Устройство для отбраковки транзисторов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Устройство для отбраковки транзисторов, содержащее клеммы для подключения базы, эмиттера и коллектора испытуемого транзистора, источник напряжения питания, генератор тока, образцовый транзистор, два резистора, первые выводы которых соединены соответственно с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора и с коллектором образцового транзистора, база которого подключена к общей шине устройства и к клемме для подключения базы испытуемого транзистора, клемма для подключения эмиттера которого соединена с выходом генератора тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности отбраковки, оно снабжено аналоговым запоминающим устройством, дифференциальным усилителем и цифровым вольтметром, генератор тока снабжен входами запуска и сброса, при этом выход источника напряжения питания подключен к вторым выводам первого и второго резисторов, коллектор образцового транзистора соединен с неинвертирующим входом дифференциального усилителя и входом аналогового запоминающего устройства, выход которого подключен к инвертирующему входу дифференциального усилителя, выход которого подключен к входу цифрового вольтметра, выход которого соединен с входами сброса генератора тока и аналогового запоминающего устройства, входы запуска которых соединены с шиной запуска и входом запуска цифрового вольтметра, выход генератора тока подключен к эмиттеру образцового транзистора.

Способ разбраковки полупроводниковых приборов и микросхем // 1714541

Изобретение относится к неразрушающему контролю качества полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных микросхем (ИМС) и может-быть использовано для отбраковки ПП и ИМС со скрытыми дефектами

Способ определения типа проводимости базового слоя меза- диода // 1712906

Изобретение относится к способам диагностики полупроводниковых приборов в процессе их изготовления

Способ определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках // 1694018

Изобретение относится к неразрушающему контролю параметров полупроводников и может быть использовано для определения однородности и качества материалов

Устройство для испытания электронных приборов в генераторном режиме // 1689892

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройству для испытания в генераторном режиме электровакуумных и полупроводниковых приборов

Способ определения теплового сопротивления транзистора дарлингтона // 1681283

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при испытаниях транзисторов Дарлингтона

Устройство защиты силовых транзисторов при контроле параметров вторичного пробоя // 1676085

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при контроле и измерении параметров силовых транзисторов, в частности при испытаниях на устойчивость к вторичному пробою

Способ контроля стойкости р-n-перехода к импульсным электрическим перегрузкам // 1666990

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к средствам контроля изделий на устойчивость к электроперегрузкам

Устройство измерения параметров линейных интегральных стабилизаторов напряжения // 1652949

Устройство для неразрушающего контроля качества присоединения полупроводникового кристалла к корпусу // 1649473

Изобретение относится к электронной технике

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим