Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

 

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста с коаксиально расположенными тиглем для расплава и нагревателем, затравкодержатель, установленный над тиглем с возможностью вращения и осевого перемещения, защитный кожух для стержня из исходного материала с механизмом осевого перемещения стержня, установленный наклонно к вертикальной оси системы вакуумирования камеры роста и подачи в нее инертного газа, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет полунепрерывного режима работы, оно снабжено шлюзовой камерой для выращенного кристалла, размещенной по оси камеры роста и по крайней мере одной шлюзовой камерой для стержня из исходного материала со средством ее перемещения относительно камеры роста, шлюзовые камеры имеют вакуумные затворы и системы независимого вакуумирования и подачи инертного газа, а механизм осевого перемещения стержня снабжен гибким элементом.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что средство перемещения шлюзовой камеры для стержня из исходного материала выполнено в виде расположенных на одной оси шарнира шкива, взаимодействующего с гибким элементом, и рычага, связанного шарнирно с корпусом шлюзовой камеры для выращенного кристалла.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) методом Чохральского, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, а также разнообразных пьезоэлектрических и пьезорезонансных датчиков
Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле
Наверх