Патент ссср 161488

 

Coca Cosec x

СОЦИЛЛИСТИЧККИХ

РеспуБлИК

К;, 2СС

-1)).. 2) I u-.(j

1 =

) 1). -"!. К

С 22b

Заявлено 27.1 V.1963 (¹ 833-121,)22-2) ГОСУДАРСТВЕ НН Ы и

КОМИТЕТ ПО ЬЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

Опубликовано 19.III.1964. Бюллетень ¹ 7

- ) (глр

) >Й r !

) i

1; )

)) „.

Подггггсная грутга Ло 1б

В. H. Вигдорович и И. Ф Черномордин

СПОСОБ НЕПРЕРЬ!ВНОЙ -ЗОННОИ ПЕРЕ Р1л СТАЛЛ ИЗ АПР >3

МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Предмет изобретения

Известны зоннопустотный и зо:l:lотранспоргный способы непрерывной зон нон псрекристаллизации.

Предложен способ, отли гающинся тем, что противоток жидкой и твердой фа3 создают принудительно путем образоза 1ня пе!реме(ц210шейся с зоной полости или 1(зоытка расплава

L зоне, для чего придают соответстзу(ощу!О форму индуктору.

Это дает возможность упростить конструкцию соответствующего аппарата и узслич!Tb гроизводительность процесса.

На чертеже изображена схема непрерывной зонной перекристаллизации по предлагаемо.;1у способу.

Горизонтальная загрузка 1 металла или полупроводника имеет одинаковую высоту по длине. Расплавленные зоны 2 создают с помощью индуктороз 8, которым прида!От форму, нужную для образования в зоне полости или избытка расплава. В начале цш(ла зоиной перекристаллизации избыток расплава при формировании полости сливается в приемник 4 очищенного продукта.

1, 1я Псдпн l кн 30:.11) . не. 0;1:! i)! )I . ; !l; сpl! 2 10 i

c:i жнт и .!т !Tcль 2, р .с .Ол, ;!(Сгл!!а 1 и(. к Ih сскц! .cil 1 32) Риз!!(1:!Оi 0:! cc (!!,:; ii 1 О:1:ill!,".lнсго материал",. В зонах ссзц)1:; 1 c03,i2.". я

НЗОЫТОК ПССП,12!12, .(0T0)j!)1!1 С, i l!) (! С Я 1: КО:I ЦС

ЦИКЛ 1 jl ПРИС l: :l . u З(ll".1Я.:1!).,. .!0 О 11 ОДУ (Т:!.

С!1000î пРИ:::::!и .! 1. 1! j.l;lа:;2- 03, Р2,)0тагон1нх Оез сскцн н 321 риз:) cl!:10."О )и . 10;1)) к га, С0 СЛ!!1!0:iI 3 2ГР и ) i C 1101 1 3.::!)I -1 СРСЗ О; 1)СОСТ C

НСРЕД El!!T2TP,IC.)l.

СHО Об EIPпpCpblзi10jj 30)!:10й llерC1(l:ICT2, 1,1!I зации металлов и полупроводников с ш!дукЦНОН!,bi )l Ej2l Pejjo. )l 3 iibl, 0 T;I Н Ч 2 10 Щ 1 1 ll С Я тем, что, с це.-.ью узелнче:1;!я и" онзз0ë2òåcjüности ll 3 прсн!с! Ii! I Ii0:I cTp ) кц(1 . . ОООТ!гстстз) (ОlI1cI аппарата, прОт!!ВОток ж!!!дкОй н тзсj3,, ill фаз создают пп:...гднтсг!ь!lc! в горнзонталь101!

2ГРУЗКЕ С (О ТРЯ! !i! bi М ПО ЗIЯ СОТЕ C C С!1! IС. 1 путем образовашгя Iicpåìcù210Ulcjjcÿ с зоной полост11 или избь!тка расплав2 В зоне, для чего шгдуктору придают необходиму!о форму.

¹ 161488

4Щд е щд 2

GG

ыжва е .тою

Составитель Т. Г. Фирсова

Редактор В. П. Липатов Техред А. А. Камышнинова Корректор Ю. М. Федулова

Подп, к печ. 1071 в — 64 г. Формат бум. 60 Q 901, q Объем 0,23 нзд. л.

Заказ 721/15 Тираж 625 Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изооретепий и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент ссср 161488 Патент ссср 161488 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом конвейере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве

Изобретение относится к области полупроводниковых материалов с модифицированными электрическими свойствами. Способ получения низкотемпературного термоэлетрика на основе сплава Bi88Sb12 с добавками гадолиния включает помещение навески сплава Bi88Sb12 и металлического гадолиния в количестве 0,01-0,1 ат.% в стеклянную ампулу, из которой откачивают воздух до 10-3 мм рт. ст. и запаивают, размещение ампулы в печи, ее нагрев до температуры плавления сплава до полного растворения гадолиния, зонное выравнивание со скоростью 2 см/ч и выращивание монокристалла на затравку заданной ориентации методом зонной перекристаллизации при четном проходе со скоростью 0,5 мм/ч. Полученный термоэлектрик состоит из монокристалла Bi88Sb11 с распределенными в межслоевом пространстве наночастицами гадолиния, приводящими к увеличению соотношения подвижностей электронов и дырок без изменения концентрации носителей заряда, что в конечном итоге приводит к увеличению модуля дифференциальной термоэдс и соответственно термоэлектрической эффективности до 70% при 110 К для добавок гадолиния 0,1 ат.%. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх