Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках

 

Изобретение может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов для определения параметров электрически активных дефектов в полупроводниках. Цель изобретения - повышение точности измерения постоянных времени релаксации спектра глубоких уровней и повышение производительности. Повышение точности достигается путем компенсации постоянной составляющей сигнала и раздельного измерения постоянных времени релаксации экспоненциальных составляющих, содержащихся в исследуемом сигнале. Измерение постоянных времени релаксации в течение одного периода повторения напряжения импульсного смещения повышает производительность устройства при экспресс-анализе. 5 ил. Ё

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 1 21/66

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОбРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 4

О (21) 4795198/25 (22) 31.10.89 (46) 07.01.92. Бюл. М 1 (71) Специальное конструкторское бюро физико-технического института им. А.Ф.Иоффе (72) В.B.Ãóñàðoâ, А.В.Шугинин, Н,А.Соболев и В.А,Костылев (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1101088, кл. Н 01 L 21/66, 1985.

Разработка и изготовление установки контроля параметров примесей в полупроводниках, Копия отчета о НИР. ВНТИЦ, 1986, N. 02830050584, Авторское свидетельство СССР

N 1370683, кл. Н 01 1 21/66, 1988. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

ГЛУБОКИХУРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Изобретение относится к полупроводниковой технике, предназначено для определения параметров электрически активных дефектов в полупроводниках и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов.

Известно устройство для определения параметров глубоких уровней в полупроводниках, содержащее криостат, источники импульсного и постоянного смещения. измеритель емкости, блок регулировки температуры. самописца, стробоскопический интегратор, импульсный интегратор, устройство выборки и хранения и синхронизатор.

„5U, 1704195 А1 (57) Изобретение может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов для определения параметров электрически активных дефектов в полупроводниках. Цель изобретения — повышение точности измерения постоянных времени релаксации спектра глубоких уровней и повышение производительности. floвышение точности достигается путем компенсации постоянной составляющей сигнала и раздельного измерения постоянных времени релаксации экспоненциальных составляющих, содержащихся в исследуемом сигнале. Измерение постоянных времени релаксации в течение одного периода повторения напряжения импульсного смещения повышает производительность устройства при экспресс-анализе.

5 ил. Известно также устройство для измерения параметров глубоких уровней, содержащее C-V- характериограф, генератор импульсов смещения, генератор строб-импульсов, генератор "нулевой" линии, криостат, самописец и осциллограф.

Недостатками таких устройств являются низкая точность определения постоянной времени релаксации емкости при перезарядке глубоких уровней в полупроводниковых структурах, что приводит к ошибкам при определении ряда параметров р-и-структур. Кроме того, указанные устройства не позволяют одновременно измерять постоянные времени зкспоненциальных

1704195

55 функций, содержащихся в сигнале релаксации спектра глубоких уровней (РСГУ), Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству является прототип устройства для измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках, содержащее криостат с датчиком температуры, по крайней мере два блока преобразования с устройствами выборки и хранения и вычитающими устройствами, измеритель емкости. выход которого подключен к первым входам всех устройств выборки и хранения, программатор, подключенный к управляющим входам устройств выборки и хранения и к источнику импульсного смещения, и источник постоянного смещения, причем все блоки преобразования, начиная со второго, содержат одно устройство выборки и хранения, выход которого подключен ко второму входу вычитающего устройства этого блока преобразования и к первому входу вычитающего устройства следующего блока преобразования, а первый вход вычитающего устройства второго блока преобразования подключен к выходу второго устройства выборки и хранения первого блока преобразования.

Релаксация емкости образца, вызванная воздействием на образец напряжением постоянного и импульсного смещения, непрерывноно измеряется измерителем емкости.

При этом выборку значений релаксационного сигнала производят в определенные моменты времени tlë2 и 1э с помощью отдельного устройства выборки и хранения первого и второго блока преобргэования.

Напряжения c устройств вь:борки и хранения поступают на выч.",тающие устройства, с выходов которых снимаются раэностные напряженнп Л L .-. Eàличин; котоэых прямапропорционально соответствует величине разности измеряемой е.икости Ь Сп = C(п)—

С (l;-l). где .- - 1,2,3 и т.„. и рег; сòð,;ðóãòci . регистратореr:„Определение паралгетров глубоких уровней проводится по известным методикам из зависимости изменения Ь Сп от —. - r ературь об раэца.

