Устройство для контроля полупроводниковых, преимущественно свч-приборов с балочными выводами

 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для контроля полупроводниковых, например СВЧ- приборов с балочными выводами. Целью изобретения является повышение точности контроля за счет улучшения надежности контактирования и уменьшения прижимного усилия на кристалл полупроводникового прибора и повышение удобства работы. Устройство содержит основание с контактными элементами, например микрополосковой линии, эластичный прозрачный прижимной элемент и средство для его деформирования , в котором прижимной элемент выполнен в виде снабженной ограничителем перемещений тонкостенной оболочки, внутренняя полость которой соединена с источником избыточного давления , причем ограничитель перемещений выполнен в виде поворотного кольца, плоскость которого параллельна плоскости контактных элементов, на внутренней стенке которого установлен штуцер пневмоили гидропривода. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. (Л С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ . СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 01 1 21/66

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4195977/63 (22) 20.02.87 (46) 23.03.92. Бюл. М 11 (71) Н ауч но-исследо ва тел ьский институт микроприборов (72) B.Â.Ïåòðoâè÷ и В.П.Мирошкина (53) 621.396.6-181.48 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

М.1128310, кл, Н 01 1 21/66, 1983, Патент Великобритании

N2177253,,кл. Н 0:1 1 21/66, 1985. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕИМУЩЕСТВЕНН0 СВЧ-ПРИБОРОВ С БАЛОЧНЫМИ

ВЫВОДАМИ (57) Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для контроля полупроводниковых, например СВЧприборов с балочными выводами, Целью

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для контроля полупроводниковых, например, СВЧприборов с балочными выводами.

Известно устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых приборов, например микросхем, s составе полупроводниковой пластины, содержащее основание с контактными элементами и прижимной элемент со средствами воздействия на него, причем прижимной элемент выполнен в виде набора металлических зондов, установленных на подвижном основа--. нии в соответствии с топологией контактных элементов и соединенных с измерительной аппаратурой.

„„Я „„1721665 Al. изобретения является повышение точности контроля за счет улучшения надежности контактирования и уменьшения прижимного усилия на кристалл полупроводникового прибора и повышение удобства работы.

Устройство содержит основание с контактными элементами, например микрополосковой линии, эластичный прозрачный прижимной элемент и средство для его деформирования, в котором прижимной элемент выполнен в виде снабженной ограничителем перемещений тонкостенной оболочки, внутренняя полость которой соединена с источником избыточного давления, причем ограничитель перемещений выполнен B виде поворотного кольца, плоскость которого параллельна плоскости контактных элементов, на внутренней стенке которого установлен штуцер пневмо- или гидропривода. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Известное устройство не обеспечивает надежного контактирования и требуемой точности контроля параметров полупроводниковых СВЧ-приборов, так как металлические прижимы вносят рассогласование в

СВЧ-тракт и приводят к изменению условий поглощения СВЧ-мощности в приборе, также создают повышенные переходные сопротивления ввиду точечного характера контакта. Кроме того, металлические прижимы в виде острозаточенных игл вызывают повреждение балочных выводов, проколы и отрыв их от полупроводниковых структур.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство .для контроля полупроводниковых устройств, содержащее основание с контактными элементами, эластичный прозрачный прижимной элемент и средство для его деформирования.

Известное устройство не обеспечивает точного контроля полупроводниковых СВЧприборов с балочными выводами ввиду их конструктивных особенностей, заключающихся в том, что плоскости балочных выводов смещены относительно друг друга на высоту полупроводникового кристалла, и при установке на контактные элементы микрополосковой линии прибор занимае наклонное положение, причем полупроводниковый кристалл расположен выше балочных выводов. В результате, в процессе контактирования внешнее при-. жимное усилие полностью воспринимается полупроводниковым кристаллом прибора, что увеличивает разброс значений электрических параметров приборов, а на балочные выводы оказывается усилие, недостаточное для осуществления надежного контактирования.

Целью изобретения является повышение точности контроля за счет улучшения надежности контактирования и уменьшения прижимного усилия на кристалл полупроводникового прибора и повышение удобства работы, Прижимной элемент выполнен в виде снабженной ограничителем перемещений тонкостенной оболочки, внутренняя полость которой соединена с источником избыточного давления. Ограничитель перемещений выполнен в виде кольца, плоскость которого параллельна плоскости контактных элементов, на внутренней стенке которого установлен штуцер пневмо- или гидропривода закрепленной на нем оболочки. Кроме того, ограничитель выполнен с возможностью поворота вокруг вертикальной или горизонтальной осей по отношению к плоскости контактных элементов.

На фиг, 1 показано устройство для контроля полупроводниковых приборов с балочными выводами, общий вид; на фиг, 2— узел 1 на фиг. 1 (полупроводниковый СВЧприбор с балочными выводами, контактные элементы СВЧ-тракта и упругая тонкостенная прозрачная оболочка в момент контактирования).

