Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла 
и ток I2 при тех же условиях, устанавливают температуру Tи из области истощения основной примеси и проводят измерения ЭДС Холла Uн и тока I в образце и в одном из эталонов Uн1 и I1 или 
и I2, вычисляют концентрацию основной примеси N и степень компенсации К по формулам 
где K1, K2 - значения степени компенсации в эталонах; N1, N2 - концентрации основной легирующей примеси в эталонах; d1, d2 - толщины эталонов; d - толщина исследуемого образца, 
Похожие патенты:
Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортирования изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках
Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и может быть использовано для анализа полупроводниковых структур на ранних стадиях, техпроцесса
Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров твердых теп, а именно к способам определения энергии электронных состояний пленочных металлических покрытий
Изобретение относится к области производства изделий электронной техники и может быть использовано для размещения и транспортировки изделий в камерах климатических испытаний и в других технологических установках
Изобретение относится к измерениям электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля дефектности ионно-легированных слоев полупроводника, и частности, при легировании малыми дозами
Изобретение относится к полупроводниковой технике
Изобретение относится к области метрологии электрофизических параметров твердого тела, а именно к способам определения энергии электронных состояний на поверхности металлов
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