Недостатком известного устройства является невысокая точность определения iloc o o врел;ени релаксации емкости р-и-перехода. поскольку в устройстве не предусл отрена компенсация постоянной составляющей выходного сигнала измерителя емкости.

Другим недсстатком известного устройства является невозможность измерения в течение одного периода повторения импульс rñ напряжения смещения постоянной времени релаксации нескольких

35 экспоненциальных функций. содержащихся в сигнале РСГУ. Кроме того, в известном устройстве не предусмотрена возможность прямой регистрации постоянной времени релаксации, что снижает производительность работы устройства при экспресс-анализе параметров глубоких уровней полупроводниковых устройств. Постоянная времени релаксации определяется посредством математической обработки записанной регистрирующим устройством зависимости Л Сп (t ) с использованием показательной функции.

Цель изобретения — повышение точности измерения постоянных времени релаксации спектра глубоких уровней и повышение производительности.

Указанная цель достигается тем, что устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках, содержащее криостат для размещения образца, источники импульсного и постоянного смещения, измеритель емкости, датчик температуры образца, устройство выборки и хранения и вычитающее устройство в составе блоков преобразования, программатор и регистратор дополнительно снабжено блоком памяЭ ти напряжения раэбаланса, и блоком вычитания постоянной составляющей, блоком регистров и блоком индикации постоянных времени релаксации,а также входящими в блок преобразования делителем напряжения в е раз, компаратором напряжения, блоком кодирования и измерителем постоянной времени релаксации, при этом изл ер ель емкости подключен к первому входу блока вычитания постоянной составляющей и к сигнальному входу блока памяти напряжения разбапанса, вход синхронизации которого подклю ен к программатору, а выход— к второму входу блока вычитания постоянной составляющей, выход которого подключен к вход, входящих в блокпреобраэования устройства выборки и хранения и к первому входу компаратора напряжения, второй вход которого черезделитель напряжения в е раз подключен к выходу устройства выборки и хранения, а выход — к блоку кодирования и к измерителю времени релаксации, выходы которых через блок регистров подключены к блоку индикации постоянных времени релаксации, причем программатор подключен к входам синхронизации устройства выборки и хранения, измерителя времени релаксации и к первому управляющему входу устройства выборки и хранения, второй управляющий вход которого подключен к второму выходу блока кодирования.

1704195

50

Предлагаемое устройство отличается наличием новых блоков: блока памяти напряжения разбаланса и блока вычитания постоянной составляющей, что позволяет исключить из исследуемого сигнала постоянную составляющую и тем самым повысить точность измерения постоянной времени релаксации глубоких уровней; делителя напряжения в е раз, компаратора напряжения, блока кодирования, и блока измерения постоянной времени релакса-ции, что позволяет измерять в течение одного периода повторения импульсного напряжения смещения значений постоянных времени релаксации спектра глубоких уровней; блока регистров и блока индикации постоянных времени релаксации, что обеспечивает возможность прямой регистрации постоянной времени релаксации и тем самым повышает производительность при экспресс-анализе.

На фиг.1 представлена блок-схема устройства для исследования глубоких уровней в полупроводниках; на фиг.2 — эпюры напряжений, действующих на образце и на блоках, входящих в состав измерителя емкости; на фиг.3 — структурная схема измерителя емкости; на фиг.4 — эпюры напряжений, поясняющие принцип действия введенных дополнительно блоков, обеспечивающих компенсацию постоянной составляющей и разделение спектра релаксации глубоких уровней на отдельные составляющие при измерении постоянной времени релаксации: а) исследуемый сигнал на выходе измерителя емкости и постоянная составляющая этого сигнала, на выходе измерителя постоянной составляющей; б) сигнал на входе блока преобразования на выходе устройства выборки и хранения и на выходе делителя напряжения в е раз; в) эпюры, поясняющие принцип измерения постоянных времени релаксации f1-ýêñïoíåíL,èàëüíûõ составляющих в спектре РСГУ: на фиг.5— временныедиаграммы, поясняющие работу программатора.

Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках содержит (фиг,1) криостат 1 для размещения образца

2, источник 3 импульсного смещения и источник 4 постоянного смещения, подклю- ченные к образцу 2, измеритель 5 емкости, во входную цепь которого включен образец

2, а выход подключен к регистратору 6. блок

7 памяти напряжения разбаланса и к первому входу блока 8 вычитания постоянной составляющей. Выход блока 8 вычитания постоянной составляющей подключен к входящим в блок 9 преобразования устройству 10 выборки и хранения и кооператору

11 напряжения, соединенным между собой через делитель 12 напряжения в е раэ. Выход компаратора 11 напряжения подключен к блоку 13 кодирования и измерителю 14 постоянной времени релаксации, сигнальные выходы которых через блок 15 регистрации подключены к блоку 16 индикации постоянных времени релаксации, Второй выход блока 13 кодирования подключен к соответствующему входу устройства 10 выборки и хранения. Программатор 17 подключен к входам управления источников импульсного 3 и постоянного 4 смещения и блока 7 памяти навпряжения разбаланса и к входам синхронизации источника 4 импульсного смещения, измерителя 5 емкости, измерителя 14 постоянной времени релаксации и устройства 10 выборки и хранения, Датчик 18 температуры подключен через блок 19 регулировки температуры к регистратору 6.

Устройство работает следующим образом. В криостат 1 (например типа УТРЕКС производства СКТБ института физики АН

УССР) помещается образец 2, который расположен в держателе образца с электрическими выводами для подключения к образцу источников постоянного 3 и импульсного 4 смещения и измерителя емкости 5. Источник 3 постоянного смещения управляющим входом подключен к программатору 17 и представляет собой аналого-цифровой преобразователь, построенный, например, на базе микросхемы К572ПА с выходным транэисторным усилителем мощности. По управляющему входу на источник 3 постоянного смещения с одного из выходов программатора 17 поступает сигнал для задания уровня напряжения смещения, например, в двоичном параллельном коде в уровнях

ТТА-логики (интервал времени tp г1 на фиг.5). При этом на выходе источника 3 постоянного смещения формируется напряжение (фиг.2а), уровень которого может изменяться от 0 до Е см max и которое подается на образец в обратном направлении и вызывает заполнение глубоких уровней полупроводника носителями заряда.

Источник 4 импульсного смещения управляющим входом и входом синхронизации подключен к программатору 17 и представляет собой цифроаналоговый преобразователь с транзисторным усилителем мощности, аналогичным источнику 3 постоянного смещения, и содержит выходной ключевой каскад, выполненный, например, на транзисторе типа КТ8 29.

По управляющему входу на источник 4 импульсного смещения с соответствующего

1704195 выхода программатора 1 подается сигнал для задания амплитуды так называемого импульса заполнения, например в параллельном двоичном коде (интервал времени з-в! на фиг.5): Импульсы смещения (фиг.2б) 5 осуществляют вывод основных носителей из области локализации. По окончании действия импульсов заполнения происходит перезаряд глубоких уровней, который характеризуется экспоненциально спадаю- 10 щим переходным процессом и который может быть выделен с помощью измерителя емкости 5 с целью измерения начального и конечного значения емкости образца и постоянной времени переходного процесса. 15

Измеритель 5 емкости может быть представлен (см. фиг.3) в виде последовательно соединенных моста 20 полных проводимостей, усилителя 21 и синхронного детектора

22, на вход опорного сигнала которого через 20 фаэовращатель 24 подается сигнал с генератора 23 синусоидального напряжения, второй выход которого подключен к мосту 20 полных и ро водим остей. В качестве моста полн ых проводимостей может быть использован 25 трансформаторный мост по схеме, приведенной нв фиг.6. На образец 2, включенный в измерительную цепь моста 20 напряжение постоянного и импульснаго смещения может быть подано по известной схеме. К об- 30 разцу 2. включенному в измерительную цепь моста 20, приложено также синусоидальное напряжение с выхода генератора

23 синусоидального напряжения (фиг.2г). В результате воздействия на образец 2 "1- 35 г;льсов заполнения происходит гло„у "яция синусоидального напряжения процессг .1 перезаряда глубоких уровней в полупроводнике (фиг.2д), Этот про,. Одулированн.. О«гнал с выхода )ласта 20 пост, а-:.т ка 40 усl .,lèòi,ll.. 21, выг1олненный, напр.. 1ер операционных усилителях ми:pac eM серий

KI40 или KI53 в цег,: О5;:атнпй с==э.; Оторого может сключаться 61" рс Ол=кый фильтр, например, двойной T-обазн -:и С- 45 мост настроенный на частоту генератора 23 синусоидального напряжения Вь ходной сигнал с усилителя 21 поступает на синхродетектор 22, выполненный. нагрил ер на перемножитЕле на микросхеме KI401141. С 50 выхода синхродетектора 22 сни;лае1ся с,кал (фиг.2е), изменение амплитуды которого определяет изменение емкости Образца 2.

