Патент ссср 160949

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦ ИААИСТИЧ ЕСг;ИХ

РЕСПУБЛИК

Кл lсс

5 >с, 5

МПК

G ОЗС

_#_ 163И9

Зало",е11о OS 1.1366 (" 612!От 26- 6) ГОСУДАРСТВЕ Н Н Ы И

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

Опубликоввио 26.!1.196-1. Б.о.олегеиь ¹ 6

УДК

l I . !irl

Подписная группа Л3 1б2

Ф. Ф. Соколов и В. В. Трофимов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОДОЛЬНОЙ ОРИЕНТАЦИИ ФЕРРОМАГНИТНЫХ КРИСТАЛЛОВ В ЗЛ .УЛЬСИИ, НАНОСИМОЙ

НА ПОДЛОЖКУ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ЛЕHTb(Г1рсдмст изобретения

Известны устройства для продольной ориентации ферромагнитных кристà7лов в эмульсионноъ! слое, наноси>!Ол! HB пОдлО>кк, ферромагнитной ленты. Эти устройства выполнены

В ВИДЕ ЭЛЕКТРОЪ!2ГНИТ2 И СН30>КЕНЪ| ALIBI НИТОпроводом с полюсными наконечниками, расположенными возле прямоугольного канала, по которому проходит лента с нанесен;!ой iia ее поверхность эмульсией. Известные устройства не обеспечивают высокой точнссти ориентации ферромагнитных кристаллов, вследств. е нарушения их ориентации полями рассеян!!я электромагнита.

B предлагаемом устройстве для повыше :!я точности ориентации ферромагнитных кристаллов в нем использован электромагнит броневого типа, с полюсными наконечниками. Г1оСЛЕДНИЕ PBCIIO !0>KCFIЫ Bi!) TPII 1(BT) Н1КИ ЭЛСКтромагнита, а прямоугольный кана,.l для ферромагнитной ленты идет вдоль продольной оси симметрии электромап!ита и пересекает магнитопровод и зазор между полюсными наконечниками.

На черте>ке изображено предлагаемое устройство в двух проекциях.

Магнитопровод 1 электромагнита броневого типа охватывает катушку 2. Полюсные наконечники > магнитопровода расположены внутри катушки. Г1рямоугольпый канал 4, по которому проходит ферромагнитная лента 5 с нанесенным поливом на ее подло>кку эмульсионным слоем, расположен вдоль оси симметрпп электромагнита и пересекает магнитспровод и зазор между полосными наконечника..:и. Для фпксацп:! положения ленты точн0 пî Ocè ка1 ал i служат напр3вляюгцпс ро,1: .и б. 11ри то П1ой ориентации пленки фсррсмаг11итныс «рпст3.1лы эмульсии будут

H i#0 i;iTLc1i голы,о под Воздействием прямолппс11псго гоп пзг птальпо направлсш-:ого магнитного поля. Орпспгация кристаллов происходllT В зо IC / 112кСИ:;1!1. 1ы10П HBПряжен110СТИ .,!3;1111- 1!OFÎ п0.1Я. ШПРина H071ocHblx 1 .аконечнпкгВ В! IGHpBc.! ся неско "Iько большси Ill!!pi!HEI ленты, чем достигBOTcH параллелы1ость м31нi1тных С11лОВь!х лlllilill по Всеli iiillp11не ленTЫ, 11рп;!с;!синс замкнутого x!BI пптопровода c i!2,11;I.;I 3230РО:.i 1С>КД ПО IIOClibi .!III На! ОНЕЧНПК3ми сводит к минимуму поле рассся11ия, чем и обсс 1с «:вастся Высокая точность ориенгацпи фсрромаг1!1:T;,ых крпстал IOB в ýì льсин.

УcTpOilcTBG для продольной ориентации феррома!.1!Пт !ых кристаллов в эмульсии, наносимой на подложку фсрромагнитно!! ленты, содсржашсс электромагшгг с i! IBI нитопроводом, снабжснны. полюснымп наконечниками, ПРЯЛ!ОУГОЛЬПЫй КаиаЛ, С;1У>К21ЦН!»! ДЛЯ 11РОхо>кдсния фсррол12гпитно!»! 1cHTLI Iloc;Ic Lc пол ша, отличаю гцсеся тем, что, с целью повышения точнсстп ориентации ферромагнит№ 160949

Составитель Г. Г. Фрндолин

Редактор М. И. Бородина Техред Т. П. Курилко Корректор М. И. Козлова

Поди. к печ. 8/11 — 64 г. Формат бум. 60 i 90 /8 Объем 0,23 изд. л.

Заказ 653/14 Тира>к 500 Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по дслам изобрстсиий и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2 ных кристаллов, в нем использован электромагнит броневого типа с полюсными наконечниками, находящимися внутри катушки этого электромагнита, а прямоугольный канал для ферромагнитной ленты расположен вдоль продольной оси симметрии электромагнита и пересекает магнитопровод и зазор между полюсными наконечниками,

Патент ссср 160949 Патент ссср 160949 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к фотографической промышленности, а именно к способам нанесения фотографических слоев на подложку, например, светочувствительной фотоэмульсии на бумагу; причем решающим качеством нанесения является их равномерность

Изобретение относится к изготовлению фотобумаги и может быть использовано при нанесении маловодосодержащей фотоэмульсии на фотобумагу

Изобретение относится к способам получения фоточувствительных слоев сульфида свинца, которые применяют при изготовлении полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению
Изобретение относится к области химико-фотографической промышленности и может быть использовано в производстве кинофотопродукции с фотоэмульсионным покрытием с заданными свойствами

Изобретение относится к области химии и может быть использовано для формирования нанокомпозитного покрытия на пористом слое оксида алюминия
Изобретение относится к изготовлению светочувствительных материалов, используемых в голографии и специальной фотографии, предназначенных для изготовления голографических оптических элементов (ГОЭ) сферической формы, требующих высокой оптической точности и чистоты поверхности слоя

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к способу и устройству для формирования тонких пленок, например пленок фоторезиста на полупроводниковых пластинах

 // 165079
Наверх