Устройство для очистки полупроводниковых материалов

 

Изобретение относится к технологии, полупроводниковых материалов и обеспечивает повышение производительности за счет исключения холостого хода зонных нагревателей. Устройство содержит контейнер с исходным материалом, окруженный зонными нагревателями. Зонные нагреватели выполнены в виде лент, намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу •на две трубы. Трубы установлены коаксиально и с возможностью вращения. Между трубами симметрично размещены неподвижные фоновые нагреватели.В устройстве исключается холостой ход зонных нагревателей и не требуется выполнять оИерацию возврата зонных нагревателей в исходное положение. 2 ил.Изобретение относится к'технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для их высокопроизводительной промышленной очистки.Наиболее близким к изобретен1?ю является устройство, содержащее несколько фоновых нагревателей, каждый из которых снабжен п зонными,нагревателями, закрепленными на общей к'аретке.:Недостаток известного устройства заключается в том, что в начале и в конце каждой-операции п-1 зонных нагревателя работают вхолостую.'Цель изобретения - повышение производительности за счет исключения холосто-, го хода зонных нагревателей,;Поставленная цель достигается тем^ что устройство для очистки состоит из нескольких горизонтально расположенных трубчатых неподвижных в пространстве фоновых нагревателей и зонных нагревателей для создания и перемещения вдоль' очища'емыхслитков несколько следующих друг за другом расплавленных зон, для чего зонные нагреватели выполнены в виде двух коаксиально расположенных труб, способных вращаться с одинаковой угловой скоростью вокруг общей оси, на которые намотаны ленточные нагреватели с одинаковым шагом, и совмещены по шагу, а фоновые нагреватели расположены симметрично в пространстве между трубами зонных нагре- -вателей.На фиг,1 представлена схема предложенного устройства; на фиг.2 - вид А на фиг.1.Устройство содержит внешнюю 1 и внутреннюю 2 коаксИально расположенные трубы с намотанными на них ленточными нагревателями 3 и 4. Между указанными трубами симметрично расположены четыре фоновых нагревателя 5 с нагревательными спиралями. Ленточные нагреватели 3 и 4 намотаны на трубы 1 и 2 с одинаковым шагом и совмещены по шагу. ,^^ю ^^V4Ю

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 13/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОП ИСАН И Е И ЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4779456/26 (22) 08,01.90

I (46) 15,02,92. Бюл, М 6 (71) Черновицкий государственный университет (72) P, В. Федоров (53) 621.315.592(088.8) (56) Солончук Л.С. Некоторые особенности электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов теллура. Дис. íà соиск.уч.ст.канд.фиэ.-мат.н. Черновцы,,1976, (54) УСТРОЙСТВО 4ЛЯ ОЧИСТКИ ПОЛУПРОВО4НИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и обеспе1

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для их высокопроизводительной промышленной очистки.

Наиболее близким к изобретению является. устройство, содержащее несколько фоновых нагревателей, каждый из которых снабжен пзонными,,нагревателями,,закрепленными на общей каретке.

Недостаток известного устройства за, ключается в том, что в начале и в конце каждой-операции и-1 зонных нагревателя работают вхолостую.

Цел ь изобретения — повы шенив; произвОдительности за счет исключения холосто-. го хода зонных нагревателей.

Поставленная цель достигается тем; что устройство для очистки состоит из нескольких горизонтально расположенных трубчатых неподвижных в пространстве фоновых нагревателей и зон ных нагревателей для создания и перемещения вдоль очищаемых,5U<, 1712472 А1 чивает повышение производительности за счет исключения холостого хода зонных нагревателей, Устройство содержит контейнер с исходным материалом, окруженный зонными нагревателями. Зонные нагреватели выполнены s виде лент, намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу

-на две трубы. Трубы установлены коаксиально и с возможностью вращения. Между трубами симметрично размещены неподвижные фоновые нагреватели. В устройстве исключается холостой ход зонных нагревателей и не,требуется выполнять операцию возврата зонных нагревателей в исходное положение. 2 ил.! слитков несколько следующих друг за друroM расплавленных зон, для чего зонные нагреватели выполнены в виде двух коаксиально расположенных труб, способных вращаться с одинаковой угловой скоростью вокруг общей оси, на которые намотаны ленточные нагреватели с одинаковым шагом, и совмещены по шагу, а фоновые нагреватели расположены симметрично в пространстве между трубами зонных нагре- вателей.

На фиг.1 представлена схема предложенного устройства; на фиг.2 — вид А на фиг.1.

Устройство содержит внешнюю 1 и внутреннюю 2 коаксИально расположенные трубы с намотанными на них ленточными нагревателями 3 и 4. Между указанными трубами симметрично расположены четыре фоновых нагревателя 5 с нагревательными спиралями. Ленточные нагреватели 3 и 4 намотаны на трубы 1 и 2 с одинаковым шагом и совмещены по шагу., 1712472

Очистка полупроводниковых материалов производится следующим образом.

Составитель Л,Холодницкая

Техред М.Моргентал Корректор Н,Ревская

Редактор М.Келемеш

Заказ 513 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Контейнеры с исходным материалом (не показаны), размещенные в фоновых нагревателях 5, нагреваются до нужной общей температуры (близкой к температуре плавления) посредством нагревательных спиралей. Дополнительным подогревом контейнера с двух сторон лентами 3 и 4 в контейнере создаются проплавленные зоны вдоль слитка материала. Вращением труб 1 и 2 эти зон ы перемещаются по слитку, и происходит очистка последнего, Формула изобретения

Устройство для очистки полупроводниковых материалов, содержащее кольцевые зонные нагреватели, окружающие контей5 нер с исходным материалом и снабженные неподвижными фоновыми нагревателями сопротивления, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения производительности за счет исключения холостого хода зон10 ных нагревателей, они выполнены в виде лент, намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу на две трубы, установленные коаксиально с возможностью вращения, а фоновые нагреватели размеще15 ны симметрично между трубами,