B режиме балансировки мост- 2С на образец 2 подается только напря -".ение сме- 55 щения (фиг.2а) с источника 3 постоянного . ещения. Балансировка моста 20 произво;. 1тся до получения на выходе измерителя емкости минимагьного сигнала положительного уровня (сигнал 2 на фиг.46) в интервал времени tl-12 (фиг.5). В схеме моста 20 может использоваться принцип компенсации емкости путем изменения числа витков индуктивных декад,что позволяет по окончании балансировки измерить величину емкости образца 2 путем отсчета числа витков индуктивной декады, с которых снимается напряжение. компенсирующее емкость образца 2 до получения минимального сигнала на выходе измерителя 5 емкости. По окончании балансировки моста по команде оператора в программаторе 17 в момент времени

tz формируется импульс записи сигнала разбаланса (фиг.5), который подается на блок 7 памяти напряжения разбаланса. По этому импульсу блок 7 памяти преобразовывает аналоговый входной сигнал в цифровой код, записывает этот код в регистре на микросхеме, например, типа К155 ИР 13 и передает его на вход цифроаналогового преобразователя, на базе микросхемы

К572ПАI. на выходе которого формируется постоянное напряжение, равное входному напряжению разбаланса (эпюра 2 на фиг.3а). Аналого-цифровой преобразователь мажет быть выполнен на микросхеме

К572ПВ I.

Сигнал с выхода блока 7 памяти напряжения разбаланса поступает на второй вход блока 8 вычитания. После окончания балансировки моста 20 на выходе программатора

17, подключенном к управляющему входу источника 4 импульсного смещения в интервале времени !з-!4 (фиг.5) формируется сигнал ус-,àíocê; амплитуды импульсов запол» ния ;: двс.,-lîM десятираэрядном коде.

В режи",ле и=-.1ег "н я параметров глубоких iòовней на в .де синхронизации пг.-, =... тО;.а с мо лекта времен,(фиг 5) фОргл.ярую-"--. и лпульсы синхронизации, которые пост пают на соответствующие гл :;:-- к па 4 и пуль сн ого смещу- ия, з,лес. -ель 5 е:лкос";1 (ча усилитель 2! изглер 1те."я 5 с;. кости), измеритель

14 постоянной вре1лени релаксации и устройство "i г..:;Gc„- .и и хранения бло а 9 преобразования, При этом на образец 2 с источников 3 и и лгул сного смещения поступает сумгларнь ." сигнал, как и:».азана на фиг.2 . "защиты,cl.лителя 21, f1 "рителя 5 = .,1 От перегрузки во время действия импульсов заполнения в усилителе 21 прелусг Отрен= стробированиг- Одного каскада С ПО ЛОЩЫО КЛ)ОЧЕЮОЙ СЛCMbl, ВЫПОЛ ненной, . апри лер, на полевом транзисторе

КПЗОЗЖ.

Стробирование усилителя 21 осуществляется импульсами синхронизации с программатора 17.

1704195

5

15

В режиме измерения параметров глубоких уровней е на выходе измерителя 5 емкости, подключаемом к первому входу блока 8 вычитания, присутствует экспоненциально спадающий сигнал, как показано на фиг,2е, .представляющей сумму двух сигналов; экспоненциального(эпюра 1 на фиг.4а) и постоянного сигнала разбаланса (эпюра 2 на фиг,4а). B блоке 8 вычитания производится вычитание запомненного в блоке 7 памяти напряжения разбаланса иэ входного сигнала с выхода измерителя 5 емкости и на вход устройства 10 выборки и хранения поступает сигнал в виде экспоненциально спадающего напряжения, стремящегося в пределе к нулевому уровню (эпюры 1 на фиг.46).

Блок вычитания представляет собой операционный усилитель на микросхеме, например, типа К153УД5, на одном из входов которой установлен инвертор, выполненный на микросхеме того же типа, инвертирующий сигнал напряжения разбаланса с блока 7 памяти. С второго выхода измерителя 5 емкости проинтегрированный сигнал поступает на резистор 6, на второй вход которого поступает сигнал с блока 19 регулировки температуры, величина которого характеризует температуру в камере 1 криостата, где помещен образец 2. Информация о температуре в камере с образцом 2 снимается с помощью датчика 18 температуры (например, терморезистор). В качестве блока 19 регулирования температуры может быть использован блок, входящий в комплект криостатной системы УТРЕКС.