Устройство для контроля полупроводниковых приборов содержит основание 1 с контактными элементами микрополосковой линии 2, эластичный прозрачный прижимной элемент, выполненный в виде тонкостенной оболочки 3, внутренняя полость которой соединена с источником 4 избыточного давления Р через штуцер 5 пневмо- или гидропривода. Устройство снабжено огра5

55 ничителем перемещений тонкостенной оболочки 3, выполненным в виде кольца 6, плоскость которого параллельна плоскости контактных элементов микрополосковой линии 2, установленного с возможностью поворота вокруг вертикальной или горизонтальной осеЙ по отношению K плоскости контактных элементов микрополосковой линии 2.

Штуцер 5 пневмо- или гидропривода установлен на внутренней стенке кольца 6.

Полупроводниковый прибор 7, содержащий полупроводниковый кристалл 8 и балочные выводы 9, расположенные с противоположных сторон кристалла, размещен на контактных элементах микрополосковой линии 2.

Тонкостенная оболочка 3 может находиться в промежуточном 10 и рабочем 11 положения, Устройство работает следующим образом, Кон роль электрических параметров полупроводниковых бескорпусных СВЧ-приборов 7 с балочными выводами 9 осущестляется непосредственно в тракте

СВЧ„включающем основание 1 и контактные элементы микрополосковой линии 2.

Прижим балочных выводов 9 полупроводникового прибора 7 к контактным элементам микрополосковой линии 2 осуществляется с помощью эластичной прозрачной тонкостенной оболочки 3, соединенной с источником 4 избыточного давления Р, при этом оболочка 3 упруго деформируется (положение 10) в пределах ограничителя-кольца 6 равномерно по радиусу R, Достигнув ограничителя 6, оболочка 3 продолжает деформироваться в направлении приложения контактного усилия {положение 11). Ограничитель 6, плоскость которого параллельна плоскости контактных элементов микрополасковой линии 2, обеспечивает строго направленное перемещение тонкостенной эластичной оболочки 3 и первоначальный контакт ее с полупроводниковым кристаллом 8 в точке. В результате воздействующее на кристалл 8 усилие, определяемое площадью точечного контакта, — минимальное.

При дальнейшей деформации эластичная тонкостенная оболочка 3 обтекает полупроводниковый прибор 7 и создает перераспределение контактирующего усилия между балочными выводами 9 и полупроводниковым кристаллом 8 пропорционально их площадям, обеспечивая тем самым надежный контакт балочных выводов 9 с одновременным уменьшением прижимною усилия на кристалле 8 полупроводникового прибора 7, ""., зи этом нет ограничений в отношении количества балочных выводов 9, Ограничитель

1721665 в виде кольца 6 выполнен с воэможностью поворота. вокруг вертикальной или горизонтальной осей по отношению к плоскости контактных элементов микрополосковой линии 2, что повышает- удобство работы с 5 устройством, облегчает установку полупроводникового прибора 7 и контроль эа его положением.

Изобретение обеспечивает надежный электрический контакт полупроводниковых 10 приборов с балочными выводами и уменьшение прижимного усилия на кристалл приборов, а также позволяет визуально контролировать положение прибора, причем не накладывает ограничений на количе- 15 ство балочных выводов приборов.

Формула изобретения

1. Устройство для контроля полупроводниковых преимущественно СВЧ-приборов с 20 балочными выводами, содержащее основание с контактными элементами преимущественно микрополосковой линии, эластичный прозрачный прижимной элемент и средство для его деформирования, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности контроля за счет улучшения надежности контактирования и уменьшения. прижимного усилия на кристалл полупроводникового прибора, прижимной элемент выполнен в виде снабженной ограничителем перемещений тонкостенной оболочки, внутренняя полость которой соединена с источником избыточного давления.

2, Устройство по и. 1, о тл и ч а ю щ е ес я тем, что ограничитель перемещений выполнен в виде кольца, плоскость которого параллельна плоскости контактных элементов, на внутренней стенке которого установлен штуцер пневмо- или гидропривода закрепленной на нем оболочки.

3, Устройство по пп. 1 и 2, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения удобства работы, ограничитель выполнен с возможностью поворота вокруг вертикальной или горизонтальной осей по отношению к плоскости контактных элементов.

Составитель Е. Фокйн

Редактор И. Дербак Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор И. Муска

Заказ 957 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Устройство для контроля полупроводниковых, преимущественно свч-приборов с балочными выводами Устройство для контроля полупроводниковых, преимущественно свч-приборов с балочными выводами Устройство для контроля полупроводниковых, преимущественно свч-приборов с балочными выводами Устройство для контроля полупроводниковых, преимущественно свч-приборов с балочными выводами 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и фотоэлектронике и может быть использовано, для контроля параметров полупроводников

Изобретение относится к способам диагностики полупроводниковых приборов в процессе их изготовления

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для измерения параметров полупроводниковых кристаллов и приборных структур на их основе

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при - контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении

Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано в контрольно-измерительном оборудовании для контроля параметров подключаемых интегральных микросхем

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для разбраковки структур по номенклатурным группам

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх