Полупроводниковый прибор

Авторы патента:

H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Полупроводниковый прибор по крайней мере с одним p-n-переходом одноразового действия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности пробивного напряжения, в теле базы или на ее поверхности созданы неоднородности, а в зоне омических контактов размещены дозированные запасы электродного сплава, объем которых обусловлен протяженностью и диаметром токопроводящей перемычки, замыкающей в результате пробоя p-n-перехода и высокоомную базу.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии н может быть использовано при необходимости прецизионной обработки жидкостными травителями структур антнмоннда индия для оптоэлектронных приборов

Способ изготовления кмдп интегральных схем // 1669333

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика // 1667567

Способ герметизации корпуса полупроводникового прибора // 1664079

Способ формирования рисунка // 1662361

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при создании устройств на основе сверхпроводящих материалов

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела si - sio2 // 1662298

Способ пассивации примесных центров в полупроводниковых структурах // 1662294

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем

Способ изготовления контактов к кремнию // 1661875

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления интегральных элементов микроэлектронных устройств

Способ определения параметров неосновных носителей заряда в полупроводниках // 1660532

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ нанесения пленок // 2102814

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2102817

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией