Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках

 

1. Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках, включающий измерение амплитуды переменного напряжения U_m1, обусловленного протекания через p-n-переход переменной составляющей тока I_m1 с частотой ω₁ и постоянной составляющей I₀, соотношение между которыми A₁ = (I_m1/I₀) поддерживают постоянным, и определение m-параметра расчетным путем по величине амплитуды измеренного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона определения m-параметра полупроводниковых приборов по постоянному току, повторяют вышеуказанные операции при предварительно установленных частоте переменной составляющей тока, равной, ω₁/α, и амплитуде переменной составляющей тока I_m1, вычисляемой из соотношения A¹₁^/2= (I_mα/I_o), которое поддерживают постоянным в процессе повторного измерения, измеряют амплитуду переменного напряжения U_m2 на образце и определяют значение последовательного омического сопротивления R_δ и m-параметра по формулам R_δ= (U_m1-2U_m2)/I_m1 m = 2U_m2q/(A²₂kT), где q - заряд электрона; k - постоянная Больцмана; T - абсолютная температура.

A₂= A¹₁^/2. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при повторном измерении амплитуды переменного напряжения на образце устанавливают величину тока через исследуемый p-n-переход равной сумме двух гармонических сигналов и постоянной составляющей I = I_m2(cosω₂₁t+cosω₂₂t)+I_o, причем ω₂₁-ω₂₂= ω₁, где ω₂₁, ω₂₂ - частоты гармонических сигналов, составляющих величину тока.