Устройство для выращивания кристаллов

 

Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает снижение высоты устройства, повышение жесткости конструкции и удобства обслуживания. Камера устройства выполнена в форме двух горизонтальных плит, скрепленных вертикальными рамами, имеющими двери. В верхней плите выполнен люк, на крышке которого установлен механизм вращения и перемещения затравко держателя. Высота камеры снижена на 50%. 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Е (21) 4602722/26 (22) 28.09.88 (46) 30.01,91. Бюл, М 4 (71) Институт неорганической химии СО АН

СССР (72) И.П.Лизунова, И.Г.Ларионов, А.А,Павлюк и В.Д,Беляев (53) 621.316,592 (088.8) (56) Установка Кристалл — 607, ИЕВЛ

682312.000. Выставка научного приборостроения. Анотированный каталог. Новосибирск; Наука 1984, с, 116 — 117, Изобретение относится к выращиванию кристаллов, применяемых в электронной и химической промышленности, в цветной металлургии, и касается устройства для выращивания монокристаллов методом вытягивания из тигля с расплавом.

Цель изобретения — снижень е высоты устройства, повышение жесткос ги конструкции и удобства обслуживания.

На фиг.1 представлено устройство, продольный разрез; на фиг,2 — вид А на фиг.1; на фиг.3 — разрез Б-Б на фиг.t; на фиг.4— разрез  — В на фиг,3.

Устройство содержит герметичную камеру 1 с рубашками охлаждения 2. Камера 1 содержит две горизонтальные плиты 3 и 4, размещенные одна над другой и скрепленные вертикальными рамой 5 и дополнительной рамой 6, установленными парэллельно, Рамы 5 и 6 снабжены дверями 7 и 8 соответственно. В верхней плите 4 выполнен люк 9 с крышкой 10, на которой установлен механизм 11 вращения и вертикального перемещения затравкодержателя 12. Внутри камеры 1 установлен съемный тигель !3, окру„„5U„„1624066 А1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ

КРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает снижение высоты устройства, повышение жесткости конструкцйи и удобства обслуживания, Камера устройства выполнена в форме двух горизонтальных плит. скрепленных вертикальными рамами, имеющими двери. В верхней плите выполнен люк, на крышке которого установлен механизм вращения и перемещения затравкодержателя. Высота камеры снижена на

50, 4 ил. женный нагревателем 14. Тигель 13 размещен HB штоке 15, который связан с датчиком массы 16, жестко закрепленным на нижней плите 3. Устройство вкл .очает пульт управления 17, в который входят блоки управления двигателями механизма вращения и вытягивания монокристаллов, урав, овешивания весов, формирования задания веса, формирования закона регулирования, автоматического регулирования температуры, регистратор температуры и регистратор веса автокомпенсационный (не показаны).

Устройство работает следующим образом

После загрузки шихты в тигель 13 его устанавливают через люк 9 на штоке 15, опуская тигель вертикально вниз, Устанавливают крышку 10 с механизмом 11 и герметизируют камеру. Включают электропитание нагревателя 14, плавят шихту в тигле 13, производят затравливание и далее процесс выращивания проводится в автоматическом режиме по заданной программе.

После окончания процесса выращенный кристалл извлекают из камеры через

1624066 люк 9. Также через люк 9 извлекает тигель

13 с остатками шихты.

Использование предлагаемого устройства р о личие от известного позволяет на 30 — 50 сократить высоту камеры, и на 10 — 20;ь ширину, тем самым повысив ее компактность, жесткость, устойчивость и удобство в обслуживании, Выполнение операции загрузки тигля облегчается наличием люка в верхней плите, через который тигель извлекается из печи и из камеры простым подъемом. При установке тигля внутри печи сверху и с боков обеспечен достаточный обзор и доступ к тиглю. Операция извлечения и установки тигля с шихтэй легко механизируется с помощью обычных грузоподъемных устройст».

Формула изобретения

Устройство для выращивания кристаллов, включающее герметичную охлаждаемую камеру, снабженную вертикальной рамой с дверью, съемный тигель, размещенный внутри камеры и связанный с датчиком массы, нагреватель, расположенный коак5 сиально тиглю, и затравкодержатель установленный над тиглем и снабженный механизмом вращения и вертикального перемещения, отл ич а ю щеес я тем, что, с целью снижения высоты устройства, по10 вышения жесткости конструкции и удобства обслуживания, камера снабжена горизонтальными плитами, установленными по ее торцам, и дополнительной вертикальной рамой с дверью для крепления

15 плит, в верхней плите выполнен люк диаметром, большим диаметра тигля, снабженный крышкой, на которой установлен механизм вращения и геремещения затравкодержателя, а датчик массы жестко

20 закреплен на нижней плите.

1624066

Фиг. 2

1624066

Составитель В. Захаров — Черенков

Техред M. Моргентал Корректор С.Шекмар

Редактор И. Сегляник

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 171 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Устройство для выращивания кристаллов Устройство для выращивания кристаллов Устройство для выращивания кристаллов Устройство для выращивания кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5

Изобретение относится к технологии вытягивания кристаллов из смачиваемого расплавом формообразователя и обеспечивает улучшение макрострук туры боковой поверхности кристалла

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов тугоплавких оксидов методом Чохральского

Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает контроль за ростом кристалла из-под слоя флюса в глубоком тигле

Изобретение относится к способу получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина и позволяет сократить длительность процесса и уменьшить загрязнение расплава и кристаллов и коррозию тигля

Изобретение относится к технологии получения кристаллических изделий методом Степанова, обеспечивает увеличение прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий, имеющих неправильную, геометрическую форму с удлиненными выступами

Изобретение относится к технологии получения кристаллов вытягиванием из расплава

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава и позволяет повысить качество выращиваемых кристаллов

Изобретение относится к устройствам автоматического управления процессами выращивания монокристаллов из расплава

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках с гибкой подвеской затравки для предотвращения раскачки монокристалла
Наверх