Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n⁺-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n⁺- или p-слоя поверхность структур промывают дистиллированной водой, а растворение n-слоя проводят при концентрации электролита, определяемой из выражения C = 1,6/d², где d - диаметр участка локального растворения (мм), при этом величину прикладываемого между анодом и катодом напряжения определяют по формуле V = 2,7 + 1,32 lg C.

Способ плазмохимического травления пленок алюминия // 1739802

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектроники, предназначено для изготовления полупроводниковых приборов, в частности интегральных микросхем, и касается плазмохимической обработки структур с нанесенными на них пленками алюминия

Способ для лазерно-стимулированного травления фосфида индия // 1715136

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла // 1697563

Способ приготовления раствора для полирования антимонида индия // 1669337

Изобретение относится к полупроводниковой технологии н может быть использовано при необходимости прецизионной обработки жидкостными травителями структур антнмоннда индия для оптоэлектронных приборов

Способ плазмохимического удаления пленок фоторезиста // 1653484

Устройство для удаления ионов загрязнения с поверхности полупроводниковых структур // 1623498

Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых структур от загрязнений ионами реагентов при их обработке Устройство может быть использовано в электронной промышленности при пленарной технологии изготовления полупро оодниковых приборов Целью изобретения является экономия воды и электроэнергии при одновременном повышении качества очистки Цель изобретения достигается тем, что устройство содержит камеру с деионизованной водой, одна из стенок которой выполнена в виде ионоселективной мембраны с внешней стороны которой вплотную к ней размерен перфорированный электрод, при этом вторым электродом является очищаемая структура размещенная в камере

Способ создания многоуровневых межсоединений интегральных схем // 1616439

Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений, увеличенной плотностью упаковки и малым шагом межсоединений

Раствор для локального травления поликристаллического кремния // 1604094

Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Способ предэпитаксиальной очистки пластин арсенида галлия // 1593513

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости