Устройство для выращивания кристаллов из расплава

 

Изобретение относится к получению искусственных кристаллов и обеспечивает уменьшение габаритов устройства и повышение удобства обслуживания, а также повышение производительности. Устройство содержит камеру роста, которая выполнена из верхней, нижней частей и поддона. Нижняя часть камеры снабжена средством горизонтального перемещения. Между частями камеры и поддоном размещены средства уплотнения, снабженные приводом. Тигель для расплава размещен в нижней части камеры , а шток тигля - в поддоне. 4 з.п.ф-лы, 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 15/00

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4736674/26 (22) 13.09.89 (46) 30.09.91. 6юл, 3Ф 36 (71) Производственное объединение "Красноярский машиностроительный завод" (72) А.Я.Калугин, Л.К.Куценогий, С:И,Петров и А.H.Àáëoâàöêèé (53) 621.315.592(088,8) (56) Патент Франции М 2522694, кл. С 30 В 15/08, 1983, (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ

КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

Изобретение относится к оборудованию для получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для установок выращивания монокристаллов (например, кремния) методом Чохральского.

Цель изобретения — уменьшение габаритов устройства и повышение удобства обслуживания, а также повышение производительности.

На фиг.1 изображено устройство со средством перемещения нижней части камеры в виде колес, общий вид; на фиг.2- вид

А на фиг.1; на фиг.3 — устройство со средством перемещения нижней части камеры в виде консоли, общий вид.

Устройство содержит камеру роста, которая выполнена в виде установленных одна над другой верхней части 1; которая закреплена неподвижно, нижней части 2, установленной с возможностью перемеще„„Я ÄÄ 1680810 А1 (57) Изобретение относится к получению искусственных кристаллов и обеспечивает уменьшение габаритов устройства и повышение удобства обслуживания. а также по; вышение производительности. Устройство содержит камеру роста, которая выполнена из верхней, нижней частей и поддона. Нижняя часть камеры снабжена средством горизонтального перемещения. Между частями камеры и поддоном размещены средства уплотнения, снабженные приводом, Тигель для расплава размещен в нижней части камеры, а шток тигля — в поддоне. 4 з.п.ф-лы, 3 ил. ния в горизонтальной плоскости, и неподвижно закрепленного поддона 3, Нижняя Б часть 2 камеры роста снабжена средством перемещения в горизонтальной плоскости, которое выполнено либо в форме колес

4, прикрепленных к наружной поверхности нижней части 2 камеры с помощью кроштейнов 5, либо в форме консоли 6, проикреплен- О ной к наружной поверхности нижней части ОО

2 камеры и установленной с возможностью поворота в горизонтальной плоскости на ко- (") лонне 7. В нижней части 2 камеры размещен тигель 8 для расплава с подставкой 9, нагреватель 10и опорное кольцо 11 тигля 8. Сред- " ство уплотнения, размещенное между

° аЪ верхней 1 и нижней 2 частями камеры и между нижней частью 2 камеры и поддоном

3, содержит кольцевой бурт 12 на торцах нижней части 2 камеры, два эластичных уплотнительных кольца 13 и Z-образное кольцо 14, которое установлено с возможностью

1680810 осевого перемещения и снабжено приводом 15, В поддоне 3 установлен с возможностью осевого перемещения шток 16 тигля

8, снабжненный центрирующим элементом

17. Устройство может быть снабжено по меньшей мере двумя нижними частями 2 камеры.

Устройство работает следующим образом, Перемещают шток 16 тигля 8 вниз, при этом последний с подставкой 9 устанавливается на опорном кольце 11, С помощью привода 15 перемещают; Z-образные кольца 14, образуя зазоры между частями 1 и 2 камеры и нижней частью 2 камеры с поддоном 3. Нижнюю часть 2 камеры выкатывают на колесах 4 или поворачивают вокруг колонны 7, Производят загрузку тигля 8 исходным материалом, которую могут осуществлять в отдельном чистом помещении.

Устанавливают нижнюю часть 2 камеры в первоначальное положение. Приводом 15 перемещают кольца 14, герметизируя камеры роста. Продувают камеры инертным газом. С помощью штока 16 поднимают тигель 8 с опорного кольца 11, Центрирующий элемент 17, взаимодействуя с подставкой 9, обеспечивает осевое перемещение тигля 8. Включают нагреватель 10, расплавляющий исходный материал и выращивают кристалл. При наличии двух нижних частей

2 камеры роста возможна загрузка исходного материала в тигель одной нижней части, в то время как из тигля другой части производят выращивание кристалла. Такое совмещение операций по времени обеспечивает повышение производительности.

То обстоятельство, что загрузка может производиться в отдельном помещении, повышает удобство обслуживания, а исключение осевого перемещения нижней части камеры роста уменьшает габариты устройства.

Формула изобретения

5 1, Устройство для выращивания кристаллов из расплава, включающее камеру роста, выполненную в виде неподвижной верхней части и нижней, снабженной средством перемещения в горизонтальной пло10 скости, средство уплотнения частей камеры и тигель для расплава, размещенный в нижней части камеры, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения габаритов и повышения удобства обслуживания, устройство

15 снабжено поддоном, неподвижно закрепленным под нижней частью камеры, штоком для тигля, установленным в поддоне с воэможностью осевого перемещения, дополнительным средством уплотнения между

20 нижней частью камеры и поддоном и опорным кольцом для размещЕния на нем тигля, 2, Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что каждое средство уплотнения выполнено в виде кольцевого бурта на тор25 це нижней части камеры, двух эластичных уплотнительных колец и Z-образного кольца, установленного с возможностью осевого перемещения и снабженного приводом.

3. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е е30 с я тем, что средство перемещения нижней части камеры выполнено в форме колес, размещенных на ее наружной поверхности.

4, Устройство no n.1, о т л и ч а ю ще ес я тем, что средство перемещения нижней

35 части камеры выполнено в форме консоли, прикрепленной к ее наружной поверхности и установленной с возможностью поворота, 5. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения производи40 тельности, оно снабжено по меньшей мере двумя нижними частями камеры.

i680810

Фиг.7

3й ащению кснспло

11 7б

Составитель В,Захаров-Черенков

Редактор M.Ïåòðîâà Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор М.Шароши

Заказ 3288 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4(5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул,Гагарина, 101

Устройство для выращивания кристаллов из расплава Устройство для выращивания кристаллов из расплава Устройство для выращивания кристаллов из расплава Устройство для выращивания кристаллов из расплава 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к материалам квантовой электроники, в частности к технологии выращивания монокристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната (ГСГГ), которые используются для изготовления активных элементов, и позволяет улучшить оптическое и структурное совершенство монокристаллов

Изобретение относится к способу получения монокристаллов молибдата свинца и позволяет увеличить размеры и улучшить качество монокристаллов

Изобретение относится к способу получения монокристаллов молибдата свинца и позволяет увеличить размеры и улучшить качество монокристаллов

Изобретение относится к устройствам для выращивания монокристаллов методом Чохральского и может быть использовано в электронной технике

Изобретение относится к технологии получения кристаллов вытягиванием из расплава

Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает снижение высоты устройства, повышение жесткости конструкции и удобства обслуживания

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5

Изобретение относится к технологии вытягивания кристаллов из смачиваемого расплавом формообразователя и обеспечивает улучшение макрострук туры боковой поверхности кристалла

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов тугоплавких оксидов методом Чохральского

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках с гибкой подвеской затравки для предотвращения раскачки монокристалла
Наверх