенные с силовыми зонами кристалла 5 внутренние 13 и внешние 14 жесткие выводы, а другая часть контактных пластин 11 электрически замыкает между собой только внешние жесткие выводы 14.

Внутренние жесткие выводы 13 выведены из полости основания 2 внутрь крышки 1 через проходные изоляторы 3 и соединены с силовыми зонами кристалла 5, а внешние жесткие выводы 14 выведены через проходные изоляторы 3 из корпуса прибора. Необходимое усилие для поджатия пружиной 12 плунжера 9 к теплоаккумулирующему веществу 8 обеспечивается завинчивающейся крышкой 15 со шлицем 16. Крышка 15 после регулировки фиксируется герметичным швом 17. Для закрепления силового полупроводникового прибора и обеспечения теплового контакта с теплоотводом боковая поверхность основания 2 снабжена резьбой 18.

Прибор работает следующим образом.

Электропитание подается на кристалл 5 через замкнутые контактными пластинами

11 внешние 14 и внутренние 13 жесткие выводы. Электрический контакт обеспечивается пружиной 12, поджимающей плату

10, на которой расположены контактные пластины 11. При нормальной работе кри5

55 сталла 5 его температура растет до допустимого предела, передается основанию 2 и теплоаккумулирующему веществу 8, заполняющему замкнутый объем камеры 7. Допустимый предел температуры кристалла 5 выбирается таким, при котором достигается точка плавления теплоаккумулирующего вещества 8, что обеспечивает стабильный отвод гепла от кристалла 5 до момента полного расплавления теплоаккумулирующего вещества 8, которое, расширяясь в камере 7, начинает давить на плунжер 9, взаимодействующий с двигающейся внутри основания 2 платой 10, и, преодолевая давление пружины 12, перемещает плату 10 с расположенными на ней контактными пластинами 11, разрывая электрическое соединение между внешними 14 и внутренними

13 жесткими выводами. При этом электропитание и схема устройства отключаются от кристалла 5, а система контактов сигнал С и резерв Р (фиг. 2) вызывает срабатывание сигнального устройства и переход на работу резерва.

После отключения электропитания от кристалла 5 температура на нем снижается, теплоаккумулирующее вещество 8 остывает и сокращается в обьеме. Давление на плунжер 9 прекращается, и под действием пружины 12 подвижная плата 10 с контактными пластинами 11 возвращается в исходное положение, что обеспечивает дальнейшую работу силового полупроводникового прибора.

В качестве теплоаккумулирующего вещества применяются легкоплавкие композиции, а также эвтектические сплавы, точка плавления которых выбирается из необходимых условий работы силового полупроводникового прибора.

Замкнутая емкость камеры выбирается,так, чтобы в ней находилась часть нерасплавившегося теплоаккумулирующего вещества при нормальной длительной работе кристалла. Потребное количество теплоаккумулирующего вещества в камере находится в прямо пропорциональной зависимости от количества тепла, которое необходимо отвести от кристалла в течение заданного времени.

Температура отключения прибора при аварийной ситуации устанавливается путем выбора состава теплоаккумулирующего вещества с необходимой точкой перехода из одного фазового состояния в другое, время отключения прибора — объемом вещества и силой давления пружины.

Защита кристалла силового полупроводникового прибора от разрушения достигается улучшением эффективности охлаждения за счет распределения тепла по

1566421

20 всей площади основания, при этом площадь контактирования прибора с теплоотводом осуществляется всей боковой поверхностью основания с резьбой. Причем отбор энергии на плавление теплоаккумулирующего вещества в замкнутом объеме камеры обеспечивает стабильную температуру кристалла эа счет интенсивного отбора тепла от него до момента перехода вещества в фазу расплава.

Расширение эксплуатационных возможностей и повышение КПД устройств, в которых применен силовой полупроводниковый прибор, достигается за счет встроенного в прибор коммутирующего узла, управляемого в зависимости от температуры кристалла посредством расположенной под ним камеры с теплоаккумулирующим веществом, плунжером, подвижной платы с контактами, электрически соединенными с жесткими внешними и внутренними выводами, которые обеспечивают работу самозащиты кристалла от выхода из строя путем отключения в аварийных ситуациях (короткое замыкание, перегрузки и т.п.) от питания и схемы, с одновременным включением цепей сигнализации и резерва. При этом исключается применение специальных электронных и других видов устройств защиты от перегрузок и коротких замыканий в устройствах, где применяется предлагаемый силовой полупроводниковый прибор, что значительно снижает потребление энергии и повышает КПД этих устройств. а также снижает их вес и уменьшает габариты.

Формула изобретения

1. Силовой полупроводниковый прибор, содержащий корпус, выполненный в виде основания и крышки, установленной на основании, размещенную внутри корпуса на основании прокладку из теплопроводного электроизоляционного материала, на которой закреплен кристалл, внешние жесткие выводы, одни концы которых электрически соединены с соответствующими контактными зонами кристалла, а другие выведены

45 наружу, и внутренние жесткие выводы. электрически соединенные с соответствующими внешними и соответствующими контактнымии зонами кристалла, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения и расширения эксплуатационных воэможностей, основание выполнено в виде полого цилиндра и снабжено размещенными внутри него камерой с плунжером, полость которой заполнена теплоаккумулирующим веществом, и подвижным контактным узлом с контактными пластинами, камера закреплена на внутренней торцовой стенке полого цилиндра со стороны, противоположной размещению кристалла, а подвижный контактный узел установлен на внешней торцовой стенке полого цилиндра с возможностью возвратнопоступательного перемещения вдоль геометрической оси полого цилиндра, причем электрическое соединение одних внешних жестких выводов с соответствующими контактными зонами кристалла и электрическое соединение внутренних жестких выводов с контактными зонами кристалла выполнено в виде неразьемного соединения, а других внешних жестких выводов с соответствующими контактными зонами кристалла — в виде разъемного соединения посредством внутренних жестких выводов и контактных пластин подвижного контактного узла, при этом плунжер установлен с возможностью возвратно-поступательного перемещения и взаимодействия с подвижным контактным узлом с обеспечением контакта его контактных пластин с внутренними жесткими выводами и соответствующими внешними жесткими выводами.

2. Прибор по и. 1, отличающийся тем, что подвижный контактный узел выполнен в виде подпружиненной платы, на одной стороне которой размещены контактные пластины.

3. Приборпопп,1и2, отличаюшийся тем,что на цилиндрической поверхности основания с внешней стороны выполнена резьба.

1566421

С оста вител ь С.Дудкин

Редактор 8.Петраш Техред М.Моргентал Корректор М.Самборская

Заказ 1225 Тираж 456 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гai арина, 101

Силовой полупроводниковый прибор Силовой полупроводниковый прибор Силовой полупроводниковый прибор Силовой полупроводниковый прибор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяемым для генерации, усиления, преобразования и умножения сигналов сверхвысоких частот

Изобретение относится к устройствам для охлаждения силовых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для обеспечения теплового режима радиоэлементов, преимущественно для охлаждения силовых полупроводниковых приборов, работающих в кратковременном или повторно-кратковременном режиме при конечном числе включений

Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в теплонагруженных приборах

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для охлаждения силовых полупроводниковых приборов, содержащих воздушные либо жидкостные теплоотводы

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может i быть использовано в высоковольтных модулях с последовательным соединением таблеточных вентилей

Изобретение относится к радиоэлектронике , в частности к средствам отвода тепла от радиоэлементов
Наверх