Способ расслоения кристаллов слюды

 

Изобретение относится к обработке легкорассеивающихся материалов, в частности к способам расслоения кристаллов слюды. Целью изобретения является повышение качества слюдяных пластин. Для этого в способе расслоения кристаллов слюды путем силового воздействия на торцы кристаллы статически сжимают вдоль плоскостей совершенной слойности до момента нарушения целостности структуры кристалла. Способ позволяет уменьшить повреждение полезной площади и тем самым снизить потери и повысить выход деловой слюды. 1 ил.

СОЮЗ СО13Е 1СКИХ

СОЦИЛЛИС< И <Г ;KVlX

РЕСПУВЛИК

< s l I < В 28 D 1/32

Госу/1АРственнв1Й

1Ю ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫ< И11М

11РИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 1) 4 62 7525/2 3-33 (22) 29,12.88 (46) 23.11.90. Бюл. N. 43 (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт нерудных строительных материалов и гидромеханизации (72) M,Ã.Êóçàêîâ и Я.Ш,Вайнблат (53) 691.277(088.8) (56) Авторское свидегельство СССР

N . 1114560, кл. В 28 D 1/32, 1983.

Авторское свидетельство СССР

N. 1033341, кл. В 28 0 1/32, 1981. (54) СПОСОБ РАССЛО!:!-!ИЯ КРИСТАЛЛОВ

СЛЮДЫ

Изобретение относится к обр".ботке легкорасслаивающихcÿ материалов, в <àcT ности к способам расслоения кристаллов слюды.

Целью изобретения является повышение качества слюдя« .х пластин, При продольном сжатии кристаллов слюды происходит иэгибание пластин слюды, образующих кристаллы. При их упругом изгибании одни пластины смещаются относительно других и при этом связи между ними по плоскостям совершенной спайности разрушаются, так как сила этих связей на два порядка меньше, чем сила связей внутри пакетов. При начале разрушения периферийной части пластин, образующих кристалл (появление трещин или смятие краев), сжатие прекращается и тем самым полезная площадь слюдяных пг„<стин предохраняется от повреждения.

На чертеже представле«а схема ус<ройства для ре лизации предлагаемого способа., .Ж,, 1608063 А1 (57) Изобретение относится к обработке легкорасслаивающихся материалов,в частности к способам расслоения кристаллов слюды.

Целью изобретения является повышение ка<ества слюдяных пластин. Для этого в способе расслоения кристаллов слюды путем силового воздействия на торцы кристаллы статически сжимают вдоль плоскостей совершенной слойности до момента нарушения целостности структуры кристалла.

Способ позволяет уменьшить повреждение полезнои площади и тем самым снизить потери и повысить выход деловой слюды. 1 ил.

Две жесткие металлические пластины 1 закрепляют на шарнире 2. установленном на опоре 3. По обе стороны от пластины 1 размещают приводные (приводы не показаны) валы 4 с эксцентриками 5 и насаженными на них подшипниками 6. Между пластинами 1 закрепляют пружину 7 и размещают трапецеидальный рабочий стол 8.

Способ осуществляется следующим образом.

После включения приводов валы 4 начинают вращаться навстречу один другому, Одновременно с ними вращаются и подшипники б, насаженные на эксцентрики 5 и прижатые наружными сторонами пластин 1.

В течение одного полупериода вращения подшипники 6 эа счет эксцентриситетов относительно валов 4 при обкатывании пластин 1 уменьшают расстояние между ними, сжимая пружину 7, а в течение второго полупериода пружина 7 за счет упругих сил возвращает пластины 1 в исходное состояние.

1Я)г)003

Фг) рмулэ изобретения

Способ .)асслоения кристаллов слюды путем силовог0 воздейс1вия на торцы, о т— л и ч а к) ш и и с я тем, что, с целью повыше))ия качес) ва слюдяных пластин, кристаллы статически сжимэ)от вдоль плоскостеи сoвершеннои спэиности до момента нэруо)ения целос)))г7сти структуры кристалла.

-- Ч

r — -7

Сос) авитель 1.Г!ик. )ьнк)ки))

Tt .õI7F.ä Ь1.! /Ops r.!» F;) r! F .

Редактор И.Шулла

Заказ 3588 Гираж 503 I!O „r!i)r ОЕ

ВНИИПИ Государственного комитета!ro из Л:"-)е!!!!)! l!l!)!,"pы) иям при Г КIIÒ CCCP

1 13035, Моск))л Ж, . ; !Ii 7r c)<) )r !, r l ) . ) I I ) ) 0 и 3 г о Д Г г r!! . F! F l с и . ; )! е )1! с ;: 1 ) i! с ".1 р,, 1

0 Г), . д., ;) (1 (-) и!, нэ. I 01

Кристаллы 9 слюды ориентирук) гся на рабочем столе 8 плоскостями совершенной спайности перпендикулярно плоскос гям пластин 1 и перемещаю их до cE;рикосновения с внутренними сторонами пластин 1 5 в разведенном(исходном) состоянии. В процессе сокращения расстояния между пластинами 1 происходит сжатие кристалла 9 вдоль плоскостей его совершенной спайности. В процессе сжатия крис алла 9 пласги 10 нами 1 происходит изгибание слюдяных пластин, как следствие, их смещение относительно одна другой, сопровождаемое Г.)зрывом межпакетных связей по плоскостям совершенной спайности. 15

По мере перемещения кристалла 9 llu столу 8 в направлении, указанном Гтрелкой, сжатие кристалла 9 увеличивается и, соответственно, увеличивается степень его расслоения. Перемещение кристалла 20 сопровождается непрерывным контролем (например, визуальным наблюдением) зэ изменением структуры кристалгlэ 9 в е)г) перифери))ной области, При (loявле))ии треllli1!I или Г, )))гия крэ F! крис)элла 9 перемеlllåние и )eKp)EEEают, а получеHные в результате разрушения межпакетных связеи гlлэсти)1ы сл к)ды с нимаютГЯ со стола 8 и

НЭПРаВЛЯFOÒГ)1 Нгl ДЭЛЬНЕЙ)))УЮ СтаДИЮ ОЬPr)богки.

Способ рэзрув) llvlsi связей между и 10 скостями саверн)еннои спайности в кри с) эллах слюды позволяет уменьшить повреждения полезной плогцади слюдяных пласlèí и тем самым снизить потери и I10 высить выход деловой слюды.