Способ определения функции близости в электронной литографии

 

Способ определения функции близости в электронной литографии, включающий экспонирование в слое резиста структуры в виде линий различной ширины с изменяющейся вдоль линии дозой экспонирования, проявление резиста, определение критических доз экспонирования по минимальным дозам, при которых резист проявляется до подложки, и расчет функции близости, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, ширину линий при экспонировании выбирают от 0,06 мкм до величины, равной не менее двух длин пробега электронов в резисте, а при определении критических доз экспонирования за минимальную дозу выбирают такую дозу, при которой проявляются центры линий.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к гетероциклическим соединениям, в частности к 9-диэтипамино-3-метакрилоилокси-5Н- бензо а феноксазин-5-дицианметилену, который может использоваться в качестве термонапьшяемого фоторезиста для сухой литографий

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых иитегральньпс схем, микросборок, устройств на поверхностных акустических волнах и т.п

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат

Изобретение относится к устройствам нанесения покрытий посредством центрифугирования и может быть использовано, в частности, для создания светочувствительного слоя на полупроводниковых пластинах и фотошаблонах

Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат
Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев
Наверх