Способ создания омических контактов

 

Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью энергии 0,8-1,2 МДж/м2 при длительности импульса 0,03-10 с.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к методам импульсной лазерной обработки полупроволняковых структур и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов для беэпакуумного локального изготовления контактов

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем с применением техники ионного легирования
Изобретение относится к полупроводникой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на изолирующих аморфных подложках

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Изобретение относится к способу изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков

Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ
Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч
Наверх