Устройство 10 выборки и хранения может быть выполнено на базе микросхемы

", типа КЦООСК2, В момент tp окончания импульса заполнения (фиг.46) устройство 10 выборки и хранения запоминает уровень входного напряжения (эпюра 2 на фиг.46), который делителем 12 напряжения, выполненHоM на прецизионных резисторах. делится в е раз (эпюра 3 на фиг.46) и подается на второй вход компаратора 11 напряжений. В момент равенства экспоненциально спадающего напряжения на первом входе компаратора у 11 напряжений запомненногои разделенного в е раз уровня напряжения. действующего на втором входе компаратора 11 напряжений в момент времени ti (фиг.46) на выходе компаратора напряжений формируется импульс перезаписи устройства 10 выборкй и хранения (фиг.4в). В момент прихода этого импульса в устройстве 10 выборки и хранения стирается предыдущая информация и записывается новое действующее на входе значение зкспоненциально

55 спадающего напряжения. В момент времени 12 вновь формируется импульс перезаписи и т.д. Компаратор 11 напряжений выполнен, например. на базе микросхемы

К521САЗ.

Поскольку релаксация емкости образца

2 является экспоненциальной функцией, т.е. напряжение на входе блока 9 преобразования Ue - Оое то время. в течение которого эта функция уменьшится в е раз, является постоянной времени этой функции, т.е. постоянной времени релаксации глубоких уровней. Таким образом, измерив интервалы времен ht1 tt to.Жз 1з- ty — tt,йз - 13— 12 и т.д., можно однозначно определить постоянную времени релаксации

ri = Л t>, rz = Л tz и т,д. Если исследуемый сигнал содержит единственную экспоненциальную составляющую, то интервалы времени b, t t -Л tz -Л 1з и т.д.

Импульсы перезаписи с компаратора 11 напряжений поступают на блок 13 кодирования и на измеритель 14 постоянной времени релаксации. В блоке 13 кодирования импульсы перезаписи нормируются по амплитуде и длительность с помощью формирователя импульсов, выполненному, например по микросхеме К155ЛН!, и передаются на вход перезаписи устройства 10 выборки и хранения и на вход счетчика, выполненного, например, на микросхеме

К155ИЕ6, Сброс счетчика в нулевое состояние производится в момент времени 1О импульсом синхронизации (фиг.4г), этот момент соответствует спаду импульса заполнения. Каждому импульсу перезаписи, поступившему на счетный вход счетчика, входящего в блок 13 кодирования. на выходе счетчика формируется двоичный код, соответствующий номеру этого импульса в пределах интервала времени между двумя импульсами заполнения. Этот код определяет адрес регистра в блоке 15 регистров, в который необходимо записать информацию.

Измеритель 14 постоянной времени релаксации представляет собой кварцевый генератор импульсов, выполненный, например, на микросхеме К(55ЛА3 и счетчик этих импульсов, управляемый импульсами синхронизации с программатора 17 (сброс счетчиков в нулевое состояние) и импульсами перезаписи с компаратора 11 напряжений. Счетчик импульсов может быть выполнен в виде N последовательно соединенных счетчиков типа KI55ME7.

Количество импульсов, сосчитанных в течение интервала времени, например, от tp до t> (фиг.4г), однозначно определяют дли1704195

12 тельность это о интервала, а поскольку величина этого интервала определяется временем, в течение которого экспоненциально спадающее напряжение на входе преобразователя 9 уменьшится в е раз, то можно сделать вывод. что этот интервал времени

to--ti соответствует постоянной времени переходного процесса в образце 2. Результат счета импульсов (п1) в двоичном коде записывается в тот регистр блока 15 регистров, адрес которого присутствует на адресном входе блока 15 регистров с выхода блока 13 кодирования, Блок регистров может быть выполнен на микросхемах типа К!55ИР13.

Информация с каждого регистра блока

15 регистров поступает на соответствующий индикатор постоянной времени релаксации блока 16 индикации.

Программатор 17 обеспечивает передачу по команде оператора код уровня напряжения смещения (см. фиг.5) на источник 3 постоянного смещения, код амплитуды импульса заполнения на источник 4 импульсного смещения, импульсы записи напряжения разбаланса на блок 7 памяти напряжения разбаланса и импульсы синхронизации, поступающие на входы синхронизации источника 4 импульсного смещения, измеритель

5 емкости (на стробирующий вход усилителя

21 измерителя 5 емкости), устройства 10 выборки и хранения, измеритель 14 постоянной времени релаксации и блока 13 кодирования.

