Способ изготовления запоминающей матрицы

 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих матриц. Целью изобретения является повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы и увеличение .плотности информации. Цель достигается тем, что в подложке (из стекла или меди) формируют сквозные отверстия по одному отверстию на каждый микросердечник, при этом диаметр отверстия равен диаметру микросердечника . Через полученное отверстие -формируют все проводники записи считывания данного микросердечника. Таким образом повышается плотность информации за, счет увеличения количества носителей информации на единицу площади. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з 6 11 С 5/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ФеДеРальнцй и,ит„„, „ РОМЫШЛЕННОЙ сббственности

Отделение BATE

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4770386/24 (22) 18.12.89 (46) 07.02,92, Бюл. № 5 (75) Г.В.Сартаков (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 898500, кл. G 11 С 5/02, 1980, Авторское свидетельство СССР

¹896689,,кл. 6 11 С 5/12, 1980. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ.МАТРИЦЫ (57) Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих матриц. Целью

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих матриц.

Цель изобретения — повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы и увеличение плотности информации., Поставленная цель достигается тем, что в подложке (из стекла) пористая структура создается путем формирования в ней сквозных отверстий, где в качестве диэлектрических участков, изолирующих отверстия друг от друга, используется материал подложки.

Магнитный материал наносится на внутренние стенки отверстий в виде пленки (например, из пермаллоя) путем напыления. где пленка, напыленная на наружные поверхно,сти подложки, стачивается.

Магнитная пленка на стенке отверстия представляет собой один тороидальный микросердечник, который используется как элемент памяти. Оставшийся просвет после напыления магнитной пленки используется в качестве сквозного отверстия для провод„„ ) „„1711228 А1 изобретения является повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы и увеличение .плотности информации. Цель достигается тем, что в подложке (из стекла или меди) формируют сквозные отверстия по одному отверстию на каждый микросердечник, при этом диаметр отверстия равен диаметру микросердечника, Через полученное отверстие .формируют все проводники записи и.считывания данного микросердечника. Таким образом повышается плотность информации за, счет увеличения количества носителей информации на единицу площади. 1 ил. ников записи и считывания соответствующего микросердечника.

Для создания проводников записи и считывания, для формирования на поверхностях подложки соединительных проводников на поверхности подложки и на стенки отверстий наносятся изоляционная пленка, металлическая пленка и формируются мето- 4 дом фотолитографии на поверхностях подложки соединительные проводники, затем вторично на поверхности подложки и на ) стенки отверстий наносятся изоляционная пленка, металлическая пленка и формируются на поверхностях подложки также методом фотолитографии соединяющие проводники другого назначения.,Ъ

На чертеже изображена последовательность предлагаемого способа, вид А, вид Б и вид В.

Способ осуществляют следующим образом, Создают подложку с пористой структурой в виде сквозных отверстий одним из известных методов, например меТодом на1711228

55 грева материала лучом лазера до1200 С (а).

Напыляют на одну из поверхностей подложки пермаллоевую пленку одновременно с напылением пермаллоевой пленки на стенки сквозных отверстий (б). При напылении подложка устанавливается над ванной М, в которой находится напыляемый материал в расплавленном виде. Частицы напыляемого материала, летящие по стрелке С, пролетают сквозные отверстия. Осаждаться на стенки отверстий могут только частицы, летящие.по стрелке и, Однако их недостаточно для полнога напыления стенок. Для того, чтобы частицы, летящие по стрелке С, осаждались на стенке отверстий, нужно перемещать подложку горизонтально по кругу (как показано стрелками р) без-вращения подложки вокруг какой-либо собственной оси.

При таком движении подложки частицы, попавшие в просвет отверстий, неминуемо коснутся стенок отверстий и осядут на них, хотя плотность напыления будет уменьшаться по мере удаления от уровня напыляемого материала из-за разных скоростей полета частиц.

Напыляют пермаллоевую пленку на обратную поверхность подложки и стенки сквозных отверстий (в). При этом стенки отверстий от двухстороннего напыления становятся напыленными равномерно.

Стачивают пермаллоевую пленку с обеих поверхностей подложки (г). Пленка остается только на внутренних стенках отверстий (вид А), представляя собой пермаллоевые тороидальные микросердечники.

Напыляют изоляционную пленку (например, из стекла) поочередно (так же, как при операциях б и в) нэ поверхности подложки и на стенки отверстий (д).

Напыляют металлическую пленку (например, из алюминия) так же поочередно на поверхности подложки и на стенки отверстий поверх изоляционной пленки (е), Методом фотолитографии (ж) нэ поверхностях подложки из металлической пленки формируют соединяющие проводники (вид

Б, где сплошными линиями обозначены проводники на лицевой поверхности подложки, пунктирными линиями — на обратной стороне подложки).

Вновь на поверхности подложки и на стенки отверстий поверх уже образованных пленок наносят изоляционную пленку так же, как при операциях б и в (з).

Поверх изоляционной пленки (так же, как при операциях б и в) на поверхности

5 подложки и на стенки отверстий напыляют опять металлическую пленку, например. алюминиевую (и).

Методом фотолитографии (к) на поверхностях подложки из металлической пленки

10 формируют соединяющие проводники другого назначения (вид В, где сплошными линиями обозначены проводники на лицевой поверхности подложки, пунктирными линиями — на обратной стороне подложки).

15 Для получения нужных магнитных свойств образованных тороидальных микросердечников из пермаллоевой пленки магнитное поле задается от внешнего источника или электрическим током по обра20 зованным . цепям, пронизывающим микросердечники. Нагрев сердечников до необходимой температуры может производиться путем подогрева полученной матрицы в камере тепла.

25 Формула изобретения

Способ изготовления запоминающей матрицы, заключающийся в создании пористой структуры в стеклянной подложке, создании в ней диэлектрических участков,вве30 дении в пористую структуру магнитного материала, формировании в полученных магнитных объемах сквозных отверстий для проводников записи и считывания, создании проводников записи и считывания, фор35 мировании на поверхностях подложки соединительных проводников, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения технологичности способа и увеличения информационной плотности. после создания

40 сквозных отверстий в подложке производят напыление магнитной пленки внутри отверстий, наносят на поверхности подложки и внутри отверстий изоляционную пленку, металлическую пленку и формируют методом

45 фотолитографии на поверхностях подложки соединяющие проводники, вторично наносят на поверхности подложки и на стенки отверстий изоляционную пленку, металлическую пленку и формируют на поверхно50 стях подложки также методом фотолитографии соединяющие проводники другого назначения.

1711228

С

8 ( ц ))!

Способ изготовления запоминающей матрицы Способ изготовления запоминающей матрицы Способ изготовления запоминающей матрицы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к технологическому оборудованию для изготовления запоминающих матриц на кольцевых сердечниках

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники, в частности к технологическим устройствам для сборки запоминающих матриц на кольцевых ферритовых сердечниках

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении элементов памяти в виде ферритовых запоминающих матриц

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено при изготовлении запоминающих матриц на ферритовых сердечниках

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к устройствам для плетения запоминающих матриц на цилиндрических магнитных 77 пленках

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления гибридных запоминающих устройств с высокой степенью интеграции

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании запоминающих устройств на ферритовых сердечниках

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологическим устройствам контроля кодовых матриц постоянных запоминающих устройств

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх