Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов
Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов. Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно Y 2O 3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: BATIO 3 88,00-89,90 CAZRO 3 7,50-7,90 ZNO 1,40-1,65 ND 2O 3 0,80-1,40 NB 2O 5 0,30-0,60 MNCO 3 0,05-0,15 и Y 2O 3 0,05-0,30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: ε 20 9000-14000 Δε/ε в интервале температур (-60...+85)°С - 48...-84% TGδ 0,0021-0,0048. 2 табл.
СОЮЗ COBETCHHX
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК (191 (111
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM
ПРИ ГННТ СССР (21) 4478198/23-33 (22) 05„09.88 (46) 07.08.90. Бюл. Ь"- 29 (72) M.П. Дорохова, Б.А. Ротенберг, Л.Е. Ревина, JI.Â. Кускова, Э.П. Продавцова и.И.А. Юргенсон (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
1Ф 1244 129, кл. С 04 В 35/46, 1986.
Авторское свидетельство СССР
N - 810643, кл. С 04 В 35/46, 1981. (54) ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ (57) Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в гроизводстве мноИзобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и может быть использовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов, Цель изобретения — снижение диэлектрических потерь и повышение темпе-. ратурной стабильности диэлектрической проницаемости материала.
Материал приготавливается по обычной керамической технологии: сухой помол в вибромельнице с резиновой футеровкой и стальными шарами в течение
2-4 ч до удельной поверхности не ме l нее 5500 см /r. Загрузку компонентов проводят согласно указанному соотношению компонентов. В полученную массу вводят связку (поливиниловый спирт в количестве 8Е) и методом прессования изготавливают образцы в виде дисков Д1) С 04 В 35/46 Н 01 G 4/12
2 гослойных монолитных керамических конденсаторов., Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно 7209 при следующем соотношении компонентов, мас.Е: BaTiOg 88,00-89,90;
CaZr()g 7,50-7,90; ZnO 1,40 — 1,65;
1Ы О 0,80-1,40; ИЬ О 0,30 — 0,60;
МпС(э О, 05-0, 1 5 и Y 0 О, 05-0, 30.
Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики:
Е „9000-14000; E/ E в интервале температур (-60...+85) С -48...-843; сд Х 0,0021-0,0048. 2 табл. 5
1 для испытаний. Образцы обжигают в ино тервале температур 1320-1380 С, затем наносят элекгрод методом вжигания сео ребряной пасты при 800 С и измеряют электрические характеристики.
Составы ыихты приведены в табл. характеристики материала, полученного из указанных составов, — в табл. 2.
Формула изобретения
Иихта сегнетокерамического материала для конденсаторов, включающая
ВаТ О,, CaZr03, ZnO, Nd<0, Nb Os- u
МпСОз о т л и w a ю щ а я с я тем что, с целью снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала, она содержит дополнительно Y O при следующем соотношении компонентов, мас.Х:
1583393
ВаТ10
CaZr0
Zn0
Ясно э 1Ь,Оу
МпСО, У О э
88,00-89,90
7,50-7,90
1,40-1,65
0,80-1,40
0,30-0,60
0,05-0,15
0,05-0,30
Та блица 1
Содержание, мас.Х, в составе
Компоненты шнхты
Таблица 2
Показатели для состава
Хара кт еристики
) 13100-14000 9000-9500 12000-13400 10000-14000
-48-71
-74-84
-68-80
-95-75
0,35-0,48 0,21-0,26 0,30-0,45
0,50-0,75
Составитель Л. Косяченко
Редактор Н. Гунько Техред А. Кравчук - Корректор Т,Палий
Заказ 2228 Тираж 573 Подписное
ВИИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101
BaTi0
СаZr03
Ий20 9 иь о
Zn0
Мгесоэ
,О, Диэлектрическая проницаемость E при 20 С
Относительное изменение диэлектрической проницаемости д Е(E в интервале температур (-60)-(+85) С, Ж
Тангенс угла диэлектрических потерь
СААР - 10
89 9
7,5
0,8
0,3
1,4
0,05
0,05
88
7,9
1,4
0,6
1,65
0,15
0,3
88,9
7,8
1,2
0,"4
1, 5
0,1
0,1
