Способ измерения толщины тонких слоев

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщин тонких слоев. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых толщин и повышение точности за счет определения толщины по новым параметрам провзаимодёйствовавшего излучения. Исследуемый слой освещается под разными углами частотно-модулированным излучением , а о толщине слоя судят по частоте биений отраженного тонким слоем излучения . Способ обеспечивает возможность измерения , согласно теоретическим оценкам, толщин слоев не менее 0,05 мкм, 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (l9) (I l) (si)s G 01 В 11/06

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4861836/28 (22) 21.08.90 (46) 23;04.92. Бюл. hb 15 (71) Черновицкий государственный университет им. Юрия Федьковича (72) М.Т. Стринадко (53) 531.717.1(088.8) (56) Поль P.Â. Оптика и атомная физика.—

М.: Наука. 1966, с.256, 109, Комраков Б.М., Шапочкин Б,А. Измерение параметров оптического покрытия. —. М.:

Машиностроение, 1986, с.59-75. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ

ТОНКИХ СЛОЕВ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщин тонких слоев.

В метрологии тонких пленок наибольший интерес представляют такие методы определения толщины, которые одновременно позволяют определить и показатель преломления вещества. Это связано с тем, что в процессе технологических операций показатель преломления может существенно изменяться, внося дополнительную погрешность в процесс измерения толщины, кроме того, для тонких слоев важно учесть, что показатель преломления поверхности может на 10 отличаться от показателя преломления внутри слоя.

Область толщин 0,3-1 мкм остается наименее обеспеченной в метрологическом плане. Отсутствие йростых и надежных методов контроля в данной области, а также (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщин тонких слоев. Цель изобретения — расширение диапазона измеряемых толщин и.повышение точности за счет определения толщины llo новым параметрам провзаимодействовавшего излучения, Исследуемый слой освещается под разными углами частотно-модулированным излучением, а о толщине слоя судят по частоте биений отраженного тонким слоем излучения, Способ обеспечивает возможность измерения, согласно теоретическим оценкам, толщин слоев не менее 0,05 мкм, 4 ил. потребности промышленности, количество изделий которой со слоями в области толщин < 1 мкм, неуклонно растет, способствует разработке предлагаемого метода, призванного в основном обеспечить контроль толщин слоев < 1 мкм..

Наиболее .близким к. предлагаемому способу является способ, где исследуемый слой освещается лазерным излучением под различными углами падения, измеряется положение двух экстремумов в отраженном от слоя свете и определяется толщина слоя бг и показатель преломления п2 из системы уравнений, Недостатком данного способа является невозможность измерения толщин тонких слоев < 1 мкм в силу отсутствия двух экстремумов в диапазоне возможных углов паденияя 8l — е1. Кроме того, и ри малых толщинах экстремумы имеют достаточно

1728648 плавные изменения интенсивности, что снижает чувствительность метода в определении положения экстремума, тем самым снижается точность измерения толщин.

Цель изобретения — расширение диапазона измеряемых толщин и повышение точности измерений.

Поставленная цель достигается тем, что исследуемый слой освещают частотно-модулированным излучением, а толщину слоя определяют по частоте биений отраженного слоем излучения.

На фиг.1-3 приведены рисунки, поясняющие суть способа; на фиг.4 — схема реализации способа.

Суть способа заключается в следующем, Пусть частотно-модулированное лазерное излучение, например, по пилообразному закону (фиг.1) с известной величиной Р попадает на тонкую пленку (слой) под углом а (фиг.2). В точке А происходит амплитудное деление луча на двэ, один из которых отражается (луч 1), а второй преломляется, отражается от нижней грани пленки, вторично преломляется на верхней грани и распространяется в направлении, параллельном лучу 1 (луч 2). В связи с тем, что лучи проходят соответственно разные расстояния AD и АВ + ВС, да еще и с разной скорость1о(луч 1 в среде с показателем преломления п1, а луч 2 в среде с показателем преломления пг), то за счет временной задержки Л t между ними возникает частотный сдвиг hv, который можно экспериментально измерить Найдем взаимосвязь величины частотного сдвига Лv с параметрами пленки (толщиной t и показателем преломления пг).

Путь AD луч 1 проходит за время т1, которое можно найти из соотношения где V1 — скорость распространения луча в среде с показателем преломления п1.

Луч 2 проходит расстояние АВС зэ вре мя t2

АВ+ВС (2)

1сг где Чг — скорость распространения луча в среде с показателем преломления пг.

Следовательно, временной сдвиг между лучами 1 и 2 запишется — (3) г 1/1

Учитывая, что n1 = с/ч1, n = с/чг, получают

5t - — ((пг {АВ + BC)- п1А0), (4)

С

Из анализа треугольников АВС и ACD можно получить для величин АВ, ВС, AD следующие соотношения: .

AB = ВС, АВ = t/cosr; Ас = 2t tgr, 5 AD = 2ицгз!п а, (5) где r — угол преломления, связанный с углом падения известным соотношением

n1sln а = nzslnr. (6)

Для временного сдвига Лt получим

10 2t г. где t — толщина пленки (слоя); с — скорость света в вакууме.

Составим систему для двух углов паде15 ния а1 иаг

At>= С n) — n)sin а1, 2т г (8)

ЛЬ = — пг — п1sin аг, где пс — показатель преломления окружающей среды, в которой производятся измерения.

