Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины

 

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных изделий за счет снижения их прогиба и уменьшения количества микротрещин и сколов в начале и конце резки, при наклейке слитка базовый срез его располагают в нижнем правом квадранте при наблюдении со стороны приклеиваемого торца под углом 40-45° к плоскости оправки, примыкающей к суппорту, и закрепляют оправку с наклеенным монокристаллом на суппорте станка со смещением параллельно приклеивающейся поверхности оправки в сторону базового среза на расстояние, меньшее разности радиусов внутренней кромки инструмента и слитка на 1-10 мм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к механической обработке кристаллов, а именно к устройствам для огранки драгоценных камней, преимущественно алмазов

Изобретение относится к технологии производства бриллиантов, а именно к способам распиливания алмазов

Изобретение относится к обработке монокристаллов и может быть использовано на операциях распиливания, кристаллов граната.Целью изобретения является снижение расхода гадолинийгаллиевого граната

Изобретение относится к обработке криааллов , применяемых, в частности: при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИКлазеров , сцинтилляционных детекторов, акустичесKV1X звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической , ядерной и оптико-механической промышленности

Изобретение относится к механической обработке твердых хрупких неметаллических материалов, а именно для разделения полупроводниковых материалов на пластины на станках многолезвийной резки, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к обработке монокристаллов и может быть использовано на операциях распиливания

Изобретение относится к области обработки мат ериалов для художественных изделий типа янтаря, органического стекла, дерева, кости и может быть использовано в ювелирной промышленности
Изобретение относится к обработке алмазов, а именно к нанесению несмываемой линии на алмаз
Изобретение относится к обработке алмазов, а точнее к способу изготовления алмазных украшений с использованием метода нанесения несмываемых линий (гравировки) на алмазе

Изобретение относится к области технологии обработки поверхности геолого-минералогических аншлифов в лабораторной практике, а также к технологии шлифовки и огранки поделочного и ювелирного камня

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к производству бриллиантов, а также может быть применено при распиливании драгоценных камней

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых подложек и предназначено для использования на операциях резки монокристаллов кремния на пластины в электронной промышленности

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к способам обработки янтарного сырья преимущественно мелких фракций и получения янтарных изделий, а также различных композиций, в состав которых входит янтарь
Наверх