Устройство для выращивания кристаллов
Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ, содержащее герметичную камеру из диэлектрического материала, размещенный в ней холодный тигель, выполненный из трубчатых элементов, расположенных с зазором, и снабженный штуцерами для ввода и вывода хладагента, и индуктор, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства и уменьшения потерь исходного материала, холодный тигель выполнен в форме двух полусфер, навитых вокруг оси, перпендикулярной оси индуктора, герметичная камера выполнена в виде сферической оболочки, на внутренней поверхности которой размещен герметизирующий слой, контактирующий с холодным тиглем, а штуцеры для ввода хладагента расположены соосно с индуктором.
Похожие патенты:
Изобретение относится к получению монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников ВТСП, которые могут быть использованы в микроэлектронике и технике низких температур
Ферритовый монокристаллический материал // 1732706
Изобретение относится к монокристаллическим ферритовым материалам (МКФ), предназначенным для сердечников видеоголовок сверхплотной записи, работающих в диапазоне до 50 МГц
Изобретение относится к способам получения полупроводниковых твердых растворов CuAlxini-xS2, которые могут быть использованы как материалы для изготовления светодиодов для видимой и ультрафиолетовой областей, солнечных элементов
Изобретение относится к литейному производству, преимущественно к технологии получении заготовок из магнитных сплавов с монокристаллической структурой, и позволяет улучшить качество монокристаллов и повысить магнитные параметры
Графитовый нагреватель // 1691431
Изобретение относится к нагревательным блокам устройств для получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение равномерности температурного поля по высоте нагревателя
Изобретение относится к области выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации
Изобретение относится к технологии получения оптических монокристаллов
Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми
Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)
Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)
Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
