Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ
Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов за счет уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева. Устройство содержит герметичную камеру роста с нагревателем, контейнер для расплава , установленный внутри нагревателя с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и система до- ,о, мительных экранов, выпопж ННРЯ в форме усеченных конусов с углом раскрытия 9-11°, установленных на вер ем горизонтальном экране раструбами Btiepx Получены кристаллы иттрий-алюминиевого граната и его модификации 1 ил (Л t
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 11/00
ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1 Ю
С) 0 М (21) 4482631/26 (22) 30.06.88 (46) 30.01.91. Бюл, М 4 (71) Специальное конструкторское бюро рентгеновского и кристаллооптического приборостроения с экспериментальным производством Института кристаллографии им. А.В.Шубникова и Институт кристаллографии им, А.В.Шубникова (72) Х.С.Багдасаров, А.М,Кеворков и
В,Н.Сытин (53) 621.315.592 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
N 1015689, кл. С 30 В 11/00, 1982, (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ
КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ВЕЩЕСТВ
Изобретение относится к кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов тугоплавких ве цеств направленной кристаллизацией расплава, Цель изобретения — повышение качества кристаллов за счет уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из эоны нагрева.
На чертеже изображен продольный разрез устройства.
Устройство содержит герметичную камеру роста 1, нагреватель 2 с охлаждаемыми токоподводами 3, контейнер 4 для расплава, установленный в><утри нагревателя 2 с возможностью осевого перемещения, систему горизонтальных экранов 5, выполненных в виде дисков и расположенных под нагревателем 2, и систему вертикальных экранов б, выполненных в виде цилиндров.
Устройство сна 1:<.ено системой дополни. Ы 1624063 А1 (57) Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов эа счет уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева.
Устройство содержит герметичную камеру роста с нагревателем, контейнер для расплава, установленный внутри нагревателя с возможностью осевого перемещения.
Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и гистел<а дав,о, нительных экранов, выполн<.нн-я в форме усеченных конусов с углол< раскрытия 9 — 11, установленных на веп< .ем горизонтальном экране раструбами вверх.
Получены кристаллы иттрий-алюминиевого граната и его модификации. 1 ил. тельных экранов, выполненной в форме коаксиально расположеннь х усеченн, х конусов 7 с углом раскрытия 9 — 1, установленных растворами вверх под нагревателс-.м 2 на верхнем горизонтальном экране 5.
Устройство работает следующим образом, Контейнер 4 с исходным материалом пол<ещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2. В камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление. Выращивание кписталлов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2.
Часть энергии, излучаемой нагревателем 2, попадает на внугре><нюю поверхносгь конусов 7 и направляется на контейнер 4, в Ixo дящий из нагревателя 2, ул<еньшая температурный градиент на поверхности
1624063
Составитель В, Захаров-Черенков
Редактор И, Сегляник Техред М.Моргентал Корректор С, Шекмар
Заказ 171 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101 контейнера 4, вследствие чего уменьшаются внутренние напряжения в объеме выращенного кристалла и его растрескивание.
Часть тепловой энергии, проходящая через попые конуса 7, отражается горизонтальными экранами 5, установленными на вертикальных экранах 6, что способствует уменьшению теплоотвода из рабочей зоны камеры 1 и также ведет к уменьшению температурных градиентов на выходе контейнера 4 из нагревателя 2, В данном устройстве получены кристаллы иттрий-алюминиевого граната и его модификации, Формула изобретения
Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ методом вертикальной направленной кристаллизации расплава, включающее герметичную камеру роста, контейнер для расплава, установленный внутри нее с возможностью осевого
5 перемещения, нагреватель расположенный коаксиально контейнеру, и систему горизонтальных экранов, установленных под нагревателем, о тл ич а ю щеес ятем, что,c целью повышения качества кристаллов за
10 счет, уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева, оно снабжено системой дополнительных экранов, выполненной в форме коаксиально расположенных усеченных конусов с углом раскрытия
15 9 — 11, установленных под нагревателем раструбами вверх на верхнем горизонтальном экране.
