Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида, охватывающего индуктор, по которому пропускают ток I, при этом число ампер-витков соленоида выбирают в соответствии с соотношением 
где P - давление газа в реакционной камере, Па; K1=102 A
кг-1с2; l - длина индуктора, м; D - внешний диаметр индуктора, м; n - число витков соленоида.
Похожие патенты:
Изобретение относится к импульсной плазмодинамике, в частности к кумулятивным процессам при косых симметричных столкновениях, и может найти применение в разработке устройств генерации гиперскоростной металлической плазмы с высокой удельной плотностью энергии
Изобретение относится к плазменной технологии с использованием плазменных ускорителей для очистки поверхностей, травления, нанесения тонких покрытий и т.д
Изобретение относится к электротехнике
Изобретение относится к генерации потоков гамма-квантов и может быть применено в термоядерных исследованиях
Изобретение относится к космической технике, в частности к электрореактивным двигательным установкам и к технологии плазменной обработки материалов
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано на оборудовании для электрообработки листовых деталей по схеме трепанации трубчатым электродом-инструментом
Изобретение относится к области квантовой электроники и плазмохимии и может быть использовано при создании газовых лазеров и плазмохимических реакторов
Изобретение относится к модификации параметров ионосферной плазмы и может быть использовано при проведении экспериментов в верхней атмосфере
Изобретение относится к низкотемпературной плазме, в частности к плазме продуктов сгорания при высоком давлении
Изобретение относится к черной металлургии , а именно к термическому отжигу рулонов листового проката в колпаковых печах Цель изобретения - повышение производительности печи за счет сокращения времени нагрева отжигаемых рулонов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для полирования полупроводниковых частиц
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для крепления полупроводниковых пластин при полировании
Изобретение относится к области ионно-плазменной обработки и может найти применение в микроэлектронике при производстве интегральных схем
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве пластин арсенида галлия на стадии финишного копирования
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления ИС на основе кремния
Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к СВЧ - плазмотронам, предназначенным для плазменной обработки материалов при давлениях ниже атмосферного, и может быть использовано для проведения процессов травления, очистки, осаждения, формирования собственных диэлектриков (анодирования) на полупроводниках и металлах
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее
