Способ изготовления хромовых шаблонов
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - улучшение свойств шаблонов. На заготовке шаблона (ЗШ) формируют резистивную маску. Через нее осуществляют реактивное ионнолучевое травление (РИЛТ) пленки хрома в среде галагенсодержащего газа 80 - 90% ее исходной толщины. Затем осуществляют ионно-лучевое травление в инертном газе для удаления нелетучих фторхлористых соединений хрома, образовавшихся после РИЛТ. На ЗШ гарантированно сохраняется остаточная пленка хрома толщиной 
, обеспечивающая отсутствие травления ЗШ. После этого проводят химическое дотравливание остаточной пленки хрома в известном травителе, например цериевом. Получены шаблоны для глубокого ультрафиолета с минимальными размерами элементов 0,4 мкм и отсутствием канавок травления.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов с субмикронными размерами элементов. Цель изобретения улучшение оптических свойств шаблонов. Поскольку разброс толщины пленки хрома на заготовках шаблонов не превышает 5% то после реактивного ионно-лучевого травления пленки хрома на 80-90% ее толщины на заготовке шаблона гарантированно сохраняется остаточная тонкая пленка хрома. Последующее ионно-лучевое травление в инертном газе необходимо для удаления образовавшихся после реактивного ионно-лучевого травления нелетучих фторхлористых соединений хрома, что позволяет в дальнейшем осуществить химическое дотравливание остаточной тонкой пленки хрома. Проводить реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома менее чем на 80% ее толщины нельзя, так как скорость травления резистивных защитных масок в инертных газах значительно выше, чем при реактивном ионно-лучевом травлении в галогенсодеражих газах, и при оставлении пленки хрома толщиной более 20% исходной толщины резистивная маска при травлении инертным газом разрушается, а химическое дотравление становится невозможным. Скорость ионно-лучевого травления хрома в инертном газе меньше, чем скорость реактивного ионно-лучевого травления в галогенсодержащих газах, поэтому после ионно-лучевого травления пленка хрома удаляется не полностью, что исключает воздействие ионного пучка на заготовку шаблона. При номинальной толщине пленки хрома на заготовке шаблона 0,1 мкм толщина остаточной пленки хрома после ионнолучевого травления составляет 100-200 
. Последующее химическое дотравливание этой остаточной пленки хрома может осуществляться в известных травителях, например цериевом, при этом уход размеров элементов на шаблоне не превышает 200 
. На полученном шаблоне отсутствуют канавки травления в заготовке шаблона, вызывающие рассеяние света при проведении экспонирования через шаблон. П р и м е р. Изготавливались хромовые шаблоны для глубокой ультрафиолетовой литографии. В качестве заготовок шаблонов использовались кварцевые подложки с пленкой хрома толщиной 0,1 мкм. На подложку наносили резист ЭЛП-9 толщиной 0,4 мкм и методом электронной литографии формировали в нем защитную маску с минимальными размерами элементов 0,4 мкм. Затем осуществляли реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома на установке УРМ. 3.279.029 в хладоне 113 при рабочем давлении 6 
10-4 мм рт.ст. напряжении разряда 4 кВ, токе ионного пучка 90 мА в течение 60 мин. При этом пленка хрома стравливалась на 85% исходной толщины. После этого в том же вакуумном цикле осуществляли ионно-лучевое травление аргоном при том же давлении и напряжении разряда и токе ионного пучка 60 мА в течение 10 мин. Затем осуществляли химическое дотравливание остаточной пленки хрома в цериевом травителе. В результате были получения шаблоны с минимальными размерами элементов 0,4 мкм с отсутствием канавок травления в кварцевой подложке, приводящих к ухудшению качества за счет рассеяния на них света.
Формула изобретения
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХРОМОВЫХ ШАБЛОНОВ, включающий создание на поверхности заготовки шаблона защитной маски и реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств шаблонов, реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома проводят на 80 - 90% ее толщины, затем проводят ионно-лучевое травление в атмосфере инертного газа в течение времени t, удовлетворяющего соотношению t=(0,1-0,2)
мин, где - время реактивного ионного травления пленки хрома на всю толщину, после чего осуществляют химическое дотравливание оставшейся пленки хрома.
