Способ получения магнитооптического носителя информации

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации. Целью изобретения является повышение однородности и толщины эпитаксиального слоя и увеличение подвижности доменных стенок в нем. В способе получения магнитооптического носителя информации, включающем выращивание эпитаксиального слоя на вращающейся немагнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель ВвОз-РЬО-ВгОз и гранатообразующие окислы, выращивание слоя проводят при температуре от 940 до 1108 К из раствора-расплава, содержащего компоненты в следующем соотношении, мол.%: РЬО 0.00 - 67.12; В1гОз 17,49 - 82,21; В20з 1,19 - 5.28; RaOa 0,14 - 1,49; РеаОз 7,15 - 14,39; Ме.0з 0,47-2,92, где R Gd, Y, Lu, La или их комбинация, Me Ga, AI или их комбинация. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ, СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (39) (И) (азиз G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕН1ЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4686964/24 (22) 03.05.89 (46) 07.05.91. Бюл, ЬИ7 (75) Н.А.Логинов, B.В.Рандошкин, А.Ю,Трошин, В.И.Чани и А.Я.Червоненкис (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

ЛЬ 1019870, кл. С 30 В 19/12, 1986.

Радиоэлектроника. Состояние и тенденции развития. НИИЭИР, 1985, тетр.11, с.70 — 78. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТООПТИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации. Целью изобретения является повышение однородИзобретение относится к вычислительНоА технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации.

Целью изобретения является повышение однородности и толщины эпитаксиального слоя и увеличение. подвижности доменных стенок в нем.

В соответствии с предложенным способом получение магнитооптического носителя информации осуществляют следующим образом, Выращивают эпитаксиальный слой на вращающейся немагнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель ВЬгОз-РЬО-ВгОз и гранатообразующие окислы при температуре от 940 до 1108 К из раствора-расплава, содержаности и толщины эпитаксиального слоя и увеличение подвижности доменных стенок в нем. В способе получения магнитооптического носителя информации, включающем выращивание эпитаксиального слоя на вращающейся нема гнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель ВЬОз-РЬО-Вг03 и гранатообразующие окислы, выращивание слоя проводят при температуре от 940 до 1108 К из раствора-расплава, содержащего компоненты в следующем соотношении, мол. :

РЬО 0,00 — 67,12; В1гОз 17,49 — 82,21; ВгОз

1,19 — 5.28; ЯгОз 0,14 — 1,49; РегОэ 7,15—

14,39; МегОз 0,47 — 2,92, где R=Gd, Y, Lu, La или их комбинация, Ме = ба, Al или их комбинация. 1 табл. щего компоненты в следующим соотношении, мол,g:

РЬО 0,00 — 67,12

В 1гОз 17,49 — 82,21

ВгОз 1,17 — 5,28

ИгОз 0,14 — 1,49

Fez0g 7,15 — 14,39

МегОз 0,47 — 2,92, где R = Gd, Y, о, La или их комбинации, Me - Ga, Al или их комбинация.

Суть предложенного способа заключается в том, что приведенный диапазон раствора-расплава не соответствует области первичной кристаллизации граната (первой кристаллизующейся фазой при охлаждении системы из гомогенного состояния является феррит-гранат), Для указанного соотношения компонентов первой кристаллиэующейся фазой является фаза с негранатовой структурой, однако при внесении в

1()47648

Диапазон изменения температуры роста Тр составлял от 940 до 1100 К, скорость вращения подложки в = 100 — 200 об/мин, Изменение состава по толщине эпитаксиПоказатели по п име

82,21

4,1! о о

0.23 о

11,61

1,84

О сгг

1058

14,7

1,9

> 1ОО

62,54

17,49

1,1т

0,11

1,О! о о,зт

14,39

1,8ã

1,1О кнггг

1108

26,1

2,7

> !оо

57,66

28,84

2,6О о

0,26

0,26 о

8,65

1,7З о нгг

948

12,6 з,2

> 100

67.12

19,84

5,28

0,05

0,09 о о

7,15 .

0,40 о,от кнгг

940 !

7,2 з,о

> 1ОО

П р и м е ч а н и е: (Э вЂ” удельное фарадеевское вращение на длине волны 600 нм.

Составитель IO.Ðîçeíòàëü

Техред М,Моргентал Корректор О.Кравцова

Редактор А.Мотыль

Заказ 1404 Тираж 354 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина, 101 раствор-расплав изоструктурной подложки наблюдается вынужденная кристаллизация феррит-граната. Нестабильные растворырасплавы характеризуются повышенной устойчивостью по отношению к деградации пересыщенного состояния раствора-расплава, а следовательно, стабилизацией коэффициентов распределения во времени и повышением однородности и толщины эпитаксиальных слоев.

То, что в состав эпитаксиального слоя не входят быстрорелаксирующие ионы, дающие большой вклад в приведенный параметр затухания Ландау-Лифшица, обеспечивает высокие значения подвижно. сти доменных стенок в носителе информации.

Эпитаксиальные слои состава (R,И)з, (Fe.Me)5O!2, где R - Lu, Y, 6б, La или их комбинация, Me =Ga, AI или их комбинация,,выращивали. методом эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава с ориентацией (111). В качестве подложек использовали немагнитные гранаты Созба501г(ГГГ), Ятз6а501г(СГГ), йоз6а50!2(Н ГГ), 6аз(ЙЬ,6а)50!9(КН ГГ) и

GagNb,68,6е)5О!2(КНГГГ). Раствор-расплав содержал компоненты в соотношении, указанном в таблице. ального слоя, которое контролируется методом рентгеновского микроанализа на косых шлифах, не превышало 5, Подвижность доменных стенок определяли по ширине ли5 нии ферромагнитного резонанса. Типичные параметры носителя информации приведены в таблице, где OF — удельное фарадеевское вращение.

10 .Формула изобретения

Способ получения магнитооптического носителя информации, основанный на выращивании эпитаксиального слоя на вра15 щающейся немагнитной подложке со структурой граната, погруженной в переохлажденный раствор-расплав, содержащий растворитель В!20з-Рb0-ВгОз и гранатообразующие окислы, отл ича ю щийс я тем, 20 что, с целью повь:шения однородности и толщины эпитаксиального, слоя и увеличения подвижности доменных стенок в нем, выращивание эпитаксиального слоя проводят при температуре 940 — 1108К, причем

25 раствор-расплав содержит компоненты в следующем соотношении, мол. :

Pb0 0,00 — 67,12

8 !20з I 7,49 — 82,21

В20з 1,17 — 5,28

30 R208 0,14 — 1,48

FezOa 7,15 — 14,39

Мег Оз 0,47 — 2,92, где R = Gd, Y, Lu, (а или их комбинация, Me = Ga, А! или их комбинация.