Программатор может быть выполнен на базе микропроцессорного комплекта К580, Ж1801 и других.

Формула изобретения

Устройство для исследования глубоких уровней е полупроводниках. содержащее криостат для размещения образца с датчиком температуры подключенный к первому входу измерит-".=, емкости. источники импульсного и постоянного смещения, выходы которых подключены к первому входу криостата, а управляющие входы — соответственно к первому и второму выходам программатора, второй вход криостата является также его первым выходом и выходом датчика температуры и подключен через блок регулирования температуры к первому входу регистра, второй вход которого подключен к первому выходу измерителя емкости, а также входящее в блок

55 преобразования устройство выборки и хранения,отл и ча ю щеес я тем.что. с целью повышения тсчности измерения постоянных времени релаксации спектра глубоких уровней и повышения производительности, устройство дополнительно снабжено блоком памяти напряжения раэбаланса, блокОм вычитания постоянной составляющей, блоком регистров, блоком индикации посто- янных времени релаксации, в блок преобразования введены делитель напряжения в е раз, компаратор напряжения, блок кодирования и измеритель постоянной времени релаксации, причем второй выход измерителя емкости подключен к первому входу блока вычитания постоянной составляющей и первому входу блока памяти напряжения разбаланса. управляющий вход которого подключен к третьему выходу программатора, а выход — к второму входу блока вычитания постоянной составляющей, выход которого подключен к первому входу блока преобразования, который является первым входом устройства выборки-хранения, и к второму входу блока преобразования, который является первым входом компаратора напряжений, второй вход которого через делитель напряжения в е раз подключен к выходу устройства выборки-хранения, а выход компаратора напряжения подключен к первым входам блока кодирования и измерителя постоянной времени релаксации, выходы двух последних являются соответственно первым и вторым выходами блока преобразования и подключены также соответственно к первому и второму входам блока регистров, связанного выходом с входо л блока индикации постоянных времени релаксации, а входы синхрочиэации измерителя постоянной времени релаксации, блока кодирования и устройства выборкихранения являются соответственно третьим, четьертым и пятым входами блока преобраэовакия. ", ервыгл и вторым выходами которого являются c JQTBBTcTBBHvo Bblход измерителя постоянной времени релаксации и первый выход блока кодирования, второй выход которого подключен к второму входу устройства выборки-хранения, а четвертый выход программатора подключен одновременно к третьему, четвертому и пятому входам блока преобразования, к вторым входам измерителя емкости и источника постоянного смещения.

1704195 е<«м« аале t мг«

Цуп

Ю/лув .

vary,err сто

-6ь

du««, )е««в е ю/с/им 1 аЮ«/фКИЪ

t ttr.

tu«pre/

uurppg

the.

6«le У

«Рви

«pi/«Л.

««rnVu

Ю гд,гси 1и d

1704195

U мил.

nca t» (Speip i

6бл.

Иагр

Ьи см

8) с

Ubprp

happ pgркм/ дф

2t g<

3в те

\у tp

Vulelp.

° Ф

3сИми с3 лита лОлиь! s neo„ „"цн01 л . миур Р тг Р Рнг1гл

=.р 5

Составитель B Гусаров

Техред M.Ìîðãåíòàë

Редактор С.Патрушева

Корректор О.Кравцова

Заказ 65 Тираж Подписное

ВНИИПИ Гос а т осударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва. Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гага ина, 101, ул. агарина, Фм

Ьаолт

ЩИТ . нсщр а . (/уел/ ут

TQ,Гааги) lYQ 5 Л "-"-g ypp НЮ p/gyp Ñ ù

Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках Устройство для исследования глубоких уровней в полупроводниках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для разбраковки структур по номенклатурным группам

Изобретение относится к неразрушающему контролю параметров полупроводников и может быть использовано для определения однородности и качества материалов

Изобретение относится к области контроля электрических параметров полупроводниковых приборов, в частности р-п-структур, работающих при больших инжекциях носителей заряда в области лавинного пробоя, преимущественно структур большой площади

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых структур при производстве интегральных микросхем

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технологическом цикле изготовления МДП - транзисторов и интегральных схем на их основе

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, и частности к способу контроля пористости диэлектрических пленок, может быть использовано для контроля дефектности пленок SiOЈ в процессе изготовления полупроводниковых приборов и ИС по планарной технологии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх