Селективное покрытие

 

Изобретение относится к преобразованию солнечной энергии и может быть использовано при изготовлении лучевоспринимающих поверхностей поглотителя солнечных коллекторов. С целью увеличения коэффициента поглощения , получения образцов с воспроизводимыми свойствами и упрощения технологии селективное покрытие состоит из Сг и диэлектрика, а в качестве диэлектрика содержит ТЮа при следующем соотношении компонентов, мас.%: Сг 20- 33,33. ТЮ2 66,67-80.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)s F 24 J 2/48

ГОСУДАРCT8EННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4796317/06 (22) 19.12.89 (46) 15.12.91. Бюл. М 46 (71) Специализированное проектное конструкторско-технологическое бюро с опытным производством Научно-производственного объединения "Физика — Солнце" АН УССР и

Научно-производственное обьединение прикладной механики (72) 3.С.Сеттарова, У.Х. Газиев, Т.К.Исматуллаев, В,Г,Дыскин, В.А.Харламов и В.А.Тендитный (53) 662.997 (088,8) (56) Pekruhn D. "Сг/SIO on Cu Solar ве!есбче

absorbers", "Solar Energy materials", к ",2, 1985, р. 199-209.

Изобретение относится к преобразованию солнечной энергии и может быть использовано при изготовлении лучевоспринимающих поверхностей поглотителя солнечных коллекторов.

Целью изобретения является увеличение коэффициента поглощения, получение поглотителя с воспроизводимыми свойствами и упрощение технологии.

Для этого селективное покрытие, содержащее хром Cr и диэлектрик, в качестве диэлектрика содержит окись титана Т10 при следующем соотношении компонентов, вес,7;: Cr 20 — 33,33; TiOz 66,67 — 80.

Поглотитель с селективным покрытием получают следующим образом.

Готовят смесь порошков Cr и T(02, взятых в определенном процентном соотношении, и растирают ее в агатовой ступке.

„„ Ц„„1698591 А1 (54) СЕЛЕКТИВНОЕ ПОКРЫТИЕ (57) Изобретение относится к преобразованию солнечной энергии и может быть использовано при изготовлении лучевоспринимающих поверхностей поглотителя солнечных коллекторов. С целью увеличения коэффициента поглощения, получения образцов с воспроизводимыми свойствами и упрощения технологии селективное покрытие состоит из Cr и диэлектрика, а в качестве диэлектрика содержит TiOz при следующем. соотношении компонентов, мас.$: Cr 2033,33, Т!02 66,67 — 80.

Готовую смесь помещают в вакуумную камеру на вольфрамовую лодочку, которую нагревают до температуры, необходимой для (3Ь напыления вещества на подложку, располо- 10 женную над испаряемым веществом. В ка- Q(j честве подложки используется металл или (Л сплав (например АМг-6, Al, Cu и т.д.), или полимерная пленка с предварительно напылен° и .ным непрозрачным металлическим слоем, После испарения вещества готовый образец охлаждают и исследуют его свойства — коэффициент поглощения солнечного из- а лучения а> на фотометре ФМ-85 и коэффициент излучения E на терморадиометре

TPM-И. Контроль толщины покрытия проводится в процессе напыления с помощью устройства УКСК-21ДФ, Напыление селективных поглотителей проводилось на вакуумной установке PP1698591

Составитель А. Смирнова

Техред M.Ìoðãåèòàë Корректор М. Кучерявая

Редактор Э, Слиган

Заказ 4382 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

601, в которой предусмотрены возможности подогрева и стабилизации температуры подложки, а также ионная очистка подложек в тлеющем разряде.

Пример 1. Приготовлена смесь Сг и 5

TIOz, взятая в процентном соотношении Сг — Ti02 20:80 или в весовом соотношении Сг

200 мг, TIOz 800 мг, и по вышеизложенной технологии испарением в вакууме получено покрытие толщиной порядка 2000 А на под- 10 ложке из AMr-6. Измеренные оптические характеристики селективного покрытия соответствуют значениям e< = 0,94, я = 0,1.

Пример 2. Приготовлена смесь Сг и 15

TI0z, взятая в процентном соотношении

Сг — TI02 25:75 или в весовом соотношении

Cr 500 мг, TIOz 1500 мг, и по вышеизложенной технологии испарением в вакууме,получено покрытие толщиной 1750 А на 20 подложке из АМг-6. Измеренные оптические характеристики селективного покрытия соответствуютзначениям а = 0,93, я=

О, I.

Пример 3, Приготовлена смесь Сг и 25

TI0z, взятая в процентном соотношении Сг — TIOz 33,33:66,67 или в весовом соотношении Сг 500 мг и TIOz 1000 мг, и по вышеизложенной технологии испарением в

30 вакууме получено покрытие тОлщиной

1500 А на подложке из АМг-6. Измеренные оптические характеристики селективного покрытия соответствуют значениям а, =0,92, е=-0,08.

Данное покрытие имеет ряд греимуществ, таких как упрощение технологии, достаточная воспроизводимость оптических свойств при соблюдении технологии и высокие значения коэффициента поглощения, Кроме того, покрытие Cr/TIO2 обладает высокой адгезионной поочностью и стойкостью к воздействию внешней среды.

Проведены модельные расчеты оптических свойств, отработана технология, получены экспериментальные образцы селективных покрытий на подложках из

AMr-6, сплава пленки Ф4МБ, полиамидной и лавсановой пленок, Формула изобретения

Селективное покрытие, содержащее хромидиэлектрик.отл ича ющееся тем, что, с целью увеличения коэффициента поглощения, получения поглотителя с воспроизводимыми свойствами и упрощения технологии, оно в качестве диэлектрика содержит окись титана при следующем соот-. ношении компонентов. мас.$: хром.

20,0-33,33; окись титана 66,67 — 80,0.