Способ создания межуровневой изоляции межсоединений больших интегральных схем

 

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения повышение надежности межуровневой изоляции межсоединений. Способ включает следующие операции. На полупроводниковой подложке формируют первый уровень разводки. На подложку наносят полиимидную пленку. Перед нанесением пленки полиимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят его термообработку при 80-100°С. После нанесения пленки полиимида создают межуровневые контакты и межсоединения второго уровня. Способ позволяет создать межсоединения с высокоэластичными, низкопористыми пленками полиимида в качестве межслойного диэлектрика.

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель повышение надежности межуровневой изоляции межсоединений. П р и м е р. После формирования омических и выпрямляющих контактов к активным структурам на основе силицида платины наносят слой барьерного металла TiW d 0,2 мкм и металла 1 слоя алюминия, легированного кремнием (% Si ≃ 1%) толщиной 0,45-0,7 мкм, методом жидкостной фотолитографии создают рисунок межсоединений нижнего слоя. Затем к полиимиду с полученной вязкостью добавляют бензимидазол в количестве 0,2-0,4 об. проводят термообработку полиимида при 80-100^оС в течение 60-80 мин до получения заданной вязкости. Далее проводят следующие операции: нанесение полиимида с добавкой бензимидазола на поверхность 2 слоя металлизации методом центрифугирования при 2500 об/мин в течение 30 с, толщина пленки d 1,5-1,7 мкм; сушка при 100-115^оС в течение 30 мин; термообработка в диффузионной трубе при 350-380^оС в течение 60-90 мин в атмосфере азота (расход 100-150 л/ч), нанесение барьерного металла TiW d 0,1 мкм; вскрытие межслойных контактов по TiW; ПХ травление пленки полиимида на установке "Плазма-11Д", химическое травление TiW с поверхности полиимидов в растворе Н₂O₂ NH₄OH в соотношении 1:1 в течение 30-60 с; нанесение металлической пленки второго слоя металлизации d 1,0-1,2 мкм; создание рисунка межсоединений второго слоя металлизации. Добавка бензимидазола в полиимид позволяет получить высокоэластичные низкопористые пленки полиимида в качестве межслойного диэлектрика.

Формула изобретения

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100^oС.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000        

---