Решение системы уравнения (8) приво25 дит к результату

Ьt1 С

2 (9) д,:A In — Л In a зо

Таким образом, зная временные задержки сигнала Ьt1и Лтгдлядвухугловоблучения а1 и аг, а также показатель преломления окружающей среды п1, по формулам (9) находим толщину исследуемой пленки (слоя) и показатель преломления. Временная задержка Л t определяется из диафрагмы (фиг.3) по экспериментально измеренной величине

4О Лм, определяющей частоту биений регистрируемого сигнала. Нэ фиг.За представлена зависимость изменения частоты освещающего лазерного пучка от времени. Данная зависимость характеризует частотно-модулированный источник и является всегда известной, кроме того, выбирал крутизну временного изменения частоты облучающего пучка, можно варьировать частоту биений

h v при сохранении временной задержки

5О Л t Так, уве чен е ру з ривод т к увеличению частоты биений, поскольку в определенный момент времени интерферирус ют сигналы с частотами эг и 1 1, для которых

Лv больше Лк Таким образом, выбирая

55 определенную крутизну временного изменения частоты освещающего лазерного луча, можно изменять интервал исследуемых толщин в достаточно широких пределах.

Определим нижний предел измеряемых толщин. Входящая в среду световая волна

1728648 возбуждает колебание диполей, которые излучают вторичную волну. Скорость распространения вторичной и первичной волн разная, что приводит при их сложении к гашению первичной волны, а в результате к . замещению первичной волны, распространяющейся со скоростью V>, вторичной волной, распространяющейся со скоростью Vz.

Длина замещения равна

1 = Л/(2 л (и - 1). (10)

Следовательно, для пленок (слоев) с показателем преломления и =1,5 — 2,0 в видимом диапазоне длина замещения L= (2-1)10 м.

Одно из условий, определяющих нижний предел измеряемых толщин, заключается в том, чтобы путь прохождения луча в среде был больше длины замещения, т.е. по крайней мере в случае нормального падения

t =«(1 — 0,5) 10 м или 1000k — 500А.

Условием, ограничивающим верхний предел измеряемых толщин, является разрешение регистрирующего узла в определении частоты биений Avотраженных верхней и нижней гранями пленки волн (волны должны смешиваться друг с другом. что выполняется автоматически при малых толщинах исследуемой пленки и достаточной большой ширине освещающего пучка).

Так, при В = 45 и Лv - =0,01 Гц находим иэ диафрагмы (фиг.1), что А=0,01 ед. времени. Пусть n> = 1, n2 = 1,5 a1= 0", тогда для максимальной толщины найдем значение, табаке = 10 см. Кроме рассмотренного, условиями, ограничивающими верхний предел измеряемых толщин, также являются регистрация максимальной частоты биений Ьг; параметры частотно-модулированного освещающего пучка — временной период частотно-модулированного излучения должен быть больше временной задержки между лучами, отраженными соответственно верхней и нижней гранями пленки. Наиболее жестким является последнее условие. Однако даже при частоте модуляции освещающего пучка 1 Гц толщина не должна превышать 1 м и растет по мере снижения частоты модуляции. Следовательно, практ:>чески ограничения по верхнему пределу отсутствуют.

5 Способ осуществляют следующим образом.

Частотно-модулированное излучение от источника 1 попадает на исследуемый слой

2 под углом а>, задаваемым и измеряемым

10 угломерным устройством 3, На внешней по -верхности слоя 2 частотно-модулированное излучение разделяется на две части, одна из которых отражается под углом а, а вторая проникает внутрь слоя и отражается внут15 ренней гранью слоя 2 и дальше распространяется в направлении, совпадающем с направлением распространения части излучения, отраженной внешней поверхностью (после выхода луча из слоя). В результате

20 интерференции возникают "биения" — регулярные изменения интенсивности, которые регистрируются ФЭУ-4 и частота их измеряется осциллографом 5. Измеряя таким образом два значения частоты биений

25 hv< и hn соответственно для двух углов падения частотно-модулированного излучения на исследуемый слой О1 и а, воспользовавшись известной зависимостью частоты биений Л1 от временной задержки

30 Л t (фиг.3), находят тол ину исследуемого слоя по формулам (9).

Способ расширяет диайазон измеряемых толщин и повышает точность измерений.

Формула изобретения

Способ измерения толщины тонких слоев, заключающийся в том; что последовательно направляют лазерное излучение на слой под разными углами к нему, регистри40 руют параметры отраженного иэлучен я v определяют толщину слоя, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что, с целью расширения диапазона определяемых толщин и повышения точности измерения, на слой направляют

45 частотно-модулированное излучение, а толщину слоя определяют по частоте биений отраженного излучения..

1728648

1728648

1728648

Составитель В.Климова

Техред М.Моргентал Корректор С.Черни

Редактор О.Головач

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 1398 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва,Ж-35, Раушская наб., 4/5

Способ измерения толщины тонких слоев Способ измерения толщины тонких слоев Способ измерения толщины тонких слоев Способ измерения толщины тонких слоев Способ измерения толщины тонких слоев Способ измерения толщины тонких слоев 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины листовых материалов, в частности древесно-стружечных плит

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к определению толщин плит оптическими методами

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к изготовлению многослойных оптических покрытий.наносимых путем осаждения веществ в вакууме

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам определения толщины прозрачных плоскопараллельных объектов

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к измерению толщины пленок

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении микросхем, в лазерной технике при напылении материалов на кристаллы

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении линейных размеров объектов, в частности для бесконтактного определения смещений обьекта от номинального положения

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения толщины полупроводниковых и диэлектрических пленок

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в твердотельной электронике для измерения толщины диэлектрического слоя на поверхности полупроводника

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля толщины пленок при производстве интегральных микросхем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости
Наверх