Полупроводниковый прибор

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение надежности. Полупроводниковый прибор содержит основание 1 с выступом 2, рамку 3, выводы k с внутренними лепестками 5, полу- . проводниковый кристалл 6 с контактными площадками 7, крышку 8 и связующее вещество 9. Выводы Ц размещены между основанием 1 и рамкой 3, контактные площадки 7 полупроводникового кристалла 6 соединены с лепестками 5 выводов . Упругая реформация лепестков компенсирует тепловое воздействие в широком интервале температур. 3 я.п.ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1705920 щ) g Н 01 I, 21/00

ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИЛ

Н АBTOPGKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

CO

СЛ

7 1f

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

hQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4666763/21 (22) 27.03.89 (46) 15.01.92. Бюл. 1 " 2 (75) В,И.Кабанец (53) 621.382(088.8) (56) Кэдленд Г.P. и др. 11нтегральные схемы. Основы проектирования и технологии. M. Сов.радио, 1970, с, 174-1 76 .

Патент ФРГ М 3546660, кл. Н 01 L 21/603, 1986. (54) ПОПЬПРОВОЛВ1,КОВЫИ ПРИЬОР (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов. Цель изобретения повышение надежности. Полупроводниковый прибор содержиг основание

1 с выступом 2, рамку 3, выводы 4 с внутренними лепестками 5, полу- . проводниковый кристалл 6 с контактными площадками 7, крышку 8 и связующее вещество 9. Выводы 4 размещены между основанием 1 и рамкой 3, контактные площадки 7 полупроводникового кристалла 6 соединены с лепестками 5 выводов 4. Упругая реформация лепестков компенсирует тепловое воздействие в широком интервале температур. 3 з.п.ф-лы.

17059?0

55

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов.

Цель изобретения - повышение надежности прибора.

На чертеже показана конструкция

Полупроводникового прибора.

Полупроводниковый прибор содержит основание 1 с выступом 2, рамку 3, выводы 4 с внутренними лепестками 5, полупроводниковый кристалл 6 с контактными площадками 7, крышку 8 и связующее вещество 9, выводы 4 размещены между основанием 1 и рамкой, 3, контактные площадки 7 полупроводникового кристалла Ь соединены с лепестками 5 выводов 4 Лепестки 5 выворов 4 выполнены в виде упруго-рефор- 20 мирова нных уголков, одной стороной прижатых к стенке рамки 3 жестким выступом 2 основания 1, а соединение каждого лепестка 5 вывода 4 с контактной площадкой 7 осуществлено тор- 25 цом другой стороны уголка. Рамка 3 и кристалл 6 закрыты крышкой 8, а менду основанием 1, рамкой 3 и крышкой

8 размещены слои связующего вещества 9.

Угол между сторонами лепестка 5 вывода 4 выбран равным 100-135

Стороны окна рамки со стороны крышки 8 выполнены с фасками 10 для размещения выступов 11 на боковых гранях кристалла 6, при этом длина каждой стороны прилегающей к .крышке R выбрана большей длины стороны окна рамки 3, прилегающей к основанию 1 на 0,25-0,75 толщины кристалла 6, Стенки окна рамки 3 могут быть выполнены с углублениями, я которых размещаются части лепестков 5 выводов 4.

Полупроводниковый прибор работает следующим образом.

Интегральная схема типа К1500, КП155, включает плоское основание из алюмооксирной керамики 22ХС толщиной

0,9 мм размером g,5 i 9,5 мм, пплупро5С водниковый кристалл с размерами 1,5»

»1,5 мм и толщиной 0,4 мм, имеющий по периферии 16 контактов в виде металлизированных площадок размерами

120»120 мкм из алюминия толщиной 12 мкм, прикрепленный к крышке с помощью стеклоприпоя толщиной О, 2 мм и температурой плавления 420-450 Г.

Полупроводниковый кристалл центрирован в отверстии плоской рамки из алюмооксидной керамики 2? Х С толщиной 0,8 мм и размерами 9,5 9,5 мм.

Кристалл со стороны контактов имеет ровные боковые поверхности, полученные рисковой резкой на глубину 150 мкм, а со стороны основания выступающие в виде сколов погрешности формы ро 0,1 мм, образованные раскалыванием, пластины при ее разделении на кристаллы по кристаллографическим осям, Лля исключения влияния погрешностей формы боковых поверхностей кристалла на точность центровки в отверстии рамки, последнее расширено со стороны основания по контуру отверстия на 0,15 мм при глубине 0,3 мм, составляющую часть толщины кристалла и перекрывающую на 0,05 мм по высоге ровные боковые участки поверхности кристалла. Оставшиеся участки поверхности кристалла размером ",1 обеспечивают центровку кристалла в отверстии рамки. Часть о> рерстия рамки в зоне це н т р ое ки леп ест ко я в .le oboe и нее т рифленую поверхность, выс упы которой выполнены с гарантипоьанным зазором до ?О мкм относительно размероя кристалла. Rn впадинах рифленой повехности отверстия рамки шириной рп

120 мкм и глубиной ро 140 мкм размещены 16 лепестков, имеющие ширину

100 мкм и толщину 50 мкм, сформованные из Bbleopoe рвухстор,нним травлением. Лепестки сформованы в вире уголков со сторонами, имеющими длину по

0,4 мм, разверенными между собой под о углом 120, Угол развода лепестков меньше 100 применять нецелесообразно, так как не будет обеспечена ростаточная деформация лепестков, при угле больше 135 лепестки вследствие большой жесткости могут повреждать контакты кристалла. От воздействия усилия на стороны лепестков от жесткого выступа, сформированного на керамическом основании и центрированного в отверстии рамки, стороны лепестков, контактирующие с контактами кристалла, упруго ре ормирояаны по концам на величину 20-30 мкм. Общее прижимное усилие жесткого выступа крьшки, созданное при сборке полупроводникового прибора, находится на уровне 4,8 H и распределено в готовой интегральной схеме примерно по

G, 3 H на кажрый flerlåñ roê RbleopR. 0c—

1705920 кового прибора за одну операцию, ooÐ дающуюся полной автоматизации, что существенно снижает затраты на его изготовление, формула изобретения

Составитель Е..Панов техред М,дидых

Редактор М.тоятин

Корректор М.Самборская.

Яакаэ 199 тираж

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,101

9 мм

9,5х9,5 мм из алюмооксидной керамики прикреплено к рамке с помощью легкоплавкого стекла, а в слое легкоплавкого стекла между основанием и рамкой закреплены выводы из сплава 12<18Н9 шириной 0,4 мм, толщиной

0,1 мм, выступающие по nhe стороны интегральной схемы на 11 мк. Питание интегральной схемы, подачу и снятие сигналов осуществляют через внешние выводы, соединенные через лепестки с контактами кристалла.

Возникающие в процессе работы тепловые воздействия в интервале темо ператур 60-?00 С из-за разного теплового расширения входящих я конструкцию материалов деформируют положение контактов крис Tëëëа oTносительно контактирующих с ними лепестков на 2 мкм, но эта деформация беэ ущерба для работоспособности компенсирована упругой деформа цией лепестков (? 0-30 мкм) . Возникающие при работе динамические воздействия вплоть до 50000 также приводят к деформациям составных частей из-31 инерционносги масс, но в данной интегральной схеме при таких воздействиях имеется 20-кратный запас по обеспечению контактирования лепестков с контактами кристалла, обусловленный малой инерционностью масс лепестков и заданной упругой деформацией.

Таким образом, полупроводниковый прибор в сравнении с прототипом обладает более высокими надежностью и качеством, достигаемым путем упрощения конструкции, повышения устойчивости к тепловым и динамическим воздействиям, повышения точности соединений лепестков выворов с контактами кристалла. Простота конструкции позволяет производить сборку всего полупроводни1

1. Полупроводниковый прибор, со10 держащий основание с выступом, рамку, выводы с внутренними лепестками, размещенные между основанием и рамкой, и полупроводниковый кристалл с контактными площадками, соединенными с лепестками BhlBopoRq о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности, лепестки выводов выполнены в виде упругодеформированных уголков, одной стороной прижатых к

20 стенке рамки выступом основания, выполненным жестким, а соединение каждого лепестка вывода с контактной площалкой осуществлено торцом другой стороны уголка, при этом рамка и

25 кристалл закрыты крышкой, а между основанием, рамкой и крышкой. размещены слои связующего вещества .

2. Прибор по и. 1, о т л и ч а юшийся тем, что угол между сторонами лепестка вывода равен 100135о

3. Приборпоп.1, от лича юшийся тем, что стороны окна рамки со стороны крышки выполнены с фасками для размещения выступов на боковых гранях кристалла, при этом длина каждой стороны, прилегающей к крышке, выбрана больше длины стороны окна рамки, прилегающей к основанию

40 на 0,25-0,75 толщины кристалла.

4. Прибор по пп.1-3, о т л и ч аю шийся тем, что стенки окна рамки выполнены с углублениями, в

45 которых размещены части лепестков выводов.