Способ культивирования фитопатогенного гриба sертоriа nоdоruм
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН
„„SU„„1645290 А 1 (51)5 С 12 11 1/14
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТ1(РЫТИЯ11
ПРИ ГННТ СССР (21) 4602082/13 (22) 12.09.88 (46) 30. 04., 91. Бкхп. h 16 (71) Всесоюзный научно-ис следов а тел ьский институт фитопатологии (72) Т.И. Курахтанова и 8.А. Дятлов (53) 576.8(088.8) (56) Boyette С.D. Иа11 er Н.I.. Рrnduction and storage of inoeulum of Сercnspora Kikunkii for field studies„
PIiytopathology, 1985, vol„ 75, р. 183-185. (54) СПОСОБ 1СУЛЫИВИРОВАНИЯ ФИТОПАТОГЕННОГО ГРИБА SEPTORIA IJOI)ORUI I (54) Изобретение относится к способам культивирования микроорганизмов, преимуцественно к технологии культивирования фитопатогенных грибов, производству спорового инокулюма для селекции растений а устойчивость к боле:ням.
Изобретение относится к технологии культивирования фитопатогенпых грибов, в частности к производству спороного инокулюма возбудителя септориоэа злаков Sept.oria nodcrum Berk для селекции на устойчивость к болезни.
Цель изобретения — увеличение удельного выхода спор гриба.
На фиг. 1 изображен спектр пропускания лавсановой пленки марок
Э-10(1) и Э-20(2) и разность потока излучения лампы ЛБ-80 через пленки
Э-10 и Э-20 (3); на фиг„ 2 — относительное пропускание пленок Э-10 и
Цепью изобретения является увеличение удельного выхода спор гриба Способ заключается в том, что споры гриба
Svptoriа nodonzm засевают на твердую питательную среду, Hcl которой осуществляют выращивание грибов в условиях непрерывного искусственного освещения лучистой энергией с максимумом иэлуче— ния в области длин волн 310-320 нм и аэрации с поспедуюгвж сбором спор и их сушкой. Облучение грибов при выращиванип осуществляют с двух противо попожных сторон. Емкость для выращивания гриба может быть выполнена иэ лавсановий пленки., Облучение фи гопатогенных грибов Бер ог а пос1оплп в период их выращивания лучис1ой энергией в области длин волн 310-320 нм существенно увеличивает удельный выхсд спор укаэанного гриба 1 э,п. ф-лы, 2 табл., 4 ип.
3-20 (1) и спектральный КПЛ лампы типа ЛБ (2) на фиг, 3 — динамика споруляции изолята гриба В„-4/10 на соломенном субстрате при различных условиях освещения; на фиг. 4 — относительное спектральное распределение энергии излучения эритемной лампы.
Сущность способа заключается в том, что споры гриба Septoria nodorum сеют на твердую питательную среду„ на которой осуществляют выращивание грибов в условиях непрерывного искусствен-ного освещения лучистой энергией с максимумом излучения в области длин
1645290 волн 310-320 ни и аэрации, с последующим сбором спор и их сужкой. Облучение грибов при выращивании осуществляют с двух противопололных сторон, Установлено, что наиболее благоприятным резавюм освещения грибов является облучение в области 310-320 нм.
П р к м е р 1. Споры гриба Septoria nodorum, иэапят В, -4/10, засева- 1ð ют на соломенный субстрат и выращивают в условиях непрерывного искусственного освещения: в двух вариантах эритемныж лаинаии ЛЭ-30 с максимумом излучения И области длин волн 310.15
320 нм (фиг. 4) согласно предлагаемо му способу и в одном варианте лаипами
ЛБ-80, имеющих иаксимуи излучения в области длин волн 360-370 нм и более
400.ни (табл. 1) по известному спосо- 2р бу. Иэ данных, приведенных на фнг. 3, видно, что облучение грибов в период их выращивания излучением в области длин волн 310-320 нм (освещение с одной стороны) обеспечивает увеличение 25 удельного выхода спор гриба в два раза, при освещении с двух сторон — в 45 раэ.
Пример 2. Аналогичный эффект мотет быть достигнут при исполь- 3р зовании люиинесцентных лаип (ЛБ-80), имеющих максимум излучения в области длин волн 360-370 нм и более 400 нм (табл. 1), йо при условии, что поток лучистой энергии от этих ламп проходит через фильтр, которвй обеспечивает максимум излучения в области длин волн 310-320 ни. В качестве такого фильтра (покрытие культиватора) иохет быть использована лавсановая пленка марки ПЭГ-Ю. При культивировании изопята гриба S. nodorum на зерне в стеклянных колбах (известный способ) и в емкости из пленки толщиной 10, 20, 50 мкм выход спор соответственно составил 300, 100 и SX от выхода в контроле (известный способ) при оди- . наковых прочих условиях культивирова ния и освещении ламнаии ЛБ-80.
Анализ спектров пропускания пленки
10 (Э-10) и 20 (Э-20) мки и иэлуче50 ния ламп ЛБ (фкг. 1 и 2) показывает, что расчетная разность потока излуче-ния лампы, пропускаемого пенкой 10 и 20 мкм (фиг. 1 ° кривая 3), составляет около 8 иЗт (порядка 0,01Х от потребляемой лампой энергии) в диапазоне 310-320 ни. Разница в спорообраэованин обусловлена различием в светопропускании именно в этой области, так как с увеличением длины волны относительная разность светопропускания пленок 10 и 20 мкм резко снихается (фиг. 2, кривая 1), а КПД лампы ЛБ возрастает.
Пример 3. В табл. 2 приведены сравнительные экспериментальные данные по выращиванию гриба S. nodorum (10 нзолятов) на зерне в культиваторе из лавсановой пленки толщиной 10 мкм при культивировании в условиях непрерывного искусственного освещения. Испольэовали два типа лам: ЛЭ-30 и ЛБ-80 (известный способ). Установленная мощность ламп ЛЭ-30 была меньше в 3,3 раза. Из данных табл. 2 видно, что достигается увеличение выхода спор гриба на 1-2 порядка (макс.) при облучении их лучистой энергией с максимумом излучения в области 310-320 нм (эритемные ламы ЛЭ-30) согласно предлагаемому способу по сравнению с облучением лам памк ЛБ-80 (максимум излучения в области 360-370 нм и более 400 нм).
В биологических свойствах спор (прорастаемость, морфолого-культураЛь ная идентичность с исходной культурой) гриба S.nodorum при облучении его лучистой энергией с длиной волны
310-320 ни отклонений не имелось.
Таким образом, освещение фитопатогенного гриба S. nodorum лучистой энергией с максииумои излучения в области длин волн 310-320 нм в период его культивирования на твердой питательной среде обеспечивает увеличение удельного выхода спор указанного гриба. ф о р м у л а изобретения
1. Способ культивирования фитопатогенного гриба Septoria nodorum, включающий посев спор гриба на твердую питательную среду, выращивание их в условиях непрерывного нскусствейного освещения в емкости, выполненной из светопрозрачного иатериала, и аэрации с последуюцнм сбором спор к их сушкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения удельного выхода спор гриба, их освещение осуществляют лучистой энергией с максимумом излучения в области длин волн 310-320 нм, 2. Способ по и. 1, о т л и ч а ю " шийся тем, что.,освещение осуществляют с двух противополозиых сторон, а в качестве светспроэрачного материала используют лавсановую пленку.
1645290
Таблица 1
Спектр ламп типа ЛБ
Диапазон длины волны излучения нм
Доля потребляемой энергии, преобразуемой в излучение, 10
0,39
750-760
Т а блица 2
Спорообразование изолятов S.nodorum в культиваторе из лавсановой пленки толщиной 10 мкм в зависимости от источника света (выход в 1Ф к10 спор/г субстрата) Тип ламп
Изоляты
ЛБ-90 ЛЭ-30
270-280
280-290
290-300
ЗОО-З1О
320-330
330-340
340-350
350-360
360-370
370-380
380-390
390-400
400-410
410-42о
420-430
430-440
В-25/МС-3
В-64
В-28/кг-1
В-26/Ср-1
В-29/ЭС-1
В-24/МС-2
В-40/У-6
В-63
В-65
В-70
0,0015
0,0029
0,038
0,019
0,020
0,034
О,1О
4,2
0,51
О,86
1,О
7,З
1,7
2,1
1 00-120
90-100
70-75
45-50
45-50
15-20
5-10
0,2-0,5
0,3-0,4
250-300
400-450
450-500
300-350
400-410
450-480
200-240
450-480
95-100
45-50
550-600
1 645290
300 ЛО ЗгО ЛО ЛО МО ЛЮ
Дяига Гаянэ, ип
Фиг.!
ЖО 350
ФОО
Рие.2 Ф
O с
<< ою ь 2
М л 8 б 2
1 100
Ъ
> 80
h о ф Щ
Ъ с» 20
Ю 6
5N
% и
450 500 550
Дпина баяны, ни
1645290
Buzgacm нДлыУЦ ) б! rymrru
270
iso юо ямину болин, нк
Редактор А. Огар
Заказ 1322 Тираж 378 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101
0
О
О
Ь
Ъс
1 " г
Ъ) 126
Ъ
Ф 100
3 M ф ф
" 4д
Ъ ф М
Фиг. Ф
Составитель P. Андреев
Техред M,äöäûê Корректор М. Bapoam