Формирователь импульсов

 

Изобретение относится к вычислительной технике и электронике и наиболее эффективно может быть использовано в интегральных микросхемах памяти. Цель изобретения - повышение помехоустойчивости формирователя импульсов. Поставленная цель достигается тем, что формирователь содержит второй элемент задержки на резисторе 6 с соответствующими связями. Снижение уровня помех достигается тем, что транзисторы 3,4 на начальном этапе подзаряжают емкость нагрузки, а через некоторое время, определяемое сопротивлением резисторов 5,6, происходит отпирание транзисторов 1,2 формирователя. Величина сопротивлений также влияет на скорость их отпирания, что определяет быстродействие и уровень помех по шинам питания и земли интегральных микросхем. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 G 11 С 7/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ . ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4450607/24-24 (22) 28.06.88 (46) 30.09.90. Бюл, М 36 (71) Московский инженерно-физический институт (72) А.С.Березин, А,В.Новиков, П,Б.Поплевин и В.В.Баранов (53) 681.327.6(088.8) (56) Кармазинский А.Н. Синтез принципиальных схем цифровых элементов на МДПтранзисторах. — М.; Радио и связь, 1983, с. 256.

Авторское свидетельство СССР

М 1092563, кл. 6 11 С 7/00, 1982. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и электронике и наиболее эфИзобретение относится к вычислительной технике и электронике и наиболее эффективно может быть использовано в интегральных микросхемах памяти.

Цель изобретения — повышение помехоустойчивости формирователя.

На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема формирователя; на фиг. 2 — временные диаграммы его работы.

Формирователь импульсов содержит первый р-канальный МДП-транзистор 1. второй и-канальный МДП-транзистор 2, третий р-канальный МДП-транзистор 3, четвертый и-канальный МДП транзистор 4, первый и второй элементы задержки, образованные резисторами 5 и 6 и паразитными емкостями затворов транзисторов 1-4.

Формирователь работает следующим образом.

В начальный момент все транзисторы

1 — 4 закрыты, т,е, напряжения на затворах. Ж 1596387 А1 фективно может быть использовано в интегральных микросхемах памяти. Цель изобретения — повышение помехоустойчивости формирователя импульсов. Поставленная цель достигается тем, что формирователь содержит второй элемент задержки на резисторе 6 с соответствующими связями, Снижение уровня помех достигается тем, что транзисторы 3 и 4 на начальном этапе подзаряжают емкость нагрузки, а через некоторое время, определяемое сопротивлением резисторов 5 и 6, происходит отпирание транзисторов 1 и 2 формирователя, Величина сопротивлений также влияет на скорость их отпирания, что определяет быстродействие и уровень помех по шинам питания и земли интегральных микросхем. 2 ил. транзисторов 1 и 3 равны напряжению питания, а напряжения на затворах транзисторов 2 и 4 равны нулю. Заряд на емкости нагрузки отсутствует.

При считывании сигнала и1и напряжение на затворе транзистора 3 падает до нуля. Транзистор 3 открывается и емкость нагрузки начинает заряжаться током этого транзистора. Величина тока транзистора 3 выбирается из расчета, чтобы возникающие помехи по шине питания не превышали допустимого уровня. В это время с постоянной времени, определяемой сопротивлением резистора 5 и емкоствю затвора траизисто- а ра 1, падает напряжение на затворе транзистора 1. Транзистор 1 начинает открываться при спаде этого напряжения от питания на величину порогового напряжения транзистора 1. Снижение уровня помех по шине питания осуществляется не только за счет медленного открывания транзистора 1, но и

1596387 за счет уменьшения перепада напряжений из-за заряда емкости нагрузки током транзистора 3. Величина уровня помех по шинам питания при открывании транзистора 1 поэтому уменьшается быстрее при увеличении фронта сигнала на затворе транзистора 1, Процесс разряда емкости нагрузки происходит с помощью транзисторов 4 и 2 аналогично описанному выше процессу, Однако во избежание сквозных токов через .формирователь открывание транзистора 4 должно происходить не раньше запирания транзистора 1.

Для увеличения постоянной времени к затворам транзисторов 3 и 4 можно подключать емкости.

Формула изобретения

Формирователь импульсов, содержащий четыре транзистора и первый элемент задержки, стоки nepeoro и второго транзисторов соединены и являются выходом формирователя импульсов, а истоки подключены к шине питания и к шине нулевого потенциала формирователя соответственно, затвор третьего транзистора является пер5 вым входом формирователя и соединен с первым выводом первого элемента задержки, сток третьего транзистора соединен со стоком четвертого транзистора, затвор которого является вторым входом формирова10 теля, а исток соединен с истоком второго транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости формирователя, он содержит второй элемент задержки, первый и второй выводы

15 которого соединены с затворами четвертого и второго транзисторов соответственно, второй вывод первого элемента задержки . соединен с затвором первого транзистора, исток и сток которого соединены с истоком

20 и стоком третьего транзистора соответственно.

1596387

Составитель С.Королев

Редактор Н,Киштулинец Техред М.Моргентал Корректор M.Ñàìáîðñêàÿ

Заказ 2913 Тираж 491 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101