Устройство для нагрева подложек в вакууме

 

Устройство для нагрева подложек в вакууме преимущественно к установкам молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащее корпус с размещенными в нем нагревателем и держателем подложек, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения однородности температурного профиля на подложках, нагреватель снабжен тепловыравнивающими пластинами из пиролитического нитрида бора и размещен между ними, при этом плоскости спайности пластин параллельны нагревателю, а толщина каждой пластины менее 4 мм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вакуумной технологии и может быть использовано для осаждения пленок при изготовлении приборов микроэлектроники, оптических покрытий, элементов интегральной оптики

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано в тонкопленочной технологии
Изобретение относится к нанесению тонкопленочных покрытий в вакууме, в частности защитных, износостойких и декоративных покрытий на изделия из различных материалов

Изобретение относится к машиностроению, в частности к нанесению покрытий в вакууме, и может быть использовано при нанесении покрытий на режущий инструмент, изготовленный из сталей, твердых сплавов и керамических материалов

Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на обеспечение минимальной неравномерности покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала

Изобретение относится к устройствам для получения газофазным методом ультрадисперсных порошков и сплавов, а также для нанесения металлических покрытий в вакууме на металлические и неметаллические изделия

Изобретение относится к области получения высокотемпературных материалов, используемых для защиты от окисления и газовой коррозии и в качестве защитных покрытий термонагруженных деталей газовых турбин и двигателей внутреннего сгорания

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано для получения толстых пленок металлов при изготовлении, например, разводки коммутационных плат

Изобретение относится к материаловедению, а именно к способам изготовления преимущественно износостойких, прочных и жаропрочных материалов на металлической, металлокерамической или полимерной основе, а также изделий из этих материалов

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к устройствам взрывного испарения с резистивным нагревом для испарения металлов
